对型材的表面进行处理的方法技术

本发明专利技术提供了对型材的表面进行处理的方法。该型材的表面包括至少两个预定区域，所述方法包括：对所述预定区域进行冷却处理；逐个对经过所述冷却处理的所述预定区域进行喷淋蚀刻处理。该方法操作简单、方便，容易实现，易于工业化生产，且由于在逐个对所述预定区域进行喷淋蚀刻处理之前，先对所述预定区域进行了冷却处理，故在逐个对所述预定区域进行喷淋蚀刻处理时，先接触蚀刻液的预定区域发生蚀刻的反应速率变慢，其与后接触蚀刻液的预定区域发生蚀刻反应程度的差异变小，从而使得型材表面的各个预定区域发生蚀刻反应的一致性得到保证。

【技术实现步骤摘要】
对型材的表面进行处理的方法
本专利技术涉及材料加工
，具体地，涉及对型材的表面进行处理的方法。
技术介绍
目前，采用喷淋蚀刻处理的方式对型材的表面进行处理的方法，存在经过喷淋蚀刻处理以后型材表面的均匀性、一致性不好的问题。因而，现有的对型材的表面进行处理的方法仍有待改进。
技术实现思路
本专利技术是基于专利技术人的以下发现而完成的：专利技术人对于目前采用的喷淋蚀刻处理方式进行了深入研究后发现，由于在进行喷淋蚀刻处理的过程中，通常是将型材放置在传送带上传送至喷淋蚀刻液的区域的，因此型材表面上的不同区域会先后与蚀刻液接触。为了防止型材的脱落和偏位，传送带的传送速度不能过快，因而型材表面先接触蚀刻液的部分发生蚀刻反应的时间较长，型材表面后接触蚀刻液的部分发生蚀刻反应的时间较短，从而导致在整个型材表面出现了不一致的蚀刻效果，先接触蚀刻液的部分被蚀刻的程度较高，后接触蚀刻液的部分被蚀刻的程度较低，因而导致目前对型材表面进行蚀刻处理的方法会导致型材表面具有蚀刻均匀性、一致性较差的问题；另外，在目前对型材的表面进行处理的方法中，进行蚀刻处理后直接对型材的表面进行抛光处理，而抛光处理会使得型材严重减薄，从而如果前面的蚀刻过程中出现不良，没有办法进行返工蚀刻。也就是说，专利技术人经过研究后发现，在进行抛光处理前，应当先对蚀刻后的产品进行检查，以筛选出发生不良蚀刻的产品。基于此，本专利技术的一个目的在于提出一种操作简单、方便、容易实现、易于工业化生产、在逐个对型材表面的预定区域进行喷淋蚀刻处理时先接触蚀刻液的预定区域发生蚀刻的反应速率变慢、其与后接触蚀刻液的预定区域发生蚀刻反应程度的差异变小、或者可使得型材表面的各个预定区域发生蚀刻反应的一致性得到保证的对型材的表面进行处理的方法。在本专利技术的一个方面，本专利技术提供了一种对型材的表面进行处理的方法。根据本专利技术的实施例，所述表面包括至少两个预定区域，该方法包括：对所述预定区域进行冷却处理；逐个对经过所述冷却处理的所述预定区域进行喷淋蚀刻处理。专利技术人发现，该方法操作简单、方便，容易实现，易于工业化生产，且在逐个对所述预定区域进行喷淋蚀刻处理时，先接触蚀刻液的预定区域发生蚀刻的反应速率变慢，此时后接触蚀刻液的预定区域尚未与蚀刻液接触。在此之后，后接触蚀刻液的预定区域也与蚀刻液发生接触，此时先接触蚀刻液的预定区域与后接触蚀刻液的预定区域同时发生蚀刻。那么，由于在进行蚀刻处理之前，先对所述预定区域进行了冷却处理，减缓了只有先接触蚀刻液的预定区域接触蚀刻液而后接触蚀刻液的预定区域未接触蚀刻液时，发生蚀刻反应的反应速率，从而使得先接触蚀刻液的预定区域与后接触蚀刻液的预定区域发生蚀刻反应的程度尽可能相同，进而使得型材表面的各个预定区域发生蚀刻反应的一致性得到保证。附图说明图1显示了本专利技术一个实施例的对型材的表面进行处理的方法。图2显示了本专利技术另一个实施例的对型材的表面进行处理的方法。图3显示了本专利技术又一个实施例的对型材的表面进行处理的方法。图4显示了本专利技术再一个实施例的对型材的表面进行处理的方法。图5显示了本专利技术再一个实施例的对型材的表面进行处理的方法。图6显示了本专利技术一个实施例的型材表面的结构示意图。附图标记：10：型材100：第一预定区域200：第二预定区域具体实施方式下面详细描述本专利技术的实施例。下面描述的实施例是示例性的，仅用于解释本专利技术，而不能理解为对本专利技术的限制。实施例中未注明具体技术或条件的，按照本领域内的文献所描述的技术或条件或者按照产品说明书进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市购获得的常规产品。在本专利技术的一个方面，本专利技术提供了一种对型材的表面进行处理的方法。根据本专利技术的实施例，所述表面包括至少两个预定区域，参照图1，该方法包括：S100：对所述预定区域进行冷却处理。根据本专利技术的实施例，所述冷却处理的具体方式不受特别限制。在本专利技术的一些实施例中，所述冷却处理的具体方式可以为使用冷却液体对所述预定区域进行第一喷淋处理。由此，操作简单、方便，容易实现，易于工业化生产。在本专利技术的一些实施例中，所述冷却液体的种类不受特别限制，具体可以是去离子水，或者其他对于后续处理的步骤没有影响的液体。