兼容CCM及DCM工作模式的同步整流控制电路制造技术

本发明专利技术公开一种兼容CCM及DCM工作模式的同步整流控制电路，包括CCM控制模块、第一负压比较器、第二负压比较器及逻辑控制模块，CCM控制模块与第二负压比较器的输出端相连，第一负压比较器的第一输入端及第二负压比较器的第二输入端作为同步整流控制电路的输入端，第一负压比较器的输出端与一第一与门的第一输入端连接，第一与门的输出端与逻辑控制模块的第一输入端连接，第二负压比较器的输出端与一第一或门的第一输入端连接，第一或门的输出端与一第二与门的第一输入端连接，CCM控制模块的输出端及第二负压比较器的输出端分别与一调制模块的第一输入端及第二输入端连接，第二与门的输出端与逻辑控制模块的第二输入端连接。

【技术实现步骤摘要】
兼容CCM及DCM工作模式的同步整流控制电路
本专利技术涉及电源管理
，尤其涉及一种兼容CCM及DCM工作模式的同步整流控制电路。
技术介绍
近年来随着电子技术的快速发展，大规模集成电路尺寸不断减小，功耗不断降低，其要求的电路工作电压越来越低，工作电流则越来越大。而输出端整流管的损耗是开关电源损耗不可忽视的一部分，传统的整流二极管导通压降较高，即使采用低压降的肖特基二极管，也会产生0.4V以上的压降，导致导通损耗较大，电源效率较低。鉴于此，有必要提供一种兼容CCM及DCM工作模式的同步整流控制电路以有效减小整流导通损耗，提高实现同步整流的效率。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种兼容CCM及DCM工作模式的同步整流控制电路以有效减小整流导通损耗，提高实现同步整流的效率。为解决上述技术问题，本专利技术采用如下所述的技术方案：一种兼容CCM及DCM工作模式的同步整流控制电路，CCM控制模块、第一负压比较器、第二负压比较器及逻辑控制模块，所述CCM控制模块与第二负压比较器的输出端相连，所述第一负压比较器的第一输入端及第二负压比较器的第二输入端作为所述同步整流控制电路的输入端，所述第一负压比较器的输出端与一第一与门的第一输入端连接，所述第一与门的输出端与逻辑控制模块的第一输入端连接，所述第二负压比较器的输出端与一第一或门的第一输入端连接，所述第一或门的输出端与一第二与门的第一输入端连接，所述CCM控制模块的输出端及第二负压比较器的输出端分别与一调制模块的第一输入端及第二输入端连接，所述调制模块的输出端与第二与门的第二输入端连接，所述第二与门的输出端与所述逻辑控制模块的第二输入端连接。其进一步技术方案为：所述同步整流控制电路还包括一LDO供电模块和一电压及电流偏置模块，所述电压及电流偏置模块与LDO供电模块连接，以产生基准电压和偏置电流。其进一步技术方案为：所述CCM控制模块包括导通信号调制单元，所述导通信号调制单元包括一第三负压比较器、一第一NMOS管、一第二NMOS管、一第一PMOS管及一第五PMOS管，所述第一NMOS管的漏极与一第一电流源相连，其栅极与一或非门的输出端连接，所述调制模块的输出端通过一第一延时器与所述或非门的第一输入端连接，所述调制模块的输出端与所述或非门的第二输入端连接，所述第一NMOS管的源极与所述第三负压比较器的第二输入端连接，所述第三负压比较器的输出端作为CCM控制模块的输出端，其第一输入端与所述第二NMOS管的漏极相连，所述第二NMOS管的源极接地，其栅极与一倒相放大器的输出端相连，所述倒相放大器的输入端与第二负压比较器的输出端相连，所述第二NMOS管的源极与漏极之间并接有一第二电容，所述第一PMOS管的源极与一第二电流源连接，其漏极与第二NMOS管的漏极相连，其栅极与所述倒相放大器的输出端连接，所述第五PMOS管的源极与第一NMOS管的源极相连，其漏极与一第二运算放大器的输出端相连，所述第五PMOS管的源极与漏极之间连接有一第一电容，所述第二运算放大器的反相输入端与第五PMOS管的漏极相连。其进一步技术方案为：所述CCM控制模块还包括异常屏蔽单元，所述异常屏蔽单元与导通信号调制单元连接，包括一D触发器、一脉冲调制器、一第二延时器、一第三NMOS管及一第二PMOS管，所述第五PMOS管的栅极经所述第二延时器与D触发器的复位输入端连接，所述D触发器的时钟输入端与第二负压比较器的输出端连接，所述D触发器的第一输入端与调制模块的输出端连接，所述D触发器的第一输出端经所述脉冲调制器与所述第五PMOS管的栅极连接，所述第二PMOS管的栅极与第五PMOS管的栅极连接，其源极与所述第二运算放大器的同相输入端连接，其漏极与所述第三NMOS管的漏极相连，所述第二PMOS管的源极与第二运算放大器的同相输入端之间并接有一接地电容，所述第三NMOS管的栅极与第五PMOS管的栅极连接，其源极接地，所述第三NMOS管的漏极与源极之间连接有一第四电容。