一种LED芯片阵列膜的制作工艺制造技术

技术编号:27838784 阅读:23 留言:0更新日期:2021-03-30 12:15
本发明专利技术公开了一种LED芯片阵列膜的制作工艺,涉及LED技术领域,包括如下具体步骤:在水平放置的临时过渡用的柔性膜顶面上,将若干LED芯片按预先设计的排布规则排成阵列形式;在芯片阵列的四周制作一个将芯片阵列围绕在内的胶体框架;向胶体框架内注入液体胶状物,静置一段时间直至液体胶状物自然流平,然后对液体胶状物进行固化,使之形成平整的胶状薄膜;将带有芯片阵列的胶状薄膜与柔性膜分离并取走,得到所需的芯片阵列膜。本发明专利技术工艺简单,极大降低成本的同时,相较于传统的压膜工艺,避免了气泡现象的发生,有效提高良品率。有效提高良品率。

【技术实现步骤摘要】
一种LED芯片阵列膜的制作工艺


[0001]本专利技术涉及LED
,尤其涉及一种LED芯片阵列膜的制作工艺。

技术介绍

[0002]目前的Mini LED技术进展迅速,各家都在开发Mini LED固晶技术,目前广泛使用的技术主要是采用芯片固晶形成阵列,之后再进行模压成形制作保护膜,以形成所需的芯片阵列膜。
[0003]常规的芯片阵列膜制作工艺主要依靠注胶压膜工序,该工序需要制作高精度的模具以保证胶膜厚度均匀,这种方式存在的问题在于:模具造价高,一旦损坏的话损失极大;另外,这种制作方式将会使已经固晶完成的芯片承受很大的压力,容易导致芯片出现断裂等失效,后续难以进行修复;此外利用模具进行压膜工序时,得到的芯片阵列膜中易产生气泡,很难消除,影响显示模组的发光均匀性及效率。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于克服上述技术的不足,提供一种LED芯片阵列膜的制作工艺,工艺简单,极大降低成本的同时,避免了气泡现象的发生,有效提高良品率。
[0005]为实现上述专利技术目的,本专利技术采用的技术方案为:
[0006]一种LED芯片阵列膜的制作工艺,其特征在于,包括如下具体步骤:
[0007]步骤1、在水平放置的临时过渡用的柔性膜顶面上,将若干LED芯片按预先设计的排布规则排成阵列形式,其中,与LED芯片相接触的柔性膜顶面具有一定粘性,以使得LED芯片沾附在柔性膜该面,从而形成完整的芯片阵列;
[0008]步骤2、在芯片阵列的四周制作一个将芯片阵列围绕在内的胶体框架,胶体框架的厚度控制在0.05

