SD NAND测试方法、装置、存储介质和终端制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种SD NAND测试方法、装置、存储介质和终端，通过设置不同优先级的线程，根据线程对SD NAND FLASH进行读写校验，以实现对SD NAND FLASH的读写压力测试；因为每个线程包括固定数据，所以当SD NAND FLASH在校验过程中出现错误时，可以通过校验数据对错误的类型以及出错的地址进行精确定位，以解决传统使用第三方工具对SD NAND FLASH进行读写压力测试时出现的问题。

【技术实现步骤摘要】
SDNAND测试方法、装置、存储介质和终端
本专利技术涉及芯片测试设备，尤其涉及的是一种SDNAND测试方法、装置、存储介质和终端。
技术介绍
小容量SDNANDFLASH（是一款低成本的数据存储器，内嵌高速的SD控制器和高可靠性的SLCNAND闪存，适用于消费电子用品，如玩具，蓝牙设备，教育电子以及可穿戴设备等应用）由于内置SLC晶圆,相比主流TF卡使用MLC和TLC，性能更加稳定可靠，且内置坏块管理以及ECC纠正算法，接口遵循SD协议，大大缩短了产品开发周期，广泛应用于智能音箱、可穿戴、智能眼镜和语言模组等领域。由于SDNANDFLASH一般都直接贴在板卡上，一旦出现故障，就必须拆机，因此，在贴片前芯片测试环节测试SDNANDFLASH的性能显得至关重要。传统的对SDNANDFLASH的测试，绝大数是厂家仍使用TF卡转换接口，将SDNANDFLASH通过该转接口接入电脑，然后使用第三方工具，如BurnInTest（电脑稳定性测试工具）、CrystalDiskMark（硬盘检测工具）和ATTODiskBenchmark（磁盘基准测试）等进行读写压力测试，因为不清楚第三方工具中写入SDNANDFLASH内的数据，所以一旦读写压力测试过程中SDNANDFLASH出现问题，用户无法核实写入SDNANDFLASH内的数据是否出错以及错误的类型，更无法定位SDNANDFLASH出错的地址，存在较大缺陷。因此，现有的技术还有待于改进和发展。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种SDNAND测试方法、装置、存储介质和终端，旨在解决现有的SDNANDFLASH测试使用第三方工具进行读写压力测试，第三方工具无法在SDNANDFLASH出现问题时对数据和出错地址进行定位的问题。本专利技术的技术方案如下：一种SDNAND测试方法，其中，整个测试过程在freertos操作系统中完成，具体包括以下步骤：S1：预设包括一定数据的若干个线程，并设定各个线程的优先级；S2：在某一线程抢占成功后，判断SDNANDFLASH中是否已经写入该线程的全部数据，是则跳转至S3，否则跳转至S4；S3：删除SDNANDFLASH中该线程的全部数据，然后跳转至S4；S4：根据该线程的数据对SDNANDFLASH进行读写校验，得到校验数据；S5：输出校验数据；S6：判断是否触发测试完毕条件，是则SDNANDFLASH测试完毕，否则跳转至S2。所述的SDNAND测试方法，其中，所述若干个线程的数据加起来的总数据大小等于SDNANDFLASH的容量。所述的SDNAND测试方法，其中，所述S3中，使所述删除SDNANDFLASH中该线程的全部数据的过程处于加锁状态。所述的SDNAND测试方法，其中，所述S4中，使所述根据该线程的数据对SDNANDFLASH进行读写校验的过程处于加锁状态。所述的SDNAND测试方法，其中，所述校验数据包括写操作返回值、读操作返回值、读写数据对比结果以及SDNANDFLASH读写校验地址。所述的SDNAND测试方法，其中，所述S4中，具体过程如下：s41：将该线程的部分数据写入SDNANDFLASH内，得到写操作返回值；s42：读出s01中写入SDNANDFLASH内的数据，得到读操作返回值；s43：对比s01中写入SDNANDFLASH内的数据和s02中从SDNANDFLASH内读出的数据是否一致，得到读写数据对比结果；s44：根据写操作返回值、读操作返回值、读写数据对比结果和执行读写校验的SDNANDFLASH内的地址得到校验数据。所述的SDNAND测试方法，其中，所述测试完毕条件包括读写校验出错或测试时间达到预设值。一种SDNAND测试装置，其中，包括：线程预设模块，预设包括一定数据的若干个线程，并设定各个线程的优先级；数据写入判断模块，在某一线程抢占成功后，判断SDNANDFLASH中是否已经写入该线程的全部数据；数据删除模块，删除SDNANDFLASH中该线程的全部数据；读写检验模块，根据该线程的数据对SDNANDFLASH进行读写校验，得到校验数据；校验数据输出模块，输出校验数据；条件触发判断模块，判断是否触发测试完毕条件。一种存储介质，其中，所述存储介质中存储有计算机程序，当所述计算机程序在计算机上运行时，使得所述计算机执行上述任一项所述的方法。一种终端，其中，包括处理器和存储器，所述存储器中存储有计算机程序，所述处理器通过调用所述存储器中存储的所述计算机程序，用于执行上述任一项所述的方法。本专利技术的有益效果：本专利技术通过提供一种SDNAND测试方法、装置、存储介质和终端，通过设置不同优先级的线程，根据线程对SDNANDFLASH进行读写校验，以实现对SDNANDFLASH的读写压力测试；因为每个线程包括固定数据，所以当SDNANDFLASH在校验过程中出现错误时，可以通过校验数据对错误的类型以及出错的地址进行精确定位，以解决传统使用第三方工具对SDNANDFLASH进行读写压力测试时出现的问题。附图说明图1是本专利技术中SDNAND测试方法的步骤流程图。图2是本专利技术中SDNAND测试装置的内部模块连接示意图。图3是本专利技术中SDNAND测试装置的外部结构连接示意图。图4是本专利技术中装置的示意图。具体实施方式下面将结合本申请实施例中附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。同时，在本申请的描述中，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。如图1所示，一种SDNAND测试方法，整个测试过程在freertos（FreeRTOS是一个迷你的实时操作系统内核）操作系统中完成，具体包括以下步骤：S1：预设包括一定数据的若干个线程，并设定各个线程的优先级；S2：在某一线程抢占成功后，判断SDNANDFLASH中是否已经写入该线程的全部数据，是则跳转至S3，否则跳转至S4；S3：删除SDNANDFLASH中该线程的全部数据，然后跳转至S4；S4：根据该线程的数据对SDNANDFLASH进行读写校验，得到校验数据；S5：输出校验数据；S6：判断是否触发测试完毕条件，是本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种SD NAND测试方法，其特征在于，整个测试过程在freertos操作系统中完成，具体包括以下步骤：/nS1：预设包括一定数据的若干个线程，并设定各个线程的优先级；/nS2：在某一线程抢占成功后，判断SD NAND FLASH中是否已经写入该线程的全部数据，是则跳转至S3，否则跳转至S4；/nS3：删除SD NAND FLASH中该线程的全部数据，然后跳转至S4；/nS4：根据该线程的数据对SD NAND FLASH进行读写校验，得到校验数据；/nS5：输出校验数据；/nS6：判断是否触发测试完毕条件，是则SD NAND FLASH测试完毕，否则跳转至S2。/n

