一种基于内置温度监测器的FPGA单粒子闩锁效应测试系统及方法技术方案

技术编号:27844283 阅读:23 留言:0更新日期:2021-03-30 12:44
本发明专利技术提供了一种基于内置温度监测器的FPGA单粒子闩锁效应测试系统及方法,该测试系统包括上位机和测试板;上位机负责流程控制和数据处理;测试板包括控制处理FPGA、配置FLASH、DDR存储器以及被测FPGA;测试板负责完成被测FPGA的配置,同时完成被测FPGA结温和工作电流的监测,最终得到被测FPGA指定结温条件下闩锁阈值。本发明专利技术通过将被测FPGA配置成移位寄存器链功能进行自加热,充分利用被测FPGA内部集成的温度监测器持续监测被测FPGA结温,达到指定结温条件后,控制处理FPGA实时监测被测FPGA工作电流,最终获得被测FPGA指定结温条件下的闩锁阈值。下的闩锁阈值。下的闩锁阈值。

【技术实现步骤摘要】
一种基于内置温度监测器的FPGA单粒子闩锁效应测试系统及方法


[0001]本专利技术涉及一种FPGA单粒子效应测试系统及方法,特别是一种基于内置温度监测器的FPGA单粒子闩锁效应测试系统及方法,属于FPGA测试及辐照试验领域。

技术介绍

[0002]SRAM型FPGA器件具有灵活性高、成本低、周期短等优点,广泛应用于国内外航天工程中。SRAM型FPGA在空间领域的应用除了要求其具有很高的可靠性以外,抗辐射是必须重点考虑的问题。因此,FPGA在空间系统应用之前,务必要进行充分的辐照试验评估。单粒子闩锁辐照试验为评估FPGA抗单粒子闩锁效应指标的基本方法。
[0003]现有的专利主要有:(1)一种多通道SRAM单粒子测试方法及装置,申请号:2014107300740,公布号:CN104505125A;(2)FPGA单粒子闩锁监测方法及装置,申请号:2012103982205,公布号:CN103777135A。上述专利中在开展单粒子闩锁试验时,均未将被测电路结温加热至指定温度,无法确定被测电路恶劣温度条件下的闩锁阈值,对被测电路闩锁阈值评估不够准确完善。
[0004]总之,现有专利尚未开展基于内置温度监测器的FPGA单粒子闩锁效应测试研究,而针对单粒子闩锁试验大多采用常温测试。

