液晶单元组装体制造技术

技术编号:27875410 阅读:27 留言:0更新日期:2021-03-31 00:46
一种方法,包括:在膜组件上原位形成间隔结构材料层,并且在所述膜组件上原位图案化所述间隔结构材料层以至少在液晶单元的有源区域中界定用于液晶单元阵列的间隔结构;在将密封剂材料分配到围绕液晶单元阵列的每个有源区域的相应密封剂沉积区域中的两个组件中的一个或多个上之后,以及在将一滴或多滴液晶材料分配到液晶单元阵列的每个有源区域中的两个组件中的一个或多个上之后,将对立组件施加到所述膜组件上;将两个组件压制在一起,以便将液晶材料的液滴散布在有源区域上;其中,在压制之后,用于每个液晶单元的密封剂材料与用于相应液晶单元的液晶材料交界;并且其中每个所述密封剂沉积区域具有相应的内周边,并且该方法还包括可控地改变横跨液晶单元阵列的所述内周边尺寸,以便补偿横跨液晶单元阵列的间隔结构的一个或多个特性的变化。

【技术实现步骤摘要】
液晶单元组装体
本专利技术涉及液晶单元装配的方法。
技术介绍
液晶(LC)单元通常包括在其间界定了单元间隙的两个半单元,以及填充于该单元间隙的液晶材料。在两个半单元之间散布的预先制备的间隔元件(例如间隔球/珠/纤维)已经用于界定在成品单元中两个半单元之间具有精确厚度的单元间隙;但是使用构建到半单元之一或两者中的间隔结构的有序阵列具有位置控制的优点。对于像素化显示器件的示例,优选的是将有源区域(activearea)的间隔结构设置在像素区域之间的黑矩阵区域中。本申请的专利技术人致力于开发一种大规模生产技术,该大规模生产技术包括处理大面积塑料薄膜组件(母组件)以从母组件产生多个LC单元。参考图4,本申请的专利技术人已经观察到由单个母组件生产的一组LC单元中的局部缺陷,并且已经识别出LC单元中这些缺陷的出现与LC单元在生产其的母组件内占据的位置之间的相关性。观察到的缺陷包括(a)气泡和(b)当在彼此成45度取向的偏振片之间观察未驱动的LC单元时,它们自身表现为颜色不均匀性的缺陷,以及当在彼此成90度取向的两个偏振片之间LC单元被白色驱动时,它们自身表现为黄色斑点的缺陷。本申请的专利技术人已经将这些缺陷的出现归因于在母组件的区域上的间隔结构特性(起始厚度、弹性)的小变化。
技术实现思路
本专利技术提供一种方法,所述方法包括:在膜组件上原位形成间隔结构材料层,并且在所述膜组件上原位图案化所述间隔结构材料层以至少在液晶单元的有源区域中界定用于液晶单元阵列的间隔结构;在将密封剂材料分配到围绕液晶单元阵列的每个有源区域的相应密封剂沉积区域中的两个组件中的一个或多个上之后,以及在将一滴或多滴液晶材料分配到液晶单元阵列的每个有源区域中的两个组件中的一个或多个上之后,将对立组件施加到所述膜组件上;将两个组件压制在一起,以便将液晶材料的液滴散布在有源区域上;其中,在压制之后,用于每个液晶单元的密封剂材料与用于相应液晶单元的液晶材料交界;并且其中每个所述密封剂沉积区域具有相应的内周边,并且该方法还包括可控地改变横跨液晶单元阵列的所述内周边尺寸,以便补偿横跨液晶单元阵列的间隔结构的一个或多个特性的变化。根据一种实施例,所述方法包括:基于一个或多个生产测试中的间隔结构测量来预测所述间隔结构的所述一个或多个特性的变化;并且其中,可控地改变横跨液晶单元阵列的所述内周边尺寸是基于所述预测的变化。根据一种实施例,所述间隔结构的所述一个或多个特性包括所述间隔结构的高度。附图说明本专利技术的实施例在下面参考附图通过仅为示例的方式进行详细描述,其中:图1示出了根据本专利技术的实施例的方法的两个早期阶段;图2示出了图1的方法的后续阶段;图3进一步示出了图2中所示的组件;以及图4示出了在不使用本专利技术的情况下由单个母组件制造的一组LC单元中出现的局部缺陷。具体实施方式在一个示例性实施例中,该技术用于制造有机液晶显示(OLCD)器件,其包括用于控制组件的有机晶体管器件(例如有机薄膜晶体管(OTFT)器件)。OTFT包括用于半导体通道的有机半导体(例如有机聚合物或小分子半导体)。本专利技术的技术同样也可应用于其它类型器件的LC单元的生产,例如自适应透镜器件等。参考图1,根据本专利技术实施例的方法的示例的描述,开始于在大面积膜组件(母组件)2上原位形成一层间隔结构材料层14。母组件2已经包括大面积支撑膜和在大面积支撑膜上原位形成的层的堆叠。该堆叠界定了用于多个LC单元的像素电极阵列,以及用于每个LC单元的电路以供通过超出相应像素电极阵列的边缘的导体来独立地寻址每个像素电极。在该示例中,被用于LC单元的像素电极阵列占据的区域是该LC单元的有源区域(activearea,AA)。在该示例中,母组件2为十二个LC单元提供半单元,但在图1和图2中仅示出十二个半单元中的三个。在该示例中,支撑膜是亚100微米厚的塑料膜,例如三乙酸纤维素(TAC)膜;并且用于通过显示器件的有源区域外部的导体独立控制每个像素电极处的电势的电路是有源矩阵电路。