开关器件结构及其制备方法、薄膜晶体管膜层、显示面板技术

本申请实施例提供了一种开关器件结构及其制备方法、薄膜晶体管膜层、显示面板。该开关器件结构，包括：位于基材层的一侧的第一栅极结构；位于第一栅极结构和基材层的一侧的第一缓冲层；位于第一缓冲层远离基材层的一侧的第一源漏极结构和氧化物半导体结构，氧化物半导体结构与第一源漏极结构的一部分接触；位于第一源漏极结构和氧化物半导体结构远离第一缓冲层的一侧的第一绝缘层；位于第一绝缘层远离第一缓冲层的一侧的第二栅极结构和第二源漏极结构，第二源漏极结构与第一源漏极结构的另一部分电连接。本申请实施例可有效提高开关器件结构中氧化物半导体结构的稳定性，降低氧化物半导体结构的漏电性，进而降低开关器件结构的功耗。

【技术实现步骤摘要】
开关器件结构及其制备方法、薄膜晶体管膜层、显示面板
本申请涉及显示
，具体而言，本申请涉及一种开关器件结构及其制备方法、薄膜晶体管膜层、显示面板。
技术介绍
有机电致发光显示产品(OrganicElectroluminescentDisplay，OLED)凭借其低功耗、高色饱和度、广视角、薄厚度、能实现柔性化等优异性能，逐渐成为显示领域的主流。随着有机电致发光显示产品的广泛应用，有机电致发光显示产品面临更进一步的降低功耗或提高稳定性的需求压力。因此，丞待提供新的技术改进，以缓解上述需求压力。
技术实现思路
本申请针对现有方式的缺点，提出一种开关器件结构及其制备方法、薄膜晶体管膜层、显示面板，用以降低有机电致发光显示产品的功耗，或提高有机电致发光显示产品的稳定性。第一个方面，本申请实施例提供了一种开关器件结构，包括：第一栅极结构，位于基材层的一侧；第一缓冲层，位于第一栅极结构和基材层的一侧；第一源漏极结构，位于第一缓冲层远离基材层的一侧；氧化物半导体结构，也位于第一缓冲层远离基材层的一侧，并与第一源漏极结构的一部分接触；第一绝缘层，位于第一源漏极结构和氧化物半导体结构远离第一缓冲层的一侧；第二栅极结构，位于第一绝缘层远离第一缓冲层的一侧；第二源漏极结构，位于第一绝缘层远离第一缓冲层的一侧，且与第一源漏极结构的另一部分电连接。第二个方面，本申请实施例提供了一种薄膜晶体管膜层，包括：多晶硅器件结构和如第一个方面提供的开关器件结构；多晶硅器件结构包括在基材层的一侧依次层叠的多晶硅结构、第三绝缘层、第三栅极结构、第四绝缘层和第三源漏极结构；开关器件结构中的第一栅极结构、第一源漏极结构、氧化物半导体结构和第二源漏极结构的一部分均位于薄膜晶体管膜层的第一区域；多晶硅结构、第三栅极结构、第三源漏极结构和第二源漏极结构的另一部分均位于薄膜晶体管膜层的第二区域；第三源漏极结构与多晶硅结构电连接；第二源漏极结构的另一部分与第三源漏极结构电连接。第三个方面，本申请实施例提供了一种显示面板，包括：依次层叠的如第二个方面提供的薄膜晶体管膜层、阳极层、发光层和阴极层；薄膜晶体管膜层的第二源漏极结构的另一部分中的至少部分与阳极层电连接。第四个方面，本申请实施例提供一种显示装置，包括：如第一个方面提供的开关器件结构；或，包括：如第二个方面提供的薄膜晶体管膜层；或，包括：如第三个方面提供的显示面板。第五个方面，本申请实施例提供一种开关器件结构的制备方法，包括：在基材层的一侧制备依次层叠的第一栅极结构、第一缓冲层和第一源漏极结构；在第一缓冲层上制备氧化物半导体结构；氧化物半导体结构与第一源漏极结构的一部分接触；在第一缓冲层、第一源漏极结构和氧化物半导体结构上沉积第一绝缘层；在第一绝缘层上制备第二栅极结构和第二源漏极结构；第二源漏极结构与第一源漏极结构的另一部分电连接。第六个方面，本申请实施例提供一种薄膜晶体管膜层的制备方法，包括：制备基材层；薄膜晶体管膜层包括第一区域和第二区域；薄膜晶体管膜层中的多晶硅器件结构位于第二区域；在基材层位于第一区域的第一部分且远离基材层的一侧制备第一栅极结构；在基材层和第一栅极层结构远离基材层的一侧制备第一缓冲层；在第一缓冲层位于第一区域的部分且远离基材层的一侧制备第一源漏极结构；在第一缓冲层位于第一区域的部分且远离第一栅极结构的一侧制备氧化物半导体结构，使得氧化物半导体结构与第一源漏极结构的一部分连接；在氧化物半导体结构和第一源漏极结构远离第一缓冲层的一侧制备第一绝缘层；在第一绝缘层位于第一区域的部分且远离第一栅极结构的一侧制备第二栅极结构；在第一绝缘层远离第一缓冲层的一侧制备第二源漏极结构，并使得第二源漏极结构中的一部分与第一源漏极结构的另一部分电连接。