一种由MOS管构成的差分实验电路制造技术

本发明专利技术的由MOS管构成的差分实验电路，包括第一信号输入端inA、第二信号输入端inB、场效应管Q1、场效应管Q2、场效应管Q3以及直流电源，场效应管Q1和Q2的漏极分别经电阻RD1和电阻RD2接于电源正极+V上，Q1的源极经第一电位器Rp与Q2的源极相连接；第一电位器Rp的活动触点与单刀双掷开关K的不动端相连接，单刀双掷开关K的一个动端经第二电位器R3p接于电源负极

【技术实现步骤摘要】
一种由MOS管构成的差分实验电路


[0001]本专利技术涉及一种差分实验电路，更具体的说，尤其涉及一种由MOS管构成的差分实验电路。

技术介绍

[0002]差分放大电路是模拟电子技术教学过程中一个重要的实验电路，经差分放大实验，有利于加深学生对差分放大电路原理、性能及特点的认识和理解，对模拟电路实验教学有很大的辅助作用。目前的差分放大通常由三极管构成，两输入信号分别接于两三极管的基极，两三极管的发射极经电位器相连接，然后经两三极管共用的发射极电阻接于电源负极上，以进行输入信号的差分放大处理，以进行差分信号放大处理，并抑制共模信号。进一步地，为了使两三极管发射极上的电阻趋于理想状态（为无穷大），增加了由三极管构成的恒流源，以进一步提高抑制工模信号的能力。
[0003]金属
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氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），是一种广泛应用于模拟电路和数字电路中的场效应晶体管，其利用栅极与源极之间的电压对漏极电流的控制来实现信号的放大，如果能利用MOSFET作为信号放大器件来构成差分实验电路，将更有利于学生对场效应晶体管原理和特性的理解和认识。