其进一步技术方案为：所述CCM控制模块还包括异常屏蔽单元，所述异常屏蔽单元与导通信号调制单元连接，包括一D触发器、一脉冲调制器、一第二延时器、一第三延时器、一第一运算放大器、一第三PMOS管、一第四PMOS管及一第四NMOS管，所述第五PMOS管的栅极经所述第二延时器与D触发器的复位输入端相连，所述D触发器的时钟输入端与第二负压比较器的输出端相连，所述D触发器的第一输入端与调制模块的输出端连接，所述D触发器的第一输出端经所述脉冲调制器与第三PMOS管的栅极连接，所述第三PMOS管的漏极与所述第一运算放大器的同相输入端连接，所述第一运算放大器的输出端与第四PMOS管的源极相连，所述第四PMOS管的漏极与第二运算放大器的同相输入端相连，其栅极与所述第五PMOS管的栅极相连，所述第四PMOS管的漏极与第二运算放大器的同相输入端之间并接有一接地电容，所述第一运算放大器的反相输入端与其输出端相接，所述第三PMOS管的源极与第四NMOS管的源极相接，且所述第三PMOS管的源极与第四NMOS管的源极之间并接有一一端接地的第五电容，所述第四NMOS管的漏极与一第三电流源相接，其栅极与一第三与门的输出端连接，所述第二负压比较器的输出端与所述第三与门的第一输入端连接，所述第二负压比较器的输出端经所述第三延时器与所述第三与门的第二输入端连接。其进一步技术方案为：所述同步整流控制电路用于反激式开关电源时，所述反激式开关电源的输出电压作为所述同步整流控制电路的电源电压，所述同步整流控制电路的输入端与所述反激式开关电源的同步整流MOS管的漏极连接，所述逻辑控制模块的输出端与所述同步整流MOS管的栅极连接，所述同步整流MOS管的源极接地。本专利技术的有益技术效果在于：本专利技术兼容CCM及DCM工作模式的同步整流控制电路通过第一负压比较器配合第一与门及第二负压比较器配合第一或门和第二与门，结合CCM控制模块及调制模块以调节信号输出，扩大信号的最大导通时间，以实现极小的死区时间控制，再利用逻辑控制模块进行逻辑控制，有效减小整流导通损耗，实现同步整流的高效率，且还实现了电流连续导通模式CCM下的同步整流。附图说明图1是本专利技术兼容CCM及DCM工作模式的同步整流控制电路的应用拓扑结构图。图2是本专利技术兼容CCM及DCM工作模式的同步整流控制电路工作在电流断续DCM下的信号时序图。图3是本专利技术兼容CCM及DCM工作模式的同步整流控制电路工作在电流断续CCM下的信号时序图。图4是本专利技术兼容CCM及DCM工作模式的同步整流控制电路的CCM控制模块的一具体实施例的电路原理图。图5是本专利技术兼容CCM及DCM工作模式的同步整流控制电路的CCM控制模块的另一具体实施例的电路原理图。具体实施方式为使本领域的普通技术人员更加清楚地理解本专利技术的目的、技术方案和优点，以下结合附图和实施例对本专利技术做进一步的阐述。参照图1至图5，图1展示了本专利技术兼容CCM及DCM工作模式的同步整流控制电路10应用于本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种兼容CCM及DCM工作模式的同步整流控制电路，其特征在于，包括CCM控制模块、第一负压比较器、第二负压比较器及逻辑控制模块，所述CCM控制模块与第二负压比较器的输出端相连，所述第一负压比较器的第一输入端及第二负压比较器的第二输入端作为所述同步整流控制电路的输入端，所述第一负压比较器的输出端与一第一与门的第一输入端连接，所述第一与门的输出端与逻辑控制模块的第一输入端连接，所述第二负压比较器的输出端与一第一或门的第一输入端连接，所述第一或门的输出端与一第二与门的第一输入端连接，所述CCM控制模块的输出端及第二负压比较器的输出端分别与一调制模块的第一输入端及第二输入端连接，所述调制模块的输出端与第二与门的第二输入端连接，所述第二与门的输出端与所述逻辑控制模块的第二输入端连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种兼容CCM及DCM工作模式的同步整流控制电路，其特征在于，包括CCM控制模块、第一负压比较器、第二负压比较器及逻辑控制模块，所述CCM控制模块与第二负压比较器的输出端相连，所述第一负压比较器的第一输入端及第二负压比较器的第二输入端作为所述同步整流控制电路的输入端，所述第一负压比较器的输出端与一第一与门的第一输入端连接，所述第一与门的输出端与逻辑控制模块的第一输入端连接，所述第二负压比较器的输出端与一第一或门的第一输入端连接，所述第一或门的输出端与一第二与门的第一输入端连接，所述CCM控制模块的输出端及第二负压比较器的输出端分别与一调制模块的第一输入端及第二输入端连接，所述调制模块的输出端与第二与门的第二输入端连接，所述第二与门的输出端与所述逻辑控制模块的第二输入端连接。


