基板处理装置、半导体器件的制造方法、记录介质及程序制造方法及图纸

本发明专利技术对于在使基板公转的同时对其处理的装置提供能够均匀处理基板面内的基板处理装置，其具有：基板载置盘，其能够以圆周状配置多个基板；旋转部，其使基板载置盘旋转；气体供给构造，其处于基板载置盘的上方，且配置于从基板载置盘的中心到外周的范围；气体供给部，其包含气体供给构造，并控制从气体供给构造供给的气体供给量；气体排出构造，其处于基板载置盘的上方，且设于气体供给构造的旋转方向下游；气体排出部，其包含气体排出构造，并控制从气体排出构造排出的气体排出量；和气体主成分量控制部，其具备气体供给部和气体排出部，并控制针对基板的气体主成分量，气体主成分量控制部能够调节从中心到外周向基板供给的气体的主成分的量。的主成分的量。的主成分的量。

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置、半导体器件的制造方法、记录介质及程序


[0001]本专利技术涉及基板处理装置、半导体器件的制造方法、记录介质及程序。

技术介绍

[0002]以使生产量和处理质量同时提高为目的，具有一种在使基板公转的同时供给气体来进行所希望的基板处理的装置。作为这种装置，例如具有专利文献1记载的技术。
[0003]在处理基板时，优选均匀处理基板面内。然而，在使基板公转的装置的情况下，由于装置形式的制约，有时在装置的中心侧和外周侧对基板的气体供给的状况不同。在该情况下，难以均匀处理基板面内，因此会导致成品率下降。
[0004]专利文献1：日本特开2016-42561

