一种OLED微型显示结构及其装置制造方法及图纸

本发明专利技术为涉及一种OLED微型显示结构，自上而下依次包括：OLED发光层、绝缘层、导电层、接地层、以及硅基层；所述OLED发光层包括至少含三个颜色子像素的OLED像素；相邻的两个所述OLED像素之间具有一定间距并形成间隙区域；所述导电层位于所述间隙区域的正下方，并且与接地层相连接；所述绝缘层位于OLED像素阳极与导电层之间；相邻的两个所述OLED像素之间的阳极共面电容与所述OLED像素阳极和接地层之间的平板对地电容比小于0.1。有益效果是：通过在导电层和阳极之间增加的足够薄的绝缘层，OLED像素阳极和接地层之间的形成的电容有效地抑制OLED像素阳极之间的任何电串扰，抑制从驱动像素到相邻像素的耦合。素到相邻像素的耦合。素到相邻像素的耦合。

【技术实现步骤摘要】
一种OLED微型显示结构及其装置


[0001]本专利技术涉及显示
，尤其是涉及一种OLED微型显示结构及其装置。

技术介绍

[0002]在OLED微型显示器中，当像素被驱动，只有它们应该发光，而中间的像素应该是完全不发光的，但是因为与被驱动列的像素相邻，因而也显示出部分发光特性。这就是OLED微型显示器的电串扰现象。电串扰是由于存在于两个像素之间的寄生电容而产生的，当像素被驱动时，在相邻未被驱动像素上也产生了被驱动的效果。图1
‑
6所示，现有技术中产生的点串扰产生的原理，其中，如图5，电路图中OLED1表示的像素，由输入信号V
Drive
驱动，从关闭状态(不发光)到打开状态(发光)。通过寄生电容C
ANODE
，耦合到相邻像素OLED2。当OLED1的驱动电压在高位稳定后，OLED2开始放电。OLED二极管的电阻在低亮度水平下很高，因此放电速率可能很长，从而导致可检测到来自相邻像素的光量。
[0003]因此，电串扰主要表现为AMOLED微显示器中相邻像素之间驱动信号的耦合，这种结果往往会以多种方式降低显示性能，包括彩色显示器色域的损失、对比度传递函数的降低以及低灰度下伽马射线的分布，同时高效率OLED材料的使用，相邻像素电串扰激发发光可能性增加。
[0004]为了消除电串扰，共面电场必须接地，而不是接在相邻像素上。传统的解决方案是在阳极间隙区域引入金属结构作为接地屏蔽，这能有效地阻断共面电场并消除相邻像素之间的耦合。然而，这种方法对于微显示器来说是不切实际的，因为微型显示器的发展趋势是通过最小化阳极间隙来减小像素尺寸，因此没有空间在像素阳极之间放置额外的金属接地屏蔽线。

