SiC半导体装置制造方法及图纸

一种SiC半导体装置，其包含SiC半导体层，上述SiC半导体层包含由六方晶构成的SiC单晶，并且上述SiC半导体层具有面向上述SiC单晶的c面且相对于上述c面具有倾斜的偏角的作为设备面的第一主面、上述第一主面的相反侧的第二主面、以及面向上述SiC单晶的a面且在将上述第一主面的法线设为0

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】SiC半导体装置


[0001]本专利技术涉及SiC半导体装置。

技术介绍

[0002]近年来，称为隐形切割(Stealth Dicing)法的SiC半导体晶圆的加工方法受到关注。隐形切割法中，对SiC半导体晶圆选择性照射激光后，沿经激光照射的部分而将SiC半导体晶圆切断。根据该方法，不使用切割刀片等切断构件即能够将具有较高硬度的SiC半导体晶圆切断，因而能够缩短制造时间。
[0003]专利文献公开了利用隐形切割法的SiC半导体装置的制造方法。专利文献1的制造方法中，从具有预定的偏角的SiC半导体晶圆切出多个SiC半导体层。SiC半导体层中面向SiC单晶的a面的2个侧面成为沿SiC单晶的c轴的倾斜面。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本特开2016
‑
207908号公报

技术实现思路

[0007]专利技术所要解决的课题
[0008]SiC半导体装置通过使用半导体组装装置而被安装于引脚框架、安装基板等连接对象物。半导体组装装置中的SiC半导体装置的移送工序例如是利用吸附并保持SiC半导体层的主面的拾取吸嘴来进行的。在专利文献1的SiC半导体装置的情况下，可能会由于SiC半导体层的倾斜面而阻碍拾取吸嘴的吸附，发生拾取错误。
[0009]本专利技术的一个实施方式提供能够抑制半导体组装装置中的拾取错误的SiC半导体装置。
[0010]用于解决课题的方法
[0011]本专利技术的一个实施方式提供一种包含SiC半导体层的SiC半导体装置，上述SiC半导体层包含由六方晶构成的SiC单晶，并且上述SiC半导体层具有：面向上述SiC单晶的c面、且具有相对于上述c面倾斜的偏角的作为设备面的第一主面；上述第一主面的相反侧的第二主面；以及面向上述SiC单晶的a面、且在将上述第一主面的法线设为0
°
时相对于上述法线具有小于上述偏角的角度的侧面。
[0012]根据上述SiC半导体装置，能够抑制半导体组装装置中的拾取错误。
[0013]本专利技术的一个实施方式提供一种包含SiC半导体层的SiC半导体装置，上述SiC半导体层包含由六方晶构成的SiC单晶，并且上述SiC半导体层具有：面向上述SiC单晶的c面、且具有相对于上述c面倾斜的偏角的作为设备面的第一主面；上述第一主面的相反侧的第二主面；以及面向上述SiC单晶的a面、且具有从上述第一主面的法线朝向与上述SiC单晶的c轴相反侧的方向倾斜的倾斜部的侧面。
[0014]根据上述SiC半导体装置，在SiC半导体层的侧面，由于朝向与c轴相反侧的方向倾
斜的倾斜部而能够削减沿c轴延伸的倾斜面的形成区域。由此，能够抑制半导体组装装置中的拾取错误。
[0015]本专利技术中的上述或进一步的其他目的、特征以及效果可通过参照附图而在下文中描述的实施方式的说明来明确。
附图说明
[0016][图1]图1是示出本专利技术的实施方式中所应用的4H
‑
SiC单晶的晶胞的图。
[0017][图2]图2是示出图1所示的晶胞的硅面的平面图。
[0018][图3]图3是从一个角度观察本专利技术的第一实施方式的SiC半导体装置的立体图，且是示出改质线的第1形态例的立体图。
[0019][图4]图4是从另一角度观察图3所示的SiC半导体装置的立体图。
[0020][图5]图5是图3所示的区域V的放大图。
[0021][图6]图6是图3所示的区域VI的放大图。
[0022][图7]图7是图3所示的SiC半导体装置的平面图。
[0023][图8]图8是沿图7所示的VIII
‑
VIII线的截面图。
[0024][图9]图9是示出图3所示的SiC半导体装置的制造中所使用的SiC半导体晶圆的立体图。
[0025][图10A]图10A是示出图3所示的SiC半导体装置的制造方法的一例的截面图。
[0026][图10B]图10B是示出图10A之后的工序的图。
[0027][图10C]图10C是示出图10B之后的工序的图。
[0028][图10D]图10D是示出图10C之后的工序的图。
[0029][图10E]图10E是示出图10D之后的工序的图。
