一种薄膜器件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种薄膜器件，包括依次层叠的基板、膜层组件、顶层电介质膜层和保护膜层，所述膜层组件包括沿基板向外依次层叠的电介质膜层、银膜层和牺牲膜层，或所述膜层组件包括沿基板向外依次层叠的电介质膜层、牺牲膜层和银膜层，所述膜层组件还包括AgGa界面膜层，所述AgGa界面膜层设置在银膜层与牺牲膜层之间和/或银膜层与电介质膜层之间。本实用新型专利技术可以提高膜系在高温热处理的稳定性，又可提高该薄膜器件的化学稳定性和改善其机械性能，且具有高的可见光透过率、低的电阻。

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜器件
本技术属于薄膜器件
，具体地涉及一种可进行高温热处理的薄膜器件。
技术介绍
普通的玻璃没有隔热功能，随着人们节能意识的增强，现在很多建筑物或汽车都已使用镀膜玻璃(薄膜器件)，这些镀膜玻璃可以起到很好的隔热效果，使建筑物内部或车内的舒适度增加。太阳能电池是用于通过阳光直接生成电流的光伏元件。由于对清洁能源的需求不断增加，最近几年太阳能电池的制造已经大幅扩大并且还在持续扩大。由于透明导电氧化物膜作为透明涂层和电极的多功能性，其在太阳能电池中得到广泛使用。在许多情况下，通过增加透明导电氧化物膜的掺杂物降低电阻导致不期望的透明度的降低，同时透明导电氧化物膜在进行高温热处理后，其一些性能会出现下降。还有为了进一步降低透明导电氧化物膜的电阻，则需要更厚的膜层，这会导致膜层的透过率降低、膜层的应力增大而导致膜层的不稳定性增加，也增加了膜层的制造成本。在太阳能电池、建筑及汽车等应用领域所使用的薄膜器件，其在制备过程都需要经受高温热处理，因此要求该薄膜器件能够耐受高温热处理，同时具备高的可见光透过率、低的电阻、良好的抗机械性能及高的稳定性等，但现有的薄膜器件无法满足该要求，有必要对其进行改进。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种薄膜器件用以解决上述存在的技术问题。为实现上述目的，本技术采用的技术方案为：一种薄膜器件，包括依次层叠的基板、膜层组件、顶层电介质膜层和保护膜层，所述膜层组件包括沿基板向外依次层叠的电介质膜层、银膜层和牺牲膜层，或所述膜层组件包括沿基板向外依次层叠的电介质膜层、牺牲膜层和银膜层，所述膜层组件还包括AgGa界面膜层，所述AgGa界面膜层设置在银膜层与牺牲膜层之间和/或银膜层与电介质膜层之间，所述AgGa界面膜层中Ag与Ga原子数量比大于1。进一步的，所述AgGa界面膜层中Ag与Ga原子数量比大于1。更进一步的，所述AgGa界面膜层中Ga的含量小于40at％。更进一步的，所述AgGa界面膜层中Ga的含量小于30at％。更进一步的，所述AgGa界面膜层中Ga的含量小于20at％。进一步的，所述AgGa界面膜层的厚度为0.05-10nm，优选为1-8nm。进一步的，所述的牺牲膜层的材料为NiCr、Ti、NiCrOx、Cr、NiCrMo、CrOx、MoOx、TiMo、TiMoOx、NiTi、TiOx和NiTiOx中的任意一种或它们的任一组合。进一步的，所述的牺牲膜层的厚度为0.1-8nm，优选厚度为1-5nm。进一步的，所述膜层组件的数量为两个，两个膜层组件依次层叠。进一步的，所述膜层组件的数量为三个，三个膜层组件依次层叠。进一步的，所述膜层组件的数量为四个，四个膜层组件依次层叠。进一步的，所述电介质膜层、顶层电介质膜层和保护膜层的材料为SnOx、TiOx、SiOx、SiNx、ZnOx、AlZnOx、ZnxSnyOn、ZrOx、ZnxTiyOn、NbOx、TixNbyOn、SiNOx、ITO、AZO、IWO、BZO、GZO、IZO、IMO、ICO、ITIO、IGZO、氧化锡基材料和金属硫化物中的任意一种或它们的任一组合。进一步的，所述电介质膜层、顶层电介质膜层和保护膜层的膜层厚度为1-100nm。进一步的，所述基板为玻璃基板、聚酰亚胺基板、或具有太阳能电池结构的基板。进一步的，该薄膜器件用于制作成夹层薄膜器件或中空薄膜器件。本技术的有益技术效果：本技术在银膜层与牺牲膜层之间和/或在电介质膜层与银膜层之间设置AgGa界面膜层，可以保护银膜层免受后续膜层沉积的高能粒子的轰击，保持银膜层的性能不下降，AgGa界面膜层同时可以使银膜层与后续膜层的粘接更牢固，从而提高了膜系在高温热处理的稳定性，又提高了该薄膜器件的化学稳定性和改善其机械性能。