1mm;
[0009]步骤3、向胶体框架内注入液体胶状物,静置一段时间直至液体胶状物自然流平,然后对液体胶状物进行固化,使之形成平整的胶状薄膜,此时,芯片阵列嵌入到胶状薄膜的底面上;
[0010]步骤4、将带有芯片阵列的胶状薄膜与柔性膜分离,取走带有芯片阵列的胶状薄膜,即得到所需的芯片阵列膜。
[0011]本专利技术的进一步改进在于,步骤1中的所述柔性膜为PET或PI膜。
[0012]本专利技术的进一步改进在于,步骤1中在LED芯片进行排列之前,先将柔性膜通过硬质框架压覆在操作平台上,以使柔性膜在后续操作过程中保持平稳。
[0013]本专利技术的进一步改进在于,步骤2中的所述胶体框架的制作过程包括:在芯片阵列的四周通过印刷、涂敷或喷涂工艺制得仍带有流动性质的胶体框架;再利用紫外光照射或加热方式使胶体框架固化成型。
[0014]本专利技术的进一步改进在于,步骤3中的所述液体胶状物为固化后呈透明状的材料,包括硅胶、环氧树脂、聚酰亚胺或聚二甲基硅氧烷。
[0015]本专利技术的进一步改进在于,步骤3中的所述液体胶状物的粘度为0.1PaS到50PaS。
[0016]本专利技术的进一步改进在于,步骤3中对液体胶状物的固化方式为UV光照射或加热方式。
[0017]本专利技术的有益效果为:
[0018](1)本专利技术通过胶体框架限位以及液体胶状物自流平固化两者相结合的方式,避免了常规压膜工艺对芯片的压伤,提高芯片制程良率。
[0019](2)本专利技术以低成本的方式制备平整的胶状薄膜,无需复杂的机械加工模具,工艺简单,极大降低成本。
[0020](3)本专利技术可以实现单色芯片或多种芯片的排列,制成规则阵列后进行巨量转移到电路板上,简化工艺。
[0021](4)本专利技术的方法同样可以用于制作芯片级封装等工艺,可以极大简化制作工序和降低成本。
具体实施方式
[0022]下为进一步了解本专利技术的内容,下面结合实施例对本专利技术作进一步的描述。
[0023]一种LED芯片阵列膜的制作工艺,其特征在于,包括如下具体步骤:
[0024]步骤1、先将材质为PET或PI膜的柔性膜通过硬质框架压覆在操作平台上,以使柔性膜在后续操作过程中保持平稳;
[0025]然后在水平放置的临时过渡用的柔性膜顶面上,将若干LED芯片按预先设计的排布规则排成阵列形式,其中,与LED芯片相接触的柔性膜顶面具有一定粘性,以使得LED芯片沾附在柔性膜该面,从而形成完整的芯片阵列;
[0026]步骤2、在芯片阵列的四周制作一个将芯片阵列围绕在内的胶体框架,胶体框架的厚度控制在0.05

1mm;
[0027]胶体框架的制作过程包括:在芯片阵列的四周通过印刷、涂敷或喷涂工艺制得仍带有流动性质的胶体框架;再利用紫外光照射或加热方式使胶体框架固化成型。
[0028]步骤3、向胶体框架内注入液体胶状物,液体胶状物为固化后呈透明状的材料,包括硅胶、环氧树脂、聚酰亚胺或聚二甲基硅氧烷,其粘度为0.1PaS到50PaS,静置一段时间直至液体胶状物自然流平,然后对液体胶状物进行固化,固化方式为UV光照射或加热方式,使之形成平整的胶状薄膜,此时,芯片阵列嵌入到胶状薄膜的底面上;
[0029]步骤4、将带有芯片阵列的胶状薄膜与柔性膜分离,取走带有芯片阵列的胶状薄膜,即得到所需的芯片阵列膜。
[0030]所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本专利技术保护的范围。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种LED芯片阵列膜的制作工艺,其特征在于,包括如下具体步骤:步骤1、在水平放置的临时过渡用的柔性膜顶面上,将若干LED芯片按预先设计的排布规则排成阵列形式,其中,与LED芯片相接触的柔性膜顶面具有一定粘性,以使得LED芯片沾附在柔性膜该面,从而形成完整的芯片阵列;步骤2、在芯片阵列的四周制作一个将芯片阵列围绕在内的胶体框架,胶体框架的厚度控制在0.05

1mm;步骤3、向胶体框架内注入液体胶状物,静置一段时间直至液体胶状物自然流平,然后对液体胶状物进行固化,使之形成平整的胶状薄膜,此时,芯片阵列嵌入到胶状薄膜的底面上;步骤4、将带有芯片阵列的胶状薄膜与柔性膜分离,取走带有芯片阵列的胶状薄膜,即得到所需的芯片阵列膜。2.根据权利要求1所述的一种LED芯片阵列膜的制作工艺,其特征在于,步骤1中的所述柔性膜为PET或PI膜。3.根据权利要求1所述的一种L...

【专利技术属性】
技术研发人员:李志聪王国宏戴俊王恩平
申请(专利权)人:扬州中科半导体照明有限公司
类型:发明
国别省市:

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