技术实现思路

[0005]于是，本专利技术的目的为，对于在使基板公转的同时对其处理的装置，提供一种能够均匀处理基板面内的技术。
[0006]根据本专利技术的一个方案而提供一种构成，具有：基板载置盘，其能够以圆周状配置多个基板；旋转部，其使所述基板载置盘旋转；气体供给构造，其处于所述基板载置盘的上方，且配置于从所述基板载置盘的中心到外周的范围；气体供给部，其包含所述气体供给构造，并控制从所述气体供给构造供给的气体供给量；气体排出构造，其处于所述基板载置盘的上方，且设于所述气体供给构造的旋转方向下游；气体排出部，其包含所述气体排出构造，并控制从所述气体排出构造排出的气体排出量；和气体主成分量控制部，其具备所述气体供给部和所述气体排出部，并控制针对所述基板的气体主成分量，所述气体主成分量控制部能够调节从所述中心到所述外周向所述基板供给的气体的主成分的量。
[0007]专利技术效果
[0008]根据上述技术，能够对于在使基板公转的同时对其处理的装置提供一种能够均匀处理基板面内的技术。
附图说明
[0009]图1是说明第1实施方式的基板处理装置的说明图。
[0010]图2是说明第1实施方式的基板处理装置的说明图。
[0011]图3是说明第1实施方式的气体供给部的说明图。
[0012]图4是说明第1实施方式的气体供给构造和气体排出构造的说明图。
[0013]图5是说明第1实施方式的气体供给构造和气体排出构造的说明图。
[0014]图6是说明第1实施方式的基板处理装置的控制器的说明图。
[0015]图7是说明第1实施方式的基板处理流程的说明图。
[0016]图8是说明第1实施方式的基板处理流程的说明图。
[0017]图9是说明在第1实施方式中处理的基板的状态的说明图。
[0018]图10是说明第2实施方式的基板处理装置的说明图。
[0019]图11是说明第2实施方式的气体供给构造的说明图。
[0020]图12是说明第2实施方式的气体排出构造的说明图。
[0021]图13是说明第2实施方式的气体供给构造和气体排出构造的说明图。
[0022]图14是说明第3实施方式的气体供给构造的说明图。
[0023]图15是说明第3实施方式的气体供给构造的说明图。
[0024]图16是说明第3实施方式的气体供给构造与对基板的气体供给之间的关系的说明图。
[0025]附图标记说明
[0026]100
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基板
[0027]101
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支柱
[0028]102
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槽
[0029]200
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基板处理装置
[0030]240
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气体供给部
[0031]301
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处理室
[0032]302
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腔室
[0033]317
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基板载置盘
[0034]324
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旋转部
[0035]334
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气体排出部
[0036]410
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气体供给构造
[0037]420
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气体排出构造
具体实施方式
[0038](第1实施方式)
[0039]参照附图来说明第1实施方式。
[0040]主要使用图1、图2来说明本实施方式的基板处理装置的构成。图1是本实施方式的基板处理装置200的横剖视概要图。图2是本实施方式的基板处理装置200的纵剖视概要图，是图1所示的腔室的α-α
’
线剖视图。此外，α-α
’
线是从α通过腔室302的中心朝向α
’
的线。
[0041]对基板处理装置200的具体构成进行说明。基板处理装置200由后述的控制器400控制。
[0042]如图1及图2所示，基板处理装置200主要由作为圆筒状气密容器的腔室302构成。在腔室302内构成有处理基板100的处理室301。在腔室302上连接有闸阀305，经由闸阀305将基板100搬入搬出。
[0043]处理室301具有供给处理气体的处理区域306和供给吹扫气体的吹扫区域307。在此，处理区域306和吹扫区域307交替配置为圆周状。例如，按照第1处理区域306a、第1吹扫区域307a、第2处理区域306b及第2吹扫区域307b的顺序配置。如后所述，向第1处理区域306a内供给第1气体，向第2处理区域306b内供给第2气体，另外，向第1吹扫区域307a及第2吹扫区域307b供给非活性气体。由此，根据供给至各区域内的气体对基板100实施规定处理。此外，处理区域306a也称为第1域(domain)，处理区域306b也称为第2域，第1吹扫区域
307a、第2吹扫区域307b也称为吹扫域。
[0044]吹扫区域307是在空间上将第1处理区域306a和第2处理区域306b切分开的区域。吹扫区域307的顶部308构成为低于处理区域306的顶部309。在第1吹扫区域307a设有顶部308a，在第2吹扫区域307b设有顶部308b。通过降低各顶部来增加吹扫区域307的空间的压力。通过向该空间供给吹扫气体而划分出相邻的处理区域306。此外，吹扫气体也具有将基板100上的多余气体除去的作用。
[0045]在腔室302的中央设有在腔室302的中心具有旋转轴而旋转自由地构成的基板载置盘317。
[0046]基板载置盘317构成为在腔室302内能够将多张(例如6张)基板100配置于同一平面上、且沿着旋转方向配置于同一圆周上。在此所说的“同一平面”并不限于完全的同一平面，只要在从上表面观察基板载置盘317时多张基板100互不重叠地排列即可。
[0047]在基板载置盘317表面上的基板100的支承位置设有凹部318。与要处理的基板100的张数为相同数量的凹部318彼此以等间隔(例如60
°
的间隔)配置于从基板载置盘317的中心为同心圆状的位置。此外，在图1中，为了便于说明而省略了图示。
[0048]各凹部318例如从基板载置盘317的上本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板处理装置，其特征在于，具有：基板载置盘，其能够以圆周状配置多个基板；旋转部，其使所述基板载置盘旋转；气体供给构造，其处于所述基板载置盘的上方，且配置于从所述基板载置盘的中心到外周的范围；气体供给部，其包含所述气体供给构造，并控制从所述气体供给构造供给的气体供给量；气体排出构造，其处于所述基板载置盘的上方，且设于所述气体供给构造的旋转方向下游；气体排出部，其包含所述气体排出构造，并控制从所述气体排出构造排出的气体排出量；和气体主成分量控制部，其具备所述气体供给部和所述气体排出部，并控制针对所述基板的气体主成分量，所述气体主成分量控制部能够调节从所述中心到所述外周向所述基板供给的气体的主成分的量。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，在所述基板处于形成有在面内构成多个槽的支柱的状态的情况下，所述气体主成分量控制部使向所述基板中的、所述基板的中央区域供给的气体的暴露量大于向所述基板的侧方区域供给的气体的暴露量。3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，所述气体供给部从所述基板载置盘的中心部到外周部以固定的供给量供给气体，在所述基板的中央区域通过的部位，将所述气体供给构造与所述气体排出构造之间设为第1距离，在所述基板的侧方区域通过的部位，将所述气体供给构造与所述气体排出构造之间设为比所述第1距离短的第2距离。4.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，所述气体主成分量控制部使气体的供给量从所述基板载置盘的中心到外周增多。5.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，在所述气体供给构造中，从所述基板载置盘的中心到外周设有气体供给孔，所述气体供给孔相对于所述基板的表面倾斜。6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述气体供给部从所述基板载置盘的中心部到外周部以固定的供给量供给气体，在所述基板的中央区域通过的部位，将所述气体供给构造与所述气体排出构造之间设为第1距离，在所述基板的侧方区域通过的部位，将所述气体供给构造与所述气体排出构造之间设为比所述第1距离短的第2距离。7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，所述第1距离及所述第2距离根据形成于所述中央区域及所述侧方区域内的槽的表面积来设定。8.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，所述气体主成分量控制部使气体的供给量从所述基板载置盘的中心到外周增多。9.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，在所述气体供给构造中，从所述
基板载置盘的中心到外周设有气体供给孔，所述气体供给孔相对于所述基板的表面倾斜。10.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述气体主成分量控制部使气体的供给量从所述基板载置盘的中心到外周增多。11.根据权利要求10所述的基板处理装置，其特征在于，在所述气体供给构造中，从所述基板载置盘的中心到外周设有气体供给孔，所述气体供给孔相对于所述基板的表面倾斜。12.根据权利要求11所述的基板处理装置，其特征在于，设有多个所述气体供给孔，所述倾斜从所述基板载置盘的中心到外周逐渐趋向所述基板的表面。13.根据权利要求12所述的基板处理装置，其特征在于，设有多个所述气体供给孔，各所述气体供给孔从所述基板载置盘的中心到外周逐渐接近基板表面。14.根据权利要求11所述的基板处理装置，其特征在于，设有多个所述气体供给孔，各所述气体供给孔从所述基板载置盘的中心到外...

【专利技术属性】
技术研发人员：中川崇，广濑义朗，大桥直史，高崎唯史，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：