显示设备制造技术

本发明专利技术公开了显示设备。显示设备包括第一像素、第二像素、连接到第一像素的第一数据线以及连接到第二像素的第二数据线。第一像素和第二像素中的每个包括：晶体管，包括导电层、在导电层上的半导体层、在半导体层上的栅电极以及连接到半导体层的源/漏电极；电容器，包括与栅电极在同一层中的第一电容器电极和在第一电容器电极上的第二电容器电极；以及在晶体管和电容器上的发光器件。第一数据线与源/漏电极在同一层中，并且第二数据线与导电层和第二电容器电极中的一个在同一层中。电容器电极中的一个在同一层中。电容器电极中的一个在同一层中。

【技术实现步骤摘要】
显示设备


[0001]实施例涉及显示设备。更具体地，实施例涉及以高速驱动的显示设备。

技术介绍

[0002]随着与显示设备有关的技术的发展，显示设备已经变得尺寸更大，分辨率更高并且速度更快。因此，在这样的显示设备中，在预定时间段内，栅信号可以被施加到更大数量的栅线。因此，可以减少用于允许将数据信号输入到像素的时间。

技术实现思路

[0003]如上所述，在减少了允许将数据信号输入到像素的时间的显示设备中，可以增加数据线的数量以补偿输入到像素的数据信号的时间的减少。包含在显示设备中的导电层的数量可以增加，以在有限的空间中提供更多数据线。当导电层的数量增加时，用于形成导电层的掩模工艺的数量可能增加，并且因此显示设备的制造时间和制造成本可能增加。
[0004]实施例提供了以高速驱动并使用减少数量的掩模工艺制造的显示设备。
[0005]根据本专利技术的实施例，显示设备包括：第一像素；在预定方向上与第一像素相邻的第二像素；在预定方向上延伸并且连接到第一像素的第一数据线；以及在预定方向上延伸并且连接到第二像素的第二数据线。在这样的实施例中，第一像素和第二像素中的每个包括：晶体管，包括导电层、布置在导电层上的半导体层、布置在半导体层上的栅电极以及连接到半导体层的源电极和漏电极；电容器，包括与栅电极布置在同一层中的第一电容器电极和布置在第一电容器电极上的第二电容器电极；以及布置在晶体管和电容器上的发光器件。在这样的实施例中，第一数据线与源电极和漏电极布置在同一层中，并且第二数据线与导电层和第二电容器电极中的一个布置在同一层中。
[0006]在实施例中，第一数据线可以与第一像素的晶体管的源电极或漏电极一体地形成。
[0007]在实施例中，当在平面图中观察时，第一数据线和第二数据线可以彼此重叠。
[0008]在实施例中，显示设备可以进一步包括：布置在导电层与半导体层之间的缓冲层；布置在半导体层与栅电极之间的第一绝缘层；布置在第一电容器电极与第二电容器电极之间的第二绝缘层；以及布置在第二电容器电极与源电极和漏电极之间的第三绝缘层。
[0009]在实施例中，第二数据线可以与第二电容器电极布置在同一层中，并且第二数据线可以通过穿过第三绝缘层限定的接触孔连接到第二像素的晶体管的源电极或漏电极。
[0010]在实施例中，第二数据线可以与导电层布置在同一层中，并且第二数据线通过穿过缓冲层、第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层限定的接触孔连接到第二像素的晶体管的源电极或漏电极。
[0011]在实施例中，显示设备可以进一步包括在预定方向上延伸并且连接到第二像素的第三数据线。第二数据线可以与第二电容器电极布置在同一层中，并且第三数据线可以与导电层布置在同一层中。
[0012]在实施例中，当在平面图中观察时，第一数据线、第二数据线和第三数据线可以彼此重叠。
[0013]在实施例中，第二数据线可以通过穿过第三绝缘层限定的接触孔连接到第二像素的晶体管的源电极或漏电极，并且第三数据线可以通过穿过缓冲层、第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层限定的接触孔连接到第二像素的晶体管的源电极或漏电极。
[0014]在实施例中，第二数据线可以包括具有小于栅电极的电阻的电阻的材料。
[0015]在实施例中，显示设备可以进一步包括沿预定方向排列的多个像素行。在这样的实施例中，第一像素可以包含在多个像素行中的奇数像素行中，并且第二像素可以包含在多个像素行中的偶数像素行中。
[0016]在实施例中，半导体层可以包括从非晶硅、多晶硅和金属氧化物中选择的至少一种材料。
[0017]根据本专利技术的实施例，显示设备包括：第一像素；在预定方向上与第一像素相邻的第二像素；在预定方向上延伸并且连接到第一像素的第一数据线；以及在预定方向上延伸并且连接到第二像素的第二数据线。在这样的实施例中，第一像素和第二像素中的每个包括：晶体管，包括导电层、布置在导电层上的半导体层、布置在半导体层上的栅电极以及连接到半导体层的源电极和漏电极；以及布置在晶体管上的发光器件。在这样的实施例中，第一数据线与源电极和漏电极布置在同一层中，并且第二数据线与导电层布置在同一层中。
[0018]在实施例中，显示设备可以进一步包括：布置在导电层与半导体层之间的缓冲层；布置在半导体层与栅电极之间的第一绝缘层；以及布置在栅电极与源电极和漏电极之间的第二绝缘层。
[0019]在实施例中，第二数据线可以通过穿过缓冲层、第一绝缘层和第二绝缘层限定的接触孔连接到第二像素的晶体管的源电极或漏电极。