此外，本技术还具有高的光透过率、低的电阻。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简要介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本技术的一种薄膜器件的结构示意图；图2为本技术的另一种薄膜器件的结构示意图；图3为本技术的第三种薄膜器件的结构示意图；图4为本技术的第四种薄膜器件的结构示意图。具体实施方式为进一步说明各实施例，本技术提供有附图。这些附图为本技术揭露内容的一部分，其主要用以说明实施例，并可配合说明书的相关描述来解释实施例的运作原理。配合参考这些内容，本领域普通技术人员应能理解其他可能的实施方式以及本技术的优点。图中的组件并未按比例绘制，而类似的组件符号通常用来表示类似的组件。现结合附图和具体实施方式对本技术进一步说明。在此先说明，本技术中的氧化锡基材料为氧化锡掺杂氟的材料、氧化锡掺碘的材料、氧化锡掺杂锑的材料或它们的任一组合；本技术中的ITO是指氧化铟掺杂锡的材料、AZO是指氧化锌掺杂铝的材料、IWO是指氧化铟掺杂钨的材料、BZO是指氧化锌掺杂硼的材料、GZO是指氧化锌掺杂镓的材料、IZO是指氧化锌掺杂铟的材料、IMO是指氧化铟掺杂钼的材料、ICO是指氧化铟掺杂铈的材料、ITIO是指氧化铟掺杂钛的材料、IGZO是指氧化锌掺杂铟镓的材料。如图1所示，一种薄膜器件，包括依次层叠的基板1、膜层组件、顶层电介质膜层6和保护膜层7，所述膜层组件包括沿基板1向外依次层叠的电介质膜层2、银膜层3和牺牲膜层5，所述膜层组件还包括AgGa界面膜层4，所述AgGa界面膜层4设置在银膜层3与牺牲膜层5之间。优选的，所述AgGa界面膜层4中Ag与Ga原子数量比大于1，使AgGa界面膜层4的形成变得容易，避免Ga原子聚集而导致界面膜层的质量严重下降。更优选的，所述AgGa界面膜层4中Ga的含量小于40at％，有利于AgGa界面膜层4更均匀的沉积。更优选的，所述AgGa界面膜层4中Ga的含量小于30at％，有利于AgGa界面膜层4更均匀的沉积，同时使界面膜层可以耐受更高的温度。更优选的，所述AgGa界面膜层4中Ga的含量小于20at％，有利于AgGa界面膜层4耐受更高的温度，同时使其与银膜层3和后续膜层的粘接更牢固。优选的，所述AgGa界面膜层4的厚度为0.05-10nm，更优选为1-8nm，有利于使光透过的同时使界面膜层能够更好的阻挡高能粒子的轰击，可以更好的保护银膜层3，同时能够使银膜层3与后续膜层的粘接更牢固。具体的，所述的牺牲膜层5的材料可以为NiCr、Ti、NiCrOx、Cr、NiCrMo、CrOx、MoOx、TiMo、TiMoOx、NiTi、TiOx和NiTiOx中的任意一种或它们的任一组合；所述电介质膜层2、顶层电介质膜层6和保护膜层7的材料可以为SnOx、本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜器件，包括依次层叠的基板、膜层组件、顶层电介质膜层和保护膜层，所述膜层组件包括沿基板向外依次层叠的电介质膜层、银膜层和牺牲膜层，或所述膜层组件包括沿基板向外依次层叠的电介质膜层、牺牲膜层和银膜层，其特征在于：所述膜层组件还包括AgGa界面膜层，所述AgGa界面膜层设置在银膜层与牺牲膜层之间和/或银膜层与电介质膜层之间。/n

【技术特征摘要】
1.一种薄膜器件，包括依次层叠的基板、膜层组件、顶层电介质膜层和保护膜层，所述膜层组件包括沿基板向外依次层叠的电介质膜层、银膜层和牺牲膜层，或所述膜层组件包括沿基板向外依次层叠的电介质膜层、牺牲膜层和银膜层，其特征在于：所述膜层组件还包括AgGa界面膜层，所述AgGa界面膜层设置在银膜层与牺牲膜层之间和/或银膜层与电介质膜层之间。


2.根据权利要求1所述的薄膜器件，其特征在于：所述AgGa界面膜层的厚度为0.05-10nm。


3.根据权利要求1所述的薄膜器件，其特征在于：所述的牺牲膜层的厚...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：四川猛犸半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：四川;51