[0030][图10F]图10F是示出图10E之后的工序的图。
[0031][图10G]图10G是示出图10F之后的工序的图。
[0032][图10H]图10H是示出图10G之后的工序的图。
[0033][图10I]图10I是示出图10H之后的工序的图。
[0034][图10J]图10J是示出图10I之后的工序的图。
[0035][图10K]图10K是示出图10J之后的工序的图。
[0036][图10L]图10L是示出图10K之后的工序的图。
[0037][图10M]图10M是示出图10L之后的工序的图。
[0038][图11]图11是透过密封树脂而示出安装了图3所示的SiC半导体装置的半导体封装的立体图。
[0039][图12]图12是示出图3所示的SiC半导体装置的移送状态的立体图。
[0040][图13]图13是用于说明参考例的SiC半导体装置的结构的图。
[0041][图14A]图14A是示出图3所示的SiC半导体装置的立体图，且是示出改质线的第2形态例的立体图。
[0042][图14B]图14B是示出图3所示的SiC半导体装置的立体图，且是示出改质线的第3形态例的立体图。
[0043][图14C]图14C是示出图3所示的SiC半导体装置的立体图，且是示出改质线的第4
形态例的立体图。
[0044][图14D]图14D是示出图3所示的SiC半导体装置的立体图，且是示出改质线的第5形态例的立体图。
[0045][图14E]图14E是从一个角度观察图3所示的SiC半导体装置的立体图，且是示出改质线的第6形态例的立体图。
[0046][图14F]图14F是从另一角度观察图14E所示的SiC半导体装置的立体图。
[0047][图14G]图14G是示出图3所示的SiC半导体装置的立体图，且是示出改质线的第7形态例的立体图。
[0048][图14H]图14H是示出图3所示的SiC半导体装置的立体图，且是示出改质线的第8形态例的立体图。
[0049][图14I]图14I是示出图3所示的SiC半导体装置的立体图，且是示出改质线的第9形态例的立体图。
[0050][图14J]图14J是示出图3所示的SiC半导体装置的立体图，且是示出改质线的第10形态例的立体图。
[0051][图14K]图14K是示出图3所示的SiC半导体装置的立体图，且是示出改质线的第11形态例的立体图。
[0052][图14L]图14L是示出图3所示的SiC半导体装置的立体图本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种SiC半导体装置，其包含SiC半导体层，所述SiC半导体层包含由六方晶构成的SiC单晶，且所述SiC半导体层具有面向所述SiC单晶的c面且相对于所述c面具有倾斜的偏角的作为设备面的第一主面、所述第一主面的相反侧的第二主面、以及面向所述SiC单晶的a面且在将所述第一主面的法线设为0
°
时相对于所述法线具有小于所述偏角的角度的侧面。2.一种SiC半导体装置，其包含SiC半导体层，所述SiC半导体层包含由六方晶构成的SiC单晶，且所述SiC半导体层具有面向所述SiC单晶的c面且相对于所述c面具有倾斜的偏角的作为设备面的第一主面、所述第一主面的相反侧的第二主面、以及面向所述SiC单晶的a面且具有从所述第一主面的法线朝向与所述SiC单晶的c轴相反侧的方向倾斜的倾斜部的侧面。3.根据权利要求1或2所述的SiC半导体装置，所述SiC半导体层的所述侧面由解理面构成。4.根据权利要求1～3中任一项所述的SiC半导体装置，所述SiC半导体层的所述第二主面由研磨面构成。5.根据权利要求1～4中任一项所述的SiC半导体装置，所述SiC半导体层具有40μm以上200μm以下的厚度。6.根据权利要求1～5中任一项所述的SiC半导体装置，进一步包含多层的改质层，多层的所述改质层在所述第一主面的法线方向上留有间隔地形成于所述SiC半导体层的所述侧面，且被改质为与所述SiC单晶不同的性质。7.根据权利要求6所述的SiC半导体装置，多层的所述改质层分别以沿所述SiC单晶的m轴方向延伸的带状形成。8.根据权利要求6或7所述的SiC半导体装置，多层的所述改质层在截面图中在所述SiC单晶的a轴方向上彼此偏离。9.根据权利要求8所述的SiC半导体装置，在所述SiC单晶的a轴方向上...

【专利技术属性】
技术研发人员：中野佑纪，上野真弥，春山沙和，川上泰宏，中泽成哉，久津间保德，
申请(专利权)人：罗姆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：