本实用新型专利技术公开了一种半导体元器件用真空烧结装置，涉及烧结装置的技术领域。其技术要点是：包括烧结室，所述烧结室的上侧设有出烟口，所述烧结室的下端设有入料口，所述入料口的下侧设有料台，所述料台的下侧设有支撑座，所述支撑座的上端开设有滑槽，所述料台通过支撑腿滑动连接于所述滑槽内，所述支撑腿插接于所述料台的下表面，所述料台一侧的侧壁通过第一连接组件连接有第一气缸，所述料台的下表面设有第二气缸，所述第二气缸通过第二连接组件连接于所述料台。设置的料台，通过设置的第一连接组件能够将料台从一侧推到另一侧，再通过第二连接组件对料台进行升降，具有便于对料台进行移动运输的特点。
【技术实现步骤摘要】
一种半导体元器件用真空烧结装置
本技术涉及烧结装置的
，更具体地说，它涉及一种半导体元器件用真空烧结装置。
技术介绍
目前高温烧结装置广泛应用于金属锻造、芯片制造等领域，在芯片的制造过程中需要人工的将芯片放置在料台上，而料台在烧结炉的下侧，存在安全隐患。在公告号为CN209960977U的中国技术专利公开了一种易于清洁的高温烧结设备，用于解决排胶过程胶物在从排风口吹出烧结室的过程中附着在烧结室上壁及排风口内壁，从而堵塞排风口，影响排风口的工作效果，以及影响芯片性能的问题，其包括烧结室，所述烧结室顶部设置有与外界联通的排风口，所述烧结室下方开设有入料口，入料口下方设置有与入料口相配套的料台，料台上方设置有隔热层，料台连接有液压装置，通过液压装置驱动上下，烧结室外部设有通风装置，所述通风装置连接位于烧结室内壁的出风管，所述隔热层上方连接有一外壁沿其母线方向阵列有刮刀的清洁罩，隔热层下方设有一旋转装置，所述旋转装置与隔热层中心位置连接。使用时，首先将芯片放置于相应位置，然后将料台固定至相应位置，打开控制机关控制液压装置启动，液压装置收缩，带动整个料台及料台支撑座上升至入料口位置，密封圈将入料口密封，此时清洁罩位于烧结室顶部，清洁罩外壁的刮刀与排风口内壁及烧结室顶部相接触，料台支撑座边缘的位置开关与烧结室支撑架上的位置开关接触，液压装置停止运动。此时打开烧结室加热开关，同时打开料台下方连接的电机，在电机作用下芯片在烧结室内旋转从而使芯片烧结更均匀，此时清洁罩也在电机带动下旋转，清洁罩外壁滑移连接的刮刀旋转清洁烧结室顶部内壁及排风口附着的芯片烧结过程中产生的胶体。上述的现有技术方案存在以下缺陷：上述装置中料台只能在竖直方向上进行移动，由于烧结室内的温度较高，刚取出的料台温度较高，对其移动不便。
技术实现思路
针对现有技术存在的不足，本技术的目的在于提供一种半导体元器件用真空烧结装置，设置有料台，通过设置的第一连接组件能够将料台从一侧推到另一侧，再通过第二连接组件对料台进行升降，具有便于对料台进行移动运输的特点。本技术的上述目的是通过以下技术方案得以实现的：一种半导体元器件用真空烧结装置，包括烧结室，所述烧结室的上侧设有出烟口，所述烧结室的下端设有入料口，所述入料口的下侧设有料台，所述料台的下侧设有支撑座，所述支撑座的上端开设有滑槽，所述料台通过支撑腿滑动连接于所述滑槽内，所述支撑腿插接于所述料台的下表面，所述料台一侧的侧壁通过第一连接组件连接有第一气缸，所述料台的下表面设有第二气缸，所述第二气缸通过第二连接组件连接于所述料台。通过采用上述技术方案，设置有放置半导体元器件的料台，通过设置的第一连接组件能够将料台从一侧推到烧结室下方，再通过第二连接组件对料台进行升降，使得料台移动至烧结室入料口位置，能够有效的降低上述
技术介绍
提到的安全隐患。本技术进一步设置为：所述第一连接组件包括固定块与卡接杆，所述固定块在竖直方向上开设有嵌槽，所述卡接杆卡接于所述固定块内。通过采用上述技术方案，固定块与卡接杆之间通过竖直开设的嵌槽连接，从而实现卡接杆与固定块在水平方向上的连接，同时当第二气缸推动料台沿竖直方向移动时，料台与与其插接的支撑腿分离，同时固定块与卡接杆在竖直方向分离，从而实现第一连接组件推动料台沿滑槽移动，同时不影响料台在第二气缸作用下沿竖直方向移动。本技术进一步设置为：所述第二连接组件包括连接板，所述连接板的上表面设有若干凸起，所述料台的下表面设有与若干所述凸起卡接的凹槽，所述第二气缸输出轴完全收缩时，所述凸起与所述凹槽分离。通过采用上述技术方案，设置的连接板以及连接板上设置的凸起，凸起与凹槽卡接连接，能够在第二气缸对料台进行升降时，防止料台进行滑动，出现安全事故。本技术进一步设置为：所述料台的上表面设有隔热层。通过采用上述技术方案，料台上表面的设置的隔热层能够避免操作人员在拿取半导体元器件过程中烫伤。本技术进一步设置为：所述料台的上表面设有若干载物槽。通过采用上述技术方案，设置的载物槽能够在使用的过程中将半导体元器件卡接放入载物槽，提高半导体元器件在料台上的稳定性，从而提高烧结效果。本技术进一步设置为：所述烧结室双层设置，且内侧的侧壁上开设有若干出气口。