新型双向可控硅控制电路制造技术

本实用新型专利技术涉及新型双向可控硅控制电路，该电路包括单片机、与非门、光电耦合器、反向放大器、脉冲放大电路，所述的单片机、与非门、光电耦合器、脉冲放大电路依次连接。与现有技术相比，本实用新型专利技术的驱动波形由软件产生，节约了硬件的开销；产生的驱动波形稳定、精确、可靠；产生的系列脉冲群能对可控硅进行有效的驱动。（*该技术在2016年保护过期，可自由使用*）

Novel bidirectional thyristor control circuit

The utility model relates to a novel bidirectional thyristor control circuit, the circuit includes a microcontroller, NAND gate, photoelectric coupler, reverse amplifier, pulse amplification circuit, the SCM, NAND gate, photoelectric coupler, pulse amplification circuit are connected orderly. Compared with the prior art, the utility model of the driving waveform generated by software, saving the cost of hardware; the driving waveform is stable, accurate and reliable; the series pulse group to drive controllable silicon effectively.

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
新型双向可控硅控制电路，其特征在于，该电路包括单片机、与非门、光电耦合器、反向放大器、脉冲放大电路，所述的单片机、与非门、光电耦合器、脉冲放大电路依次连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘青松，冯俊，尚云辉，
申请(专利权)人：上海亿盟电气自动化技术有限公司，
类型：实用新型
国别省市：31[中国|上海]