一种用于检测IGBT饱和压降的全桥驱动电路制造技术

一种用于检测IGBT饱和压降的全桥驱动电路，包括IGBT驱动电路和驱动变压器电路，还包括上下桥臂驱动电路、IGBT1 CE检测电路和IGBT2 CE检测电路，所述IGBT驱动电路依次与驱动变压器电路、上下桥臂驱动电路电连接，上下桥臂驱动电路分别与IGBT1 CE检测电路和IGBT2 CE检测电路电连接。还包括IGBT1，所述上下桥臂驱动电路分别与IGBT1的栅极、发射极电连接，IGBT1 CE检测电路与IGBT1的集电极电连接。所述上下桥臂驱动电路分别与IGBT2的栅极、发射极电连接，IGBT2 CE检测电路与IGBT2的集电极电连接。本实用新型专利技术具有控制灵敏的特点。本实用新型专利技术具有控制灵敏的特点。本实用新型专利技术具有控制灵敏的特点。

【技术实现步骤摘要】
一种用于检测IGBT饱和压降的全桥驱动电路


[0001]本技术涉及一种用于检测IGBT饱和压降的全桥驱动电路。

技术介绍

[0002]现在全桥变压器正负电源驱动电路用开关变压器驱动不能检测IGBT饱和压降，存在不足之处，需要改进。

技术实现思路

[0003]本技术的目的旨在提供一种结构简单合理、控制灵敏的用于检测IGBT饱和压降的全桥驱动电路，以克服现有技术中的不足之处。
[0004]按此目的设计的一种用于检测IGBT饱和压降的全桥驱动电路，包括IGBT驱动电路和驱动变压器电路，其特征是还包括上下桥臂驱动电路、IGBT1CE检测电路和IGBT2CE检测电路，所述IGBT驱动电路依次与驱动变压器电路、上下桥臂驱动电路电连接，上下桥臂驱动电路分别与IGBT1CE检测电路和IGBT2CE检测电路电连接。
[0005]进一步，所述的用于检测IGBT饱和压降的全桥驱动电路，还包括IGBT1，所述上下桥臂驱动电路分别与IGBT1的栅极、发射极电连接，IGBT1CE检测电路与IGBT1的集电极电连接。
[0006]进一步，所述的用于检测IGBT饱和压降的全桥驱动电路，还包括IGBT2，所述上下桥臂驱动电路分别与IGBT2的栅极、发射极电连接，IGBT2CE检测电路与IGBT2的集电极电连接。
[0007]进一步，所述IGBT1的发射极与IGBT2的发射极电连接。
[0008]进一步，所述IGBT驱动电路中设置有PWM脉宽调制电路以及全桥驱动电路。
[0009]进一步，所述IGBT1CE检测电路包括与光电耦合器的第一脚电连接的稳压管，和与光电耦合器的第二脚电连接的二极管。
[0010]本技术中的IGBT驱动电路依次与驱动变压器电路、上下桥臂驱动电路电连接，上下桥臂驱动电路分别与IGBT1CE检测电路和IGBT2CE检测电路电连接；IGBT1CE检测电路包括与光电耦合器的第一脚电连接的稳压管，和与光电耦合器的第二脚电连接的二极管；正常工作时，IGBT1的饱和压降很低，光电耦合器的第二脚的电压很低，此时，光电耦合器不导通，通过MCU能够检测到光电耦合器的第三脚为高电平；如果IGBT1流过的电流很大，那么，IGBT1的饱和压降突然变高，二极管D3不导通，光电耦合器的第二脚的电压超过光电耦合器和稳压管的截止电压，光电耦合器导通，此时，MCU检测到低电压，于是关闭PWM以保护IGBT1。同理，保护IGBT2。
[0011]本技术中的IGBT1CE检测电路和IGBT2CE检测电路分别与IGBT1、IGBT2电连接，且与上下桥臂驱动电路电连接，能够实时监控检测IGBT1和IGBT2的饱和压降，以达到准确控制的目的。
[0012]本技术中的光耦元件可检测IGBT的饱和压降，如果检测到饱和压降高，
IGBT1CE检测电路和/或IGBT2CE检测电路会发送信号给IGBT驱动电路，IGBT驱动电路通过MCU控制关闭PWM脉宽调制电路，保护IGBT和/或IGBT2，提高本技术的可靠性、安全性。
[0013]综上所述，本技术具有结构简单合理、控制灵敏的特点。
附图说明
[0014]图1为本技术一实施例的电路连接框图。
[0015]图2为本技术的电路连接示意图。
[0016]图中：31为IGBT驱动电路，32为驱动电压器电路，33为上下桥臂驱动电路，34为IGBT1CE检测电路，35为IGBT2CE检测电路，36为IGBT1,37位IGBT2。
具体实施方式
[0017]下面结合附图及实施例对本技术作进一步描述。
[0018]参见图1
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图2，本用于检测IGBT饱和压降的全桥驱动电路，包括IGBT驱动电路31和驱动变压器电路32，还包括上下桥臂驱动电路33、IGBT1CE检测电路34和IGBT2CE检测电路35，所述IGBT驱动电路31依次与驱动变压器电路32、上下桥臂驱动电路33电连接，上下桥臂驱动电路33分别与IGBT1CE检测电路34和IGBT2CE检测电路35电连接。
[0019]在本实施例中，所述的用于检测IGBT饱和压降的全桥驱动电路，还包括IGBT136，所述上下桥臂驱动电路33分别与IGBT136的栅极、发射极电连接，IGBT1CE检测电路34与IGBT136的集电极电连接。
[0020]所述的用于检测IGBT饱和压降的全桥驱动电路，还包括IGBT237，所述上下桥臂驱动电路33分别与IGBT237的栅极、发射极电连接，IGBT2CE检测电路35与IGBT237的集电极电连接。
[0021]所述IGBT136的发射极与IGBT237的发射极电连接。
[0022]所述IGBT驱动电路31中设置有PWM脉宽调制电路以及全桥驱动电路。
[0023]所述IGBT1CE检测电路34包括与光电耦合器的第一脚电连接的稳压管，和与光电耦合器的第二脚电连接的二极管。
[0024]图中的光电耦合器的K脚为第一脚，A脚为第二脚，C脚为第三脚，E脚为第四脚。
[0025]同理，IGBT2CE检测电路35也同样设置。
[0026]以上显示和描述了本技术的基本原理和主要特征和本技术的优点。本行业的技术人员应该了解，本技术不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本技术的原理，在不脱离本技术精神和范围的前提下，本技术还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本技术范围内。本技术要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于检测IGBT饱和压降的全桥驱动电路，包括IGBT驱动电路(31)和驱动变压器电路(32)，其特征是还包括上下桥臂驱动电路(33)、IGBT1 CE检测电路(34)和IGBT2 CE检测电路(35)，所述IGBT驱动电路(31)依次与驱动变压器电路(32)、上下桥臂驱动电路(33)电连接，上下桥臂驱动电路(33)分别与IGBT1 CE检测电路(34)和IGBT2 CE检测电路(35)电连接。2.根据权利要求1所述的用于检测IGBT饱和压降的全桥驱动电路，其特征是还包括IGBT1(36)，所述上下桥臂驱动电路(33)分别与IGBT1(36)的栅极、发射极电连接，IGBT1 CE检测电路(34)与IGBT1(36)的集电极电连接。3.根据权利要求2所述的用于检测IGBT饱...

【专利技术属性】
技术研发人员：谭嘉泳，
申请(专利权)人：中山市嘉德龙电器有限公司，
类型：新型
国别省市：