技术实现思路

[0005]本专利技术提供一种OLED微型显示结构及其装置，以解决现有技术中的OLED像素之间产生电串扰的问题，通过一种替代结构，用以减弱或消除OLED像素之间的电串扰。
[0006]本专利技术所解决的技术问题采用以下技术方案来实现：
[0007]一种OLED微型显示结构，自上而下依次包括：OLED发光层、绝缘层、导电层、接地层、以及硅基层；
[0008]所述OLED发光层包括至少含三个颜色子像素的OLED像素；相邻的两个所述OLED像素之间具有一定间距并形成间隙区域；所述导电层位于所述间隙区域的正下方，并且与接地层相连接；所述绝缘层位于OLED像素阳极与导电层之间；
[0009]相邻的两个所述OLED像素之间的阳极共面电容与所述OLED像素阳极和接地层之间的平板对地电容比小于0.1。
[0010]进一步的，所述阳极共面电容通过以下公式(1)获得：
[0011][0012]其中k通过以下公式(2)获得：
[0013]k＝d/(2w+d)
………………
(2)
[0014]其中，ε为极板间介质的介电常数，w为OLED像素的宽度，d为两个OLED像素之间的距离，l为OLED像素的长度，K为第一类椭圆积分。
[0015]进一步的，所述OLED像素阳极和接地层之间的平板对地电容通过以下公式(3)获得：
[0016]C＝εA/D
………………
(3)
[0017]其中，ε为极板间介质的介电常数，A是极板面积，D为绝缘层的距离。
[0018]进一步的，所述绝缘层的厚度为1.0um
‑
3.0um。
[0019]进一步的，所述绝缘层的材料为SiO2、SiN、SiON、Al2O3、HfO2和SOG中的一种。
[0020]进一步的，所述导电层由图形化的且相互连接的金属片组成，和接地层之间连接。
[0021]进一步的，所述金属片包括氧化铝、二氧化硅、钛酸钙、钛酸钡、钛酸锶、氮化硅、氧化钛和氧化钽介电性能较好的化合物。
[0022]本专利技术还公开了一种显示装置，包括上述的OLED微型显示结构。
[0023]本专利技术具有的有益效果是：通过在导电层和阳极之间增加的足够薄的绝缘层，OLED像素阳极和接地层之间的形成的电容有效地抑制OLED像素阳极之间的任何电串扰，抑制从驱动像素到相邻像素的耦合。
附图说明
[0024]为了更清楚地说明本专利技术实施方案或现有技术中的技术方案，下面将对实施方案或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施方案，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0025]图1为现有技术中的显示装置的结构示意图；
[0026]图2为现有技术中的图1的A
‑
A剖面图；
[0027]图3为现有技术中的图2的Q部放大示意图；
[0028]图4为现有技术中的图3的电气模型图；
[0029]图5为现有技术中的图3的电路图；
[0030]图6为现有技术中的OLED像素之间的电干扰对比数据图；
[0031]图7为本专利技术中的微型显示结构的示意图；
[0032]图8为本专利技术中的微型显示结构图7中的B
‑
B剖面图；
[0033]图9为本专利技术中的微型显示结构图8的Q部放大示意图；
[0034]图10为本专利技术中的微型显示结构图9的电气模型图；
[0035]图11为本专利技术中的微型显示结构图9的电路图；
[0036]图12为本专利技术中的微型显示结构中OLED像素之间的电干扰对比数据图；
[0037]图13为本专利技术中的微型显示结构中的OLED像素阳极共面电容的结构示意图；
[0038]图14为本专利技术中的微型显示结构中的平板对地电容的结构示意图。
具体实施方式
[0039]为了使本专利技术实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体图示，进一步阐述本专利技术。
[0040]实施例1
[0041]参照图7
‑
14所示，一种OLED微型显示结构，自上而下依次包括：OLED发光层11、绝缘层12、导电层13、接地层14、以及硅基层15。其中，OLED发光层11包括至少含三个颜色子像素的OLED像素111；相邻的两个OLED像素111之间具有一定间距并形成间隙区域100，导电层13位于间隙区域100的正下方，并且与接地层14相连接；绝缘层12位于OLED像素111阳极112与导电层13之间；由于OLED像素111之间的间距非常小，因此，两个OLED像素111之间会形成阳极共面电容C
ANODE
，在阳极共面电容C
ANODE
的作用下，产生电串扰现象，因此，为了解决或减少电串扰的现象发生，通过阳极112与接地层14形成的平板对地电容C
GND
充当分压器，从而降低了电串扰的发生。
[0042]为了能够最大限度的减少电串扰，需要满足如下的规则，即，相邻的两个OLED像素111之间的阳极共面本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种OLED微型显示结构，其特征在于，自上而下依次包括：OLED发光层、绝缘层、导电层、接地层、以及硅基层；所述OLED发光层包括至少含三个颜色子像素的OLED像素；相邻的两个所述OLED像素之间具有一定间距并形成间隙区域；所述导电层位于所述间隙区域的正下方，并且与接地层相连接；所述绝缘层位于OLED像素阳极与导电层之间；相邻的两个所述OLED像素之间的阳极共面电容与所述OLED像素阳极和接地层之间的平板对地电容比小于0.1。2.根据权利要求1所述的一种OLED微型显示结构，其特征在于，所述阳极共面电容通过以下公式(1)获得：其中k通过以下公式(2)获得：k＝d/(2w+d)
………………
(2)其中，ε为极板间介质的介电常数，w为OLED像素的宽度，d为两个OLED像素之间的距离，l为OLED像素的长度，K为第一类椭圆积分。3.根据权利要求1所述的一种OLED微型显示结构，其特征在于，所述OLED像素阳极和接地层之间...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙浩，李牧词，茆胜，
申请(专利权)人：深圳市智联汇网络系统企业有限合伙，
类型：发明
国别省市：