技术实现思路

[0005]本专利技术所要解决的技术问题是:克服现有技术的不足,提供了一种基于内置温度监测器的FPGA单粒子闩锁效应测试系统及方法,通过FPGA内置温度监测器实时读取被测FPGA结温;被测FPGA结温达到指定温度后,开始进行单粒子闩锁试验,过程控制模块控制被测FPGA电流采集模块实时读取被测FPGA工作电流数据,最终获得被测FPGA指定结温条件下的闩锁阈值。
[0006]本专利技术的技术方案:一种基于内置温度监测器的FPGA单粒子闩锁效应测试系统,包括:上位机和测试板;上位机放置于试验监控室,用于进行试验设置、试验过程控制和试验结果显示;测试板放置于辐照试验室;
[0007]所述测试板包括控制处理FPGA、配置FLASH、DDR存储器以及被测FPGA;所述控制处理FPGA分别与被测FPGA、DDR存储器、配置FLASH、通信接口相连;控制处理FPGA通过通信接口与上位机相连;DDR存储器用于存储用来配置被测FPGA的测试码流;配置FLASH用于存储配置控制处理FPGA的配置码流;被测FPGA置于辐照试验区;控制处理FPGA包括通信模块、过程控制模块、被测FPGA配置模块、被测FPGA温度监测模块、被测FPGA电流采集模块、DDR读写模块;
[0008]控制处理FPGA中的通信模块通过USB通信接口接收上位机发送的控制指令及被测FPGA配置码流,通过过程控制模块将控制指令发送给被测FPGA配置模块、DDR读写模块,并通过DDR读写模块将接收的被测FPGA配置码流存放在DDR存储器中;
[0009]单粒子闩锁试验前,过程控制模块控制被测FPGA配置模块通过DDR读写模块从DDR存储器中读取被测FPGA配置码流,并通过SMAP接口对被测FPGA进行配置;被测FPGA配置完成后,控制处理FPGA中的通信模块通过USB通信接口接收上位机发送的读取被测FPGA结温指令,过程控制模块将读取结温指令发送至被测FPGA温度监测模块,被测FPGA温度监测模块通过FPGA内置温度监测器的动态重构接口读取FPGA内置温度监测器的状态寄存器获取被测FPGA结温值,被测FPGA温度监测模块将获取的被测FPGA结温值通过过程控制模块发送给控制处理FPGA中的通信模块,控制处理FPGA中的通信模块通过USB通信接口将获取的结温值上传至上位机,上位机实时判断获取的被测FPGA结温值是否到达试验指定的结温条件;被测FPGA结温达到指定温度后,开始进行单粒子闩锁试验,过程控制模块控制被测FPGA电流采集模块实时读取被测FPGA工作电流数据,最终获得被测FPGA指定结温条件下的闩锁阈值。
[0010]将被测FPGA配置成移位寄存器链功能进行自加热,利用被测FPGA内部集成的温度监测器监测被测FPGA结温。
[0011]通信接口采用USB接口。
[0012]一种基于内置温度监测器的FPGA单粒子闩锁效应测试方法,步骤如下:
[0013](1)上位机与控制处理FPGA进行握手通信;握手成功后上位机向控制处理FPGA发送被测FPGA配置码流;控制处理FPGA通过DDR读写模块将被测FPGA配置码流存储到DDR存储器中;
[0014](2)上位机发送配置被测FPGA命令,过程控制模块控制被测FPGA配置模块通过DDR读写模块从DDR存储器中读取被测FPGA配置码流,并通过SMAP接口对被测FPGA进行配置;
[0015](3)配置完成后,上位机发送采集被测FPGA结温命令,被测FPGA温度监测模块通过FPGA内置温度监测器的动态重构接口读取FPGA内置温度监测器的状态寄存器获取被测FPGA结温值,控制处理FPGA中的通信模块通过USB通信接口将获取的结温值上传至上位机;
[0016](4)循环进行步骤(3),直到上位机获取到试验指定的FPGA结温值;
[0017](5)开启辐照源,上位机发送采集被测FPGA电流命令,过程控制模块控制被测FPGA电流采集模块采集被测FPGA实时工作电流;
[0018](6)根据工作电流确定被测FPGA器件是否发生单粒子闩锁效应,从而确定被测FPGA器件闩锁阈值。
[0019]本专利技术与现有技术相比具有的优点是:
[0020](1)现有技术通常使用外部监测装置只能获取器件环境温度,不能准确获取器件结温,本专利技术中利用FPGA内置温度监测模块开展单粒子闩锁效应的测试,解决了FPGA结温不易获取的难题。
[0021](2)现有技术通常使用外部加热装置(如探头等)来进行被测器件加热,本专利技术中将被测FPGA配置成移位寄存器链功能进行自加热,适用于各种不同封装形式的器件,同时无需使用额外的加热装置,更便于在试验现场实施。
[0022](3)现有技术只能在常温或者指定环境温度下开展单粒子闩锁试验,无法在指定结温条件下开展相应试验,本专利技术中可实现将FPGA结温加热至指定温度后开展单粒子闩锁效应测试,解决了恶劣温度条件下的单粒子闩锁效应测试,增强了测试数据的可靠性。
附图说明
[0023]图1为本专利技术测试系统总体结构框架图;
具体实施方式
[0024]如图1所示,本专利技术的一种基于内置监视器的FPGA单粒子闩锁效应测试系统,包括上位机和测试板;上位机放置于试验监控室,用于进行试验设置、试验过程控制和试验结果显示;测试板放置于辐照试验室;测试板包括控制处理FPGA、配置FLASH、DDR存储器以及被测FPGA;所述控制处理FPGA分别与被测FPGA、DDR存储器、配置FLASH、通信接口相连;控制处理FPGA通过通信接口与上位机相连;DDR存储器用于存储用来配置被测FPGA的测试码流;配置FLASH用于存储配置控制处理FP本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于内置温度监测器的FPGA单粒子闩锁效应测试系统,其特征在于包括:上位机和测试板;上位机放置于试验监控室,用于进行试验设置、试验过程控制和试验结果显示;测试板放置于辐照试验室;所述测试板包括控制处理FPGA、配置FLASH、DDR存储器以及被测FPGA;所述控制处理FPGA分别与被测FPGA、DDR存储器、配置FLASH、通信接口相连;控制处理FPGA通过通信接口与上位机相连;DDR存储器用于存储用来配置被测FPGA的测试码流;配置FLASH用于存储配置控制处理FPGA的配置码流;被测FPGA置于辐照试验区;控制处理FPGA包括通信模块、过程控制模块、被测FPGA配置模块、被测FPGA温度监测模块、被测FPGA电流采集模块、DDR读写模块;控制处理FPGA中的通信模块通过USB通信接口接收上位机发送的控制指令及被测FPGA配置码流,通过过程控制模块将控制指令发送给被测FPGA配置模块、DDR读写模块,并通过DDR读写模块将接收的被测FPGA配置码流存放在DDR存储器中;单粒子闩锁试验前,过程控制模块控制被测FPGA配置模块通过DDR读写模块从DDR存储器中读取被测FPGA配置码流,并通过SMAP接口对被测FPGA进行配置;被测FPGA配置完成后,控制处理FPGA中的通信模块通过USB通信接口接收上位机发送的读取被测FPGA结温指令,过程控制模块将读取结温指令发送至被测FPGA温度监测模块,被测FPGA温度监测模块通过FPGA内置温度监测器的动态重构接口读取FPGA内置温度监测器的状态寄存器获取被测FPGA结温值,被测FPGA温度监测模块将获取的被测FPGA结温值通过过程控制模块发送给控制处理FPGA中的通信模块,控制处理FPGA中的通信模块通过USB通信接口将获取的结温值上传至上位机,上位机实时判断获取的被...

【专利技术属性】
技术研发人员:朱志强李学武陈雷刘怀锋杨泽宇刘映光
申请(专利权)人:北京微电子技术研究所
类型:发明
国别省市:

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