【技术特征摘要】
1.一种SDNAND测试方法，其特征在于，整个测试过程在freertos操作系统中完成，具体包括以下步骤：
S1：预设包括一定数据的若干个线程，并设定各个线程的优先级；
S2：在某一线程抢占成功后，判断SDNANDFLASH中是否已经写入该线程的全部数据，是则跳转至S3，否则跳转至S4；
S3：删除SDNANDFLASH中该线程的全部数据，然后跳转至S4；
S4：根据该线程的数据对SDNANDFLASH进行读写校验，得到校验数据；
S5：输出校验数据；
S6：判断是否触发测试完毕条件，是则SDNANDFLASH测试完毕，否则跳转至S2。


2.根据权利要求1所述的SDNAND测试方法，其特征在于，所述若干个线程的数据加起来的总数据大小等于SDNANDFLASH的容量。


3.根据权利要求1所述的SDNAND测试方法，其特征在于，所述S3中，使所述删除SDNANDFLASH中该线程的全部数据的过程处于加锁状态。


4.根据权利要求1所述的SDNAND测试方法，其特征在于，所述S4中，使所述根据该线程的数据对SDNANDFLASH进行读写校验的过程处于加锁状态。


5.根据权利要求1所述的SDNAND测试方法，其特征在于，所述校验数据包括写操作返回值、读操作返回值、读写数据对比结果以及SDNANDFLASH读写校验地址。


6.根据权利要求5所述的SDNAND测试方法，其特征在于，所述S4中，具体过程如下：
s41：将该线程的部分数据写...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐维强，林晓新，孙兆兴，
申请(专利权)人：深圳市芯天下技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44