本申请公开了一种OLED背板结构、制作方法及显示装置。本申请通过在发光区设置有机平坦层以提升OLED背板结构的耐弯折特性，从而增强OLED背板结构的发光效果，且TFT走线层中的各无机膜层的应力可通过有机平坦层进行释放，以延长TFT的使用寿命。另外，在顶部发光的OLED背板结构中，因其发光区下方的有机平坦层下方无TFT走线层及各无机膜层，使得平坦效果更好。而在底部发光的OLED背板结构中，因发光区减少了无机层，使得发光效率得到提升。使得发光效率得到提升。使得发光效率得到提升。
【技术实现步骤摘要】
OLED背板结构、制作方法及显示装置
[0001]本申请属于显示
，尤其涉及一种OLED背板结构、制作方法及显示装置。
技术介绍
[0002]有机发光器件(Organic Light Emitting Diode，简称OLED)相对于液晶显示器(LCD)，具有自发光、反应快、视角广、亮度高、色彩艳、轻薄等优点，被认为是下一代显示技术。
[0003]柔性OLED显示装置可以弯曲、可以折叠以及显示图像，被人们广泛关注。柔性OLED显示装置可以通过使用柔性基底来保持其弯曲的形状，但是一般的柔性OLED背板因其工艺需求引入了多层无机层，该无机层在多次弯折后容易发生裂纹或其他机械缺陷,影响显示效果。
[0004]有鉴于此，亟需提供一种新的OLED发光器件用以解决上述技术问题。
技术实现思路
[0005]本申请实施例提供一种OLED背板结构、制作方法及显示装置，用以解决目前OLED背板在弯折时因无机层存在而使得多次弯折后发生裂纹等机械缺陷的问题。
[0006]根据本申请的一方面，在本申请的一实施例中，本申请提供一种OLED背板结构包括：一发光区和一非发光区；一基板；一凹槽，设置于所述基板上，所述凹槽与所述发光区相对应设置；一TFT走线层，设置于所述基板上，所述TFT走线层与所述非发光区相对应设置，所述TFT走线层与所述凹槽间隔设置；一有机平坦层，所述有机平坦层设置于所述凹槽中，并且覆盖在所述TFT走线层上；以及一发光电极层，设置于所述有机平坦层上。
[0007]进一步地，所述发光电极层包括：阳极层和阴极层的其中至少一层。
[0008]进一步地，所述TFT走线层包括：一遮光层，设置于所述基板上；以及一缓冲层，设置于所述遮光层上。
[0009]进一步地，所述TFT走线层还包括：一源漏电极层，设置于所述缓冲层上；一绝缘层，覆盖于所述源漏电极层上；以及一钝化层，覆盖于所述绝缘层上；在所述钝化层上设置有所述有机平坦层，所述发光电极层通过一通孔与所述源漏电极层连接。
[0010]根据本申请的另一方面，本申请提供一种OLED背板结构的制作方法，所述OLED背板结构包括一发光区和一非发光区，包括以下步骤：提供一基板；在所述基板上制作一TFT走线层；在与发光区相对应的区域进行图案化，以形成一凹槽，所述凹槽与所述发光区相对应设置，所述TFT走线层与所述凹槽间隔设置；在界定出的非发光区所对应的区域进行图案化，以形成源漏电极层；在所述源漏电极层上沉积一钝化层；在所述钝化层及所述凹槽中沉积一有机平坦层；以及在所述有机平坦层上形成发光电极层，所述发光电极层与所述源漏电极层连接。
[0011]进一步地，所述发光电极层包括：阳极层和阴极层的其中至少一层。
[0012]进一步地，在所述基板上制作一TFT走线层的步骤中，进一步包括步骤：在所述基
板上形成一遮光层；以及在所述遮光层上形成一缓冲层。
[0013]进一步地，在所述遮光层上形成缓冲层的步骤之后，还包括步骤：在所述缓冲层上形成一有源层；在所述有源层上形成一栅极绝缘层；以及在所述栅极绝缘层上形成一栅极层。
[0014]进一步地，在所述有机平坦层上形成发光电极层的步骤之后，还包括步骤：在所述发光电极层上形成一像素定义层。
[0015]根据本申请的又一方面，在本申请的一实施例中，本申请提供了一种显示装置，包括上述OLED背板结构。
[0016]本申请的优点在于，相较于现有技术，本申请通过在发光区设置有机平坦层以提升OLED背板结构的耐弯折特性，从而增强OLED背板结构的发光效果，且TFT走线层中的各无机膜层的应力可通过有机平坦层进行释放，以延长TFT的使用寿命。另外，在顶部发光的OLED背板结构中，因其发光区下方的有机平坦层下方无TFT走线层及各无机膜层，使得平坦效果更好。而在底部发光的OLED背板结构中，因发光区减少了无机层，使得发光效率得到提升。
