半导体结构及其形成方法技术

本发明专利技术涉及一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：第一基底；位于所述第一基底表面的第一键合层，所述第一键合层的材料为包含C元素的介质材料，所述第一键合层背向所述第一基底的表层的C原子浓度大于或等于35％。所述半导体结构在的第一键合层在键合时能够提高键合强度。能够提高键合强度。能够提高键合强度。能够提高键合强度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：王新胜，张莉，张高升，万先进，华子群，王家文，丁滔滔，朱宏斌，程卫华，杨士宁，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：