由此，材料来源广泛、易得，且成本较低。根据本专利技术的实施例，所述冷却液体的温度可以为2℃～20℃，优选地，所述冷却液体的温度可以为5℃～10℃。在本专利技术的一些实施例中，所述冷却液体的温度可以是5℃、6℃、7℃、8℃、9℃或者10℃等。由此，冷却液体的温度合适，可以较好地对对所述预定区域进行冷却处理，冷却液体的温度既不会过高而导致对预定区域冷却的效果较差，也不会过低而导致后续蚀刻反应的速率较慢，工艺效率较低。根据本专利技术的实施例，所述第一喷淋处理的时间可以为5s～120s，优选地，所述第一喷淋处理的时间可以为10s～20s。在本专利技术的一些实施例中，所述第一喷淋处理的时间可以为10s、12s、14s、16s、18s或者20s等。由此，第一喷淋处理的时间比较合适，可以较好地对所述预定区域进行冷却处理，第一喷淋处理的时间既不会过长而导致后续蚀刻反应的速率较慢，工艺效率较低，也不会过短而导致对预定区域冷却的效果较差。根据本专利技术的实施例，所述型材的材质可以为玻璃。由此，该材质的所述型材特别适合使用本专利技术所述的方法对其进行表面处理。在本专利技术的一些实施例中，所述型材可以用于制作电子设备的后壳，本领域技术人员可以理解，所述电子设备可以是手机、游戏机、平板电脑或者汽车电子显示屏等，在此不再过多赘述。由此，在逐个对所述预定区域进行喷淋蚀刻处理时，先接触蚀刻液的预定区域发生蚀刻的反应速率变慢，此时后接触蚀刻液的预定区域尚未与蚀刻液接触。在此之后，后接触蚀刻液的预定区域也与蚀刻液发生接触，此时先接触蚀刻液的预定区域与后接触蚀刻液的预定区域同时发生蚀刻。那么，由于在进行蚀刻处理之前，先对所述预定区域进行了冷却处理，减缓了只有先接触蚀刻液的预定区域接触蚀刻液而后接触蚀刻液的预定区域未接触蚀刻液时，发生蚀刻反应的反应速率，从而使得先接触蚀刻液的预定区域与后接触蚀刻液的预定区域发生蚀刻反应的程度尽可能相同，进而使得型材表面的各个预定区域发生蚀刻反应的一致性得到保证。S200：逐个对经过所述冷却处理的所述预定区域进行喷淋蚀刻处理。根据本专利技术的实施例，所述喷淋蚀刻处理是在28℃～35℃下，使用蚀刻液对所述预定区域持续进行喷淋处理1min～5min，具体地，所述喷淋处理的可以是在33℃下，使用蚀刻液对所述预定区域持续进行喷淋处理1min，由此，所述温度和时间均较为合适，所述温度既不会过高而导致蚀刻液中的氟化氢大量溢出从而产生污染，也不会过低而导致反应速率过慢，增长蚀刻时间，浪费产能；所述时间同样也既不会过高而导致蚀刻程度过高，也不会过低而导致蚀刻不完全，产品良率低。根据本专利技术的实施例，所述蚀刻液为含有蒙砂粉的溶液。在本专利技术的一些实施例中，含有蒙砂粉本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种对型材的表面进行处理的方法，所述表面包括至少两个预定区域，其特征在于，包括：/n对所述预定区域进行冷却处理；/n逐个对经过所述冷却处理的所述预定区域进行喷淋蚀刻处理。/n

【技术特征摘要】
1.一种对型材的表面进行处理的方法，所述表面包括至少两个预定区域，其特征在于，包括：
对所述预定区域进行冷却处理；
逐个对经过所述冷却处理的所述预定区域进行喷淋蚀刻处理。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述冷却处理为使用冷却液体对所述预定区域进行第一喷淋处理。


3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述冷却液体的温度为2℃～20℃。


4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一喷淋处理的时间为5s～120s。


5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在对所述预定区域进行所述冷却处理之前，还包括：
去除所述预定区域的风化层，
任选地，去除所述预定区域的风化层为使用预蚀刻液对所述预定区域进行第二喷淋处理，
任选地，所述第二喷淋处理的温度为20℃～30℃，
任选地，所述第二喷淋处理的时间为5s～10s，
任选地，所述预蚀刻液为体积百分含量为1％～3％的氢氟酸溶液，优选为体积百分含量为2％的氢氟酸溶液。


6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在对所...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨经杰，马兰，杨鹏，段水亮，
申请(专利权)人：比亚迪股份有限公司，汕头比亚迪电子有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44