附图说明
[0017]下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其有益效果显而易见。
[0018]图1为本申请一实施例中提供的一种OLED背板结构的结构示意图。
[0019]图2为本申请一实施例中提供的一种OLED背板结构的制作方法步骤流程图。
[0020]图3为本申请所述实施例中提供的步骤S120的子步骤流程图。
[0021]图4为本申请所述实施例中提供的步骤S112的工艺流程图。
[0022]图5为本申请所述实施例中提供的步骤S113的工艺流程图。
[0023]图6为本申请所述实施例中提供的步骤S114的工艺流程图。
[0024]图7为本申请所述实施例中提供的步骤S115的工艺流程图。
[0025]图8为本申请所述实施例中提供的步骤S121的工艺流程图。
[0026]图9为本申请所述实施例中提供的步骤S122的工艺流程图。
[0027]图10为本申请所述实施例中提供的步骤S123的工艺流程图。
[0028]图11为本申请所述实施例中提供的步骤S124和步骤S125的工艺流程图。
[0029]图12为本申请所述实施例中提供的步骤S130的工艺流程图。
[0030]图13为本申请所述实施例中提供的步骤S140的工艺流程图。
[0031]图14为本申请所述实施例中提供的步骤S150的工艺流程图。
[0032]图15为本申请所述实施例中提供的步骤S160的工艺流程图。
[0033]图16为本申请所述实施例中提供的步骤S170的工艺流程图。
[0034]图17为本申请所述实施例中提供的步骤S170的工艺流程图。
[0035]图18为本申请所述实施例中提供的步骤S180的工艺流程图。
[0036]图19本申请一实施例中提供的一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
[0037]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0038]在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
[0039]此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量，由此限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征，本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种OLED背板结构，其特征在于，包括：一发光区和一非发光区；一基板；一凹槽，设置于所述基板上，所述凹槽与所述发光区相对应设置；一TFT走线层，设置于所述基板上，所述TFT走线层与所述非发光区相对应设置，所述TFT走线层与所述凹槽间隔设置；一有机平坦层，所述有机平坦层设置于所述凹槽中，并且覆盖在所述TFT走线层上；以及一发光电极层，设置于所述有机平坦层上。2.根据权利要求1所述的OLED背板结构，其特征在于，所述发光电极层包括：阳极层和阴极层的其中至少一层。3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述TFT走线层包括：一遮光层，设置于所述基板上；以及一缓冲层，设置于所述遮光层上。4.根据权利要求3所述的OLED背板结构，其特征在于，所述TFT走线层还包括：一源漏电极层，设置于所述缓冲层上；一绝缘层，覆盖于所述缓冲层上；以及一钝化层，覆盖于所述绝缘层上；在所述钝化层上设置有所述有机平坦层，所述发光电极层通过一通孔与所述源漏电极层连接。5.一种OLED背板结构的制作方法，所述OLED背板结构包括一发光区和一非发光区，其特征在于，包括以下步骤：提供一基板；在所述基板上制作一TFT走线层；在与发光区相对应的区域进行图案化，以...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈小童，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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