对于每个LC单元,堆叠为每个像素电极界定相应的薄膜晶体管(TFT)。该堆叠为每个LC单元界定了源极-漏极导体图案和栅极导体图案。用于LC单元的源极导体图案界定:(i)源极导体阵列,每个源极导体为相应的TFT行提供源极电极,并且每个源极导体延伸到有源显示区域(activedisplayarea)外部;以及(ii)漏极导体阵列,每个漏极导体与相应的像素电极接触。用于LC单元的栅极导体图案界定栅极导体阵列,每个栅极导体提供用于相应的TFT列的栅极电极,并且每个栅极导体延伸到有源显示区域的外部。术语“行”和“列”一起表示任何一对基本上正交的相对方向。每个像素电极与源极和栅极导体的相应唯一组合相关联,由此每个像素电极可以经由源极和栅极导体独立地被寻址。在该示例中,该堆叠包括通过溶液处理在支撑膜上原位形成的有机聚合物半导体层,该半导体层提供用于上述TFT的半导体通道。该堆叠还包括也通过溶液处理在支撑膜上原位形成的有机聚合物绝缘体/介电层。该母组件2的生产被设计成针对十二个LC单元中的每一个产生相同的像素电极阵列和相同的电路。在该示例中,在母组件2上原位形成间隔结构材料层14包括沉积间隔结构材料的溶液的膜,所述膜通过液体处理技术(例如旋涂)沉积于母组件2的整个上表面的上述堆叠的最上面的隔离层16上。在该示例中,间隔结构材料是有机聚合物材料(例如光致抗蚀剂材料),其在显影剂溶剂中的溶解度可以通过暴露于辐射而改变。使用简单的二元光掩模,以引起间隔结构材料的溶解度改变的辐射频率,将间隔结构材料层14暴露于间隔结构阵列14所需的图案的辐射图像(负或正,取决于用于间隔结构材料的光致抗蚀剂材料的类型)。然后使用上述显影剂溶剂对所得的潜在溶解度图像进行显影,以产生用于十二个LC单元的间隔结构14a、14b、14c的相应阵列。通过参照由堆叠中的一个或多个导体图案界定的对准标记来控制上述光掩模的位置,可以控制每个间隔结构14相对于下面的电路的位置。就形成或图案化间隔结构材料层的方式而言,在十二个LC单元之间没有差别,目的是产生对于所有十二个单元具有相同特性的间隔结构的相同阵列。然而,如上所述,本申请的专利技术人已经识别出产品LC单元中的缺陷,专利技术人认为这些缺陷是由于在大面积母组件2的区域上的间隔结构特性的非预期变化造成的。在该示例中,最上面的隔离层16(其上形成有间隔结构)包括与用于间隔结构的光致抗蚀剂材料相同的光致抗蚀剂材料。通过整片辐射曝光(floodradiationexposure),使得整个最上面的隔离层16不溶于用于沉积间隔结构材料层14的溶剂。在该示例中,通过包括以下步骤的技术为每个LC单元提供液晶取向表面:在形成间隔结构14的阵列之后,在母组件2上原位形成聚酰亚胺材料层18,并对所得工件的上表面进行摩擦处理,以在聚酰亚胺层18的暴露表面上产生微槽。用于产生LC取向表面的技术的另一个示例是光取向技术,其使用照射代替机械手段来获得控本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种方法,其特征在于,所述方法包括:在膜组件上原位形成间隔结构材料层,并且在所述膜组件上原位图案化所述间隔结构材料层以至少在液晶单元的有源区域中界定用于液晶单元阵列的间隔结构;在将密封剂材料分配到围绕液晶单元阵列的每个有源区域的相应密封剂沉积区域中的两个组件中的一个或多个上之后,以及在将一滴或多滴液晶材料分配到液晶单元阵列的每个有源区域中的两个组件中的一个或多个上之后,将对立组件施加到所述膜组件上;将两个组件压制在一起,以便将液晶材料的液滴散布在有源区域上;其中,在压制之后,用于每个液晶单元的密封剂材料与用于相应液晶单元的液晶材料交界;并且其中每个所述密封剂沉积区域具有相应的内周边,并且该方法还包括可控地改变横跨液晶单元阵列的所述内周边尺寸,以便补偿横跨液晶单元阵列的间隔结构的一个或多个特性的变化。/n

【技术特征摘要】
20190930 GB 1914072.21.一种方法,其特征在于,所述方法包括:在膜组件上原位形成间隔结构材料层,并且在所述膜组件上原位图案化所述间隔结构材料层以至少在液晶单元的有源区域中界定用于液晶单元阵列的间隔结构;在将密封剂材料分配到围绕液晶单元阵列的每个有源区域的相应密封剂沉积区域中的两个组件中的一个或多个上之后,以及在将一滴或多滴液晶材料分配到液晶单元阵列的每个有源区域中的两个组件中的一个或多个上之后,将对立组件施加到所述膜组件上;将两个组件压制在一起,以便将液晶材料的液滴散布在有源区域上;其中,在压制之后,用于每个液晶...

【专利技术属性】
技术研发人员:强纳森·哈琴斯
申请(专利权)人:弗莱克英纳宝有限公司
类型:发明
国别省市:英国;GB

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