2.如权利要求1所述的兼容CCM及DCM工作模式的同步整流控制电路，其特征在于，所述同步整流控制电路还包括一LDO供电模块和一电压及电流偏置模块，所述电压及电流偏置模块与LDO供电模块连接，以产生基准电压和偏置电流。


3.如权利要求1所述的兼容CCM及DCM工作模式的同步整流控制电路，其特征在于，所述CCM控制模块包括导通信号调制单元，所述导通信号调制单元包括一第三负压比较器、一第一NMOS管、一第二NMOS管、一第一PMOS管及一第五PMOS管，所述第一NMOS管的漏极与一第一电流源相连，其栅极与一或非门的输出端连接，所述调制模块的输出端通过一第一延时器与所述或非门的第一输入端连接，所述调制模块的输出端与所述或非门的第二输入端连接，所述第一NMOS管的源极与所述第三负压比较器的第二输入端连接，所述第三负压比较器的输出端作为CCM控制模块的输出端，其第一输入端与所述第二NMOS管的漏极相连，所述第二NMOS管的源极接地，其栅极与一倒相放大器的输出端相连，所述倒相放大器的输入端与第二负压比较器的输出端相连，所述第二NMOS管的源极与漏极之间并接有一第二电容，所述第一PMOS管的源极与一第二电流源连接，其漏极与第二NMOS管的漏极相连，其栅极与所述倒相放大器的输出端连接，所述第五PMOS管的源极与第一NMOS管的源极相连，其漏极与一第二运算放大器的输出端相连，所述第五PMOS管的源极与漏极之间连接有一第一电容，所述第二运算放大器的反相输入端与第五PMOS管的漏极相连。


4.如权利要求3所述的兼容CCM及DCM工作模式的同步整流控制电路，其特征在于，所述CCM控制模块还包括异常屏蔽单元，所述异常屏蔽单元与导通信号调制单元连接，包括一D触发器、一脉冲调...

【专利技术属性】
技术研发人员：王石武，艾育林，
申请(专利权)人：深圳市瑞之辰科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44