[0020]在实施例中，第一像素和第二像素中的每个可以进一步包括电容器，电容器包括与导电层布置在同一层中的第一电容器电极以及布置在第一电容器电极上的第二电容器电极。
[0021]在实施例中，第二电容器电极可以与栅电极布置在同一层中。
[0022]在实施例中，第二电容器电极可以与半导体层布置在同一层中。
[0023]根据本专利技术的实施例，显示设备包括：第一像素；在预定方向上与第一像素相邻的第二像素；在预定方向上延伸并且连接到第一像素的第一数据线；以及在预定方向上延伸并且连接到第二像素的第二数据线。在这样的实施例中，第一像素和第二像素中的每个包括：晶体管，包括半导体层、布置在半导体层上的栅电极以及连接到半导体层的源电极和漏电极；电容器，包括与栅电极布置在同一层中的第一电容器电极和布置在第一电容器电极上的第二电容器电极；以及布置在晶体管和电容器上的发光器件。在这样的实施例中，第一数据线与源电极和漏电极布置在同一层中，并且第二数据线与第二电容器电极布置在同一层中。
[0024]在实施例中，显示设备可以进一步包括：布置在半导体层与栅电极之间的第一绝缘层；布置在第一电容器电极与第二电容器电极之间的第二绝缘层；以及布置在第二电容器电极与源电极和漏电极之间的第三绝缘层。
[0025]在实施例中，第二数据线可以通过穿过第三绝缘层限定的接触孔连接到第二像素
的晶体管的源电极或漏电极。
[0026]在本专利技术的实施例中，显示设备可以包括分别连接到包含在彼此不同的像素行中的第一像素和第二像素的第一数据线和第二数据线，第一数据线可以与晶体管的源/漏电极布置在同一层中，并且第二数据线可以与电容器的第二电容器电极布置在同一层中。因此，可以以高速驱动显示设备，并且可以减少显示设备的制造工艺中的掩模工艺的数量。
附图说明
[0027]通过下面结合附图进行的具体描述，将更加清楚地理解说明性的、非限制性的实施例。
[0028]图1是图示根据本专利技术的实施例的显示设备的图。
[0029]图2是图示图1中所示的解复用器DM以及与其连接的像素PX1和PX2的图。
[0030]图3是图示图2中所示的第一像素PX1和第二像素PX2的一个示例的电路图。
[0031]图4是图示根据本专利技术的实施例的显示设备的平面图。
[0032]图5是图示沿图4的线I-I
’
截取的第一像素P本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示设备，包括：第一像素；在预定方向上与所述第一像素相邻的第二像素；在所述预定方向上延伸并且连接到所述第一像素的第一数据线；以及在所述预定方向上延伸并且连接到所述第二像素的第二数据线，其中所述第一像素和所述第二像素中的每个包括：晶体管，包括导电层、布置在所述导电层上的半导体层、布置在所述半导体层上的栅电极以及连接到所述半导体层的源电极和漏电极；电容器，包括与所述栅电极布置在同一层中的第一电容器电极和布置在所述第一电容器电极上的第二电容器电极；以及布置在所述晶体管和所述电容器上的发光器件，并且其中所述第一数据线与所述源电极和所述漏电极布置在同一层中，并且所述第二数据线与所述导电层和所述第二电容器电极中的一个布置在同一层中。2.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第一数据线与所述第一像素的所述晶体管的所述源电极或所述漏电极一体地形成。3.根据权利要求1所述的显示设备，其中，当在平面图中观察时，所述第一数据线和所述第二数据线彼此重叠。4.根据权利要求1所述的显示设备，进一步包括：布置在所述导电层与所述半导体层之间的缓冲层；布置在所述半导体层与所述栅电极之间的第一绝缘层；布置在所述第一电容器电极与所述第二电容器电极之间的第二绝缘层；以及布置在所述第二电容器电极与所述源电极和所述漏电极之间的第三绝缘层。5.根据权利要求4所述的显示设备，其中，所述第二数据线与所述第二电容器电极布置在同一层中，并且所述第二数据线通过穿过所述第三绝缘层限定的接触孔连接到所述第二像素的所述晶体管的所述源电极或所述漏电极。6.根据权利要求4所述的显示设备，其中，所述第二数据线与所述导电层布置在同一层中，并且所述第二数据线通过穿过所述缓冲层、所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述第三绝缘层限定的接触孔连接到所述第二像素的所述晶体管的所述源电极或所述漏电极。7.根据权利要求4所述的显示设备，进一步包括：在所述预定方向上延伸并且连接到所述第二像素的第三数据线，其中，所述第二数据线与所述第二电容器电极布置在同一层中，并且所述第三数据线与所述导电层布置在同一层中。8.根据权利要求7所述的显示设备，其中，当在平面图中观察时，所述第一数据线、所述第二数据线和所述第三数据线彼此重叠。9.根据权利要求7所述的显示设备，其中，所述第二数据线通过穿过所述第三绝缘层...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴晙晳，金明花，金兑相，金亨俊，文然建，朴根徹，孙尙佑，林俊亨，全景辰，崔惠临，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：