本申请实施例提供的开关器件结构及其制备方法带来的有益技术效果包括：采用低温多晶氧化物器件结构，具有低漏电的优点，可有效降低功耗；在开关器件结构内部，采用第一源漏极结构作为第二源漏极结构与氧化物半导体结构搭接的桥梁，使得电连接第二源漏极结构的过孔不直接接触氧化物半导体结构，这样可以有效避免制程中对氧化物半导体结构的表面造成伤害，或导致氧化物半导体结构成为缺陷态等，可有效提高氧化物半导体结构的稳定性，降低氧化物半导体结构的漏电性，进而降低功耗。本申请实施例提供的薄膜晶体管膜层及其制备方法、显示面板、显示装置带来的有益技术效果包括：采用LTPS器件和低温多晶氧化物器件相结合的LTPO结构，可以利用LTPS器件响应速度快、开启电流较大的特点，为OLED显示提供电流源，同时可以利用低温多晶氧化物器件低漏电的特点，降低薄膜晶体管膜层的功耗；在低温多晶氧化物器件内部，采用第一源漏极结构作为第二源漏极结构与氧化物半导体结构搭接的桥梁，使得电连接第二源漏极结构的过孔不直接接触氧化物半导体结构，这样可以有效避免制程中对氧化物半导体结构的表面造成伤害，或导致氧化物半导体结构成为缺陷态等，可有效提高氧化物半导体结构的稳定性，降低氧化物半导体结构的漏电性，进而降低功耗。本申请附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，这些将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。附图说明本申请上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：图1为本申请实施例提供的一种开关器件结构的实施方式一的结构示意图；图2为本申请实施例提供的一种开关器件结构的实施方式二的结构示意图；图3为本申请实施例提供的一种开关器件结构的实施方式三的结构示意图；图4为本申请实施例提供的一种薄膜晶体管膜层的结构示意图；图5为本申请实施例提供的一种开关器件结构的制备方法的流程示意图；图6为本申请实施例提供的一种开关器件结构的制备方法中，在第一缓冲层上制备氧化物半导体结构的流程示意图；图7为本申请实施例提供的一种开关器件结构的制备方法中，在第一绝缘层上制备第二栅极结构和第二源漏极结构的流程示意图；图8为本申请实施例提供的一种开关器件结构的制备方法的展开方法的流程示意图；图9为本申请实施例提供的一种开关器件结构的制备方法的展开方法中，在基材层的一侧制备依次层叠的第一栅极结构、第一缓冲层和第一源漏极结构后的膜层结构示意图；图10为本申请实施例提供的一种开关器件结构的制备方法的展开方法中，在第一缓冲层和第一源漏极结构上涂布牺牲层后的膜层结构示意图；图11为本申请实施例提供的一种开关器件结构的制备方法的展开方法中，在牺牲层上制备光刻胶结构后的膜层结构示意图；图12为本申请实施例提供的一种开关器件结构的制备方法的展开方法中，以光刻胶结构为掩膜剥离部分牺牲层，以露出第一源漏极结构的一部分和部分第一缓冲层后的膜层结构示意本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种开关器件结构，其特征在于，包括：/n第一栅极结构，位于基材层的一侧；/n第一缓冲层，位于所述第一栅极结构和所述基材层的一侧；/n第一源漏极结构，位于所述第一缓冲层远离所述基材层的一侧；/n氧化物半导体结构，也位于所述第一缓冲层远离所述基材层的一侧，并与所述第一源漏极结构的一部分接触；/n第一绝缘层，位于所述第一源漏极结构和所述氧化物半导体结构远离所述第一缓冲层的一侧；/n第二栅极结构，位于所述第一绝缘层远离所述第一缓冲层的一侧；/n第二源漏极结构，位于所述第一绝缘层远离所述第一缓冲层的一侧，且与所述第一源漏极结构的另一部分电连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种开关器件结构，其特征在于，包括：
第一栅极结构，位于基材层的一侧；
第一缓冲层，位于所述第一栅极结构和所述基材层的一侧；
第一源漏极结构，位于所述第一缓冲层远离所述基材层的一侧；
氧化物半导体结构，也位于所述第一缓冲层远离所述基材层的一侧，并与所述第一源漏极结构的一部分接触；
第一绝缘层，位于所述第一源漏极结构和所述氧化物半导体结构远离所述第一缓冲层的一侧；
第二栅极结构，位于所述第一绝缘层远离所述第一缓冲层的一侧；
第二源漏极结构，位于所述第一绝缘层远离所述第一缓冲层的一侧，且与所述第一源漏极结构的另一部分电连接。