技术实现思路

[0004]本专利技术为了克服上述技术问题的缺点，提供了一种由MOS管构成的差分实验电路。
[0005]本专利技术的由MOS管构成的差分实验电路，包括第一信号输入端inA、第二信号输入端inB、场效应管Q1、场效应管Q2、场效应管Q3以及直流电源，直流电源的正极和负极分别为+V和
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V，第一信号输入端经电阻Rg1接于Q1的栅极上，经电阻R1接于电源地上；第二信号输入端inB经电阻Rg2接于Q2的栅极上，经电阻R2接于电源地上；场效应管Q1和Q2的漏极分别经电阻RD1和电阻RD2接于电源正极+V上，Q1的源极经第一电位器Rp与Q2的源极相连接；其特征在于：第一电位器Rp的活动触点与单刀双掷开关K的不动端相连接，单刀双掷开关K的一个动端经第二电位器R3p接于电源负极
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V上，另一个动端接于场效应管Q3的漏极上；Q3的源极经电阻R4接于电源负极
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V上，Q3的栅极经电阻R5和稳压管DZ1分别接于电源正极+V和电源负极
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V上；场效应管Q1的漏极形成第一信号输出端JXB4，场效应管Q2的漏极形成第二信号输出端JXB3。
[0006]本专利技术的由MOS管构成的差分实验电路，包括用于防止场效应管Q1和Q2的栅极电压超过
±
V的二极管D1、D2、D3和D4，二极管D1的正负极分别接于Q1的栅极和电源正极+V上，二极管D2的正负极分别接于电源负极
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V和Q1的栅极上，二极管D4的正负极分别接于Q2的栅极和电源正极+V上，二极管D3的正负极分别接于电源负极
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V和Q2的栅极上。
[0007]本专利技术的由MOS管构成的差分实验电路，包括起稳压和滤波作用的电解电容E1和E2，电解电容E1和E2串联后的两端分别接于电源正极+V和电源负极
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V上，电解电容E1与E2的连接处接于电源地上。
[0008]本专利技术的有益效果是：本专利技术的由MOS管构成的差分实验电路，通过设置场效应管Q1、Q2和Q3以及单刀双掷开关K、第一电位器Rp、第二电位器R3p和稳压管DZ1，通过调节第一电位器Rp滑动端的位置，可使当信号输入端inA和inB输入为零时，信号输出端JXB3和JXB4也为零，使场效应管Q1和Q2构成的放大电路参数完全相同；当单刀双掷开关K拨到与第二电位器R3p相连接的位置时，能够测试源极电阻（即第二电位器R3p接入电路中的电阻）对共模信号的抑制作用，通过调节第二电位器R3p接入电路的阻值，可进行不同源极电阻下对共模信号抑制的对比试验；当单刀双掷开关K拨动到与Q3的漏极相连接的位置时，由于Q3、稳压管DZ1和电阻R4构成了恒流源，内阻相当于无穷大，可以进行具有恒流源的差分电路稳定静态工作点以及抑制零点漂移的能力测试，有利于进行差分放大电路的实验。
附图说明
[0009]图1为本专利技术的由MOS管构成的差分实验电路的电路图。
[0010]图中：1场效应晶体管Q1，2场效应晶体管Q2，3场效应晶体管Q3，4稳压管DZ1，5第一信号输入端inA，6第二信号输入端inB，7第一信号输出端JXB4，8第二信号输出端JXB3，9单刀双掷开关K，10第一电位器Rp，11第二电位器R3p。
具体实施方式
[0011]下面结合附图与实施例对本专利技术作进一步说明。
[0012]如图1所示，给出了本专利技术的由MOS管构成的差分实验电路的电路图，其由场效应管Q1（1）、场效应管Q2（2）、场效应管Q3（3）、稳压管DZ1（4）、第一信号输入端inA（5）、第二信号输入端inB（6）、单刀双掷开关K（9）、第一电位器Rp（10）、第二电位器R3p（11）、第一信号输出端JXB4（7）以及第二信号输出端JXB3（8）组成，Q1、Q2和Q3均为MOSFET，场效应管Q1与Q2组成了两个参数完全相同的放大电路，第一信号输入端inA经电阻Rg1和电阻R1分别与Q1的栅极和电源地相连接，第二信号输入端inB经电阻Rg2和电阻R2分别与Q2的栅极和电源地相连接，Q1的源极经第一电位器Rp与Q2的源极相连接，Q1的漏极经电阻RD1接于直流电源的正极+V上，Q2的漏极经电阻RD2也接于电源正极+V上。实验时，将inA端和inB端与地短接，通过调节第一电位器Rp，使输出端JXB3和JXB4的输出信号均为零，此时的电路工作于静态工作点。
[0013]第一电位器Rp的活动触点与单刀双掷开关K的不动端相连接，单刀双掷开关K的一个动端经第二电位器R3p接于电源负极
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V上，另一个动端与场效应管Q3的漏极相连接。场效应管Q3的源极经电阻R4接于电源负极
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V上，Q3的栅极经稳压管DZ1和电阻R5分别接于电源负极
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V和电源正极+V上，由于稳压管DZ1使得Q3的栅极电压保持恒定，这样场效应管Q3、稳压管DZ1和电阻R4就构成了恒流源。
[0014]实验时，当单刀双掷开关K拨到与第二电位器R3p相连接的位置（即K拨动到左端）时，能够测试源极电阻（即第二电位器R3p接入电路中的电阻）对共模信号的抑制作用，通过调节第二电位器R3p接入电路的阻值，可进行不同源极电阻下对共模信号抑制的对比试验。当单刀双掷开关K拨动到与Q3的漏极相连接的位置（即K拨动到右端）时，由于Q3、稳压管DZ1和电阻R4构成了恒流源，内阻相当于无穷大，可以进行具有恒流源的差分电路稳定静态工作点以及抑制零点漂移的能力测试。
[0015]所示的二极管D1、D2、D3和D4包括用于防止场效应管Q1和Q2的栅极电压超过
±
V，
二极管D1的正负极分别接于Q1的栅极和电源正极+V上，二极管D2的正负极分别接于电源负极
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V和Q1的栅极上，二极管D4的正负极分别接于Q2的栅极和电源正极本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种由MOS管构成的差分实验电路，包括第一信号输入端inA（5）、第二信号输入端inB（6）、场效应管Q1（1）、场效应管Q2（2）、场效应管Q3（3）以及直流电源，直流电源的正极和负极分别为+V和
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V，第一信号输入端经电阻Rg1接于Q1的栅极上，经电阻R1接于电源地上；第二信号输入端inB经电阻Rg2接于Q2的栅极上，经电阻R2接于电源地上；场效应管Q1和Q2的漏极分别经电阻RD1和电阻RD2接于电源正极+V上，Q1的源极经第一电位器Rp（10）与Q2的源极相连接；其特征在于：第一电位器Rp的活动触点与单刀双掷开关K（9）的不动端相连接，单刀双掷开关K的一个动端经第二电位器R3p接于电源负极
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V上，另一个动端接于场效应管Q3的漏极上；Q3的源极经电阻R4接于电源负极
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V上，Q3的栅极经电阻R5和稳压管DZ1（4）分别接于电源正极+V和电源负极<...

【专利技术属性】
技术研发人员：焦营营，徐长缨，罗珂，
申请(专利权)人：山东建筑大学，
类型：发明
国别省市：