通过采用上述技术方案，设置的出气口能够方便对烧结室进行散热。本技术进一步设置为：所述出烟口一侧设有转动杆，所述出烟口处盖设有过滤网，所述过滤网双层设置，且夹层内装有吸附剂，所述过滤网的一侧通过固定杆连接于所述转动杆。通过采用上述技术方案，设置的过滤网以及吸附剂能够对烧结炉内的一些挥发性的固体颗粒进行吸附，防止颗粒挥发到空气产生污染。本技术进一步设置为：所述过滤网的上表面盖设有盖板，所述盖板一侧与所述过滤网铰接连接。通过采用上述技术方案，设置的盖板能够在工作中进行盖合，减少热量的挥发。综上所述，本技术的有益技术效果为：（1）通过采用上述技术方案，料台放置有半导体元器件，通过设置的第一连接组件能够将料台从支撑座远离入料口一侧推动至入料口下方，再通过第二连接组件对料台进行升降，便于对料台进行移动，防止高温烫伤操作人员；（2）通过采用上述技术方案，固定块与卡接杆之间通过竖直开设的嵌槽连接，从而实现卡接杆与固定块在水平方向上的连接，同时当第二气缸推动料台沿竖直方向移动时，料台与与其插接的支撑腿分离，同时固定块与卡接杆在竖直方向分离，从而实现第一连接组件推动料台沿滑槽移动，同时不影响料台在第二气缸作用下沿竖直方向移动。（3）通过采用上述技术方案，设置的连接板以及连接板上设置的凸起，凸起与凹槽卡接连接，能够在第二气缸对料台进行升降时，防止料台发生滑动，出现安全事故。附图说明图1是本技术到整体结构示意图；图2是图1中沿A-A线的剖视图；图3是本技术中第一连接组件的结构示意图。附图标记：1、烧结室；2、出烟口；3、入料口；4、料台；5、支撑座；6、滑槽；7、支撑腿；9、第一连接组件；91、固定块；92、卡接杆；93、嵌槽；10、第一气缸；11、第二连接组件；111、连接板；112、凸起；113、凹槽；12、第二气缸；13、隔热层；14、载物槽；15、出气口；16、转动杆；17、过滤网；18、吸附剂；19、固定杆；20、盖板。具体实施方式以下结合附图对本技术作进一步详细说明。如图1和图2所示，为本技术公开的一种半导体元器件用真空烧结装置，包括烧结室1，烧结室1双层设置，且其内侧的侧壁上开设有若干出气口15，且设置的出气口15能够方便对烧结室1进行散热。烧结室1的上侧设有出烟口2，烧结室1的下端设有入料口3。出烟口2一侧设有转动杆16，出烟口2处盖设有过滤网17，过滤网17双层设置，且夹层内装有吸附剂18，本实施例中吸附剂18采用活性炭颗粒，过滤网17以及吸附剂18的设置能够对烧结炉内本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种半导体元器件用真空烧结装置，包括烧结室（1），所述烧结室（1）的上侧设有出烟口（2），所述烧结室（1）的下端设有入料口（3），所述入料口（3）的下侧设有料台（4），其特征在于：所述料台（4）的下侧设有支撑座（5），所述支撑座（5）的上端开设有滑槽（6），所述料台（4）通过支撑腿（7）滑动连接于所述滑槽（6）内，所述支撑腿（7）插接于所述料台（4）的下表面，所述料台（4）一侧的侧壁通过第一连接组件（9）连接有第一气缸（10），所述料台（4）的下表面设有第二气缸（12），所述第二气缸（12）通过第二连接组件（11）连接于所述料台（4）。/n
【技术特征摘要】
1.一种半导体元器件用真空烧结装置，包括烧结室（1），所述烧结室（1）的上侧设有出烟口（2），所述烧结室（1）的下端设有入料口（3），所述入料口（3）的下侧设有料台（4），其特征在于：所述料台（4）的下侧设有支撑座（5），所述支撑座（5）的上端开设有滑槽（6），所述料台（4）通过支撑腿（7）滑动连接于所述滑槽（6）内，所述支撑腿（7）插接于所述料台（4）的下表面，所述料台（4）一侧的侧壁通过第一连接组件（9）连接有第一气缸（10），所述料台（4）的下表面设有第二气缸（12），所述第二气缸（12）通过第二连接组件（11）连接于所述料台（4）。
2.根据权利要求1所述的一种半导体元器件用真空烧结装置，其特征在于：所述第一连接组件（9）包括固定块（91）与卡接杆（92），所述固定块（91）在竖直方向上开设有嵌槽（93），所述卡接杆（92）卡接于所述固定块（91）内。
3.根据权利要求1所述的一种半导体元器件用真空烧结装置，其特征在于：所述第二连接组件（11）包括连接板（111），所述连接板（111）的上表面设有若干凸起（112），所述料台（4）的下表面设有与若干所述凸起（...
【专利技术属性】
技术研发人员：周宗辉，
申请(专利权)人：北京华芯微半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11
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