2.根据权利要求1所述的开关器件结构，其特征在于，所述第一源漏极结构包括相分离的第一源极结构和第一漏极结构；
所述氧化物半导体结构，一端与所述第一源极结构的一部分连接，另一端与所述第一漏极结构的一部分连接；
所述第二源漏极结构包括相分离的第二源极结构和第二漏极结构；所述第二源极结构与所述第一源极结构的另一部分电连接，所述第二漏极结构与所述第一漏极结构的另一部分电连接。


3.根据权利要求2所述的开关器件结构，其特征在于，所述第一源极结构、所述第一漏极结构和至少部分所述氧化物半导体结构与所述第一缓冲层接触；
和/或，所述氧化物半导体结构的一端在所述基材层的投影与所述第一源极结构的一部分在所述基材层的投影重合，所述氧化物半导体结构的另一端在所述基材层的投影与所述第一漏极结构的一部分在所述基材层的投影重合。


4.根据权利要求3所述的开关器件结构，其特征在于，所述氧化物半导体结构的一端位于所述第一源极结构的一部分远离所述第一缓冲层的一侧；
和/或，所述氧化物半导体结构的另一端位于所述第一漏极结构的一部分远离所述第一缓冲层的一侧。


5.一种薄膜晶体管膜层，其特征在于，包括：多晶硅器件结构和如权利要求1-4中任一项所述的开关器件结构；
所述多晶硅器件结构包括在基材层的一侧依次层叠的多晶硅结构、第三绝缘层、第三栅极结构、第四绝缘层和第三源漏极结构；
所述开关器件结构中的第一栅极结构、第一源漏极结构、氧化物半导体结构和第二源漏极结构的一部分均位于所述薄膜晶体管膜层的第一区域；
所述多晶硅结构、所述第三栅极结构、所述第三源漏极结构和所述第二源漏极结构的另一部分均位于所述薄膜晶体管膜层的第二区域；
所述第三源漏极结构与所述多晶硅结构电连接；
所述第二源漏极结构的另一部分与所述第三源漏极结构电连接。


6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管膜层，其特征在于，所述第三源漏极结构和所述开关器件结构的第一源漏极结构均位于第一缓冲层远离所述基材层的一侧，并与所述第一缓冲层接触。


7.根据权利要求5所述的薄膜晶体管膜层，其特征在于，所述第三栅极结构位于所述第三绝缘层远离所述基材层的一侧；
所述第四绝缘层位于所述第三栅极结构和所述第三绝缘层远离所述基材层的一侧；
所述第一栅极结构位于所述第四绝缘层远离所述第三绝缘层的一侧；
所述第一缓冲层位于所述第一栅极层和所述第四绝缘层远离所述第三绝缘层的一侧。


8.根据权利要求5-7中任一项所述的薄膜晶体管膜层，其特征在于，所述第二源漏极结构的另一部分中的至少部分用于与阳极层电连接；
和/或，所述基材层包括第二缓冲层。


9.一种显示面板，其特征在于，包括：依次层叠的如权利要求5-8中任一项所述的薄膜晶体管膜层、阳极层、发光层和阴极层；
所述薄膜晶体管膜层的第二源漏极结构的另一部分中的至少部分与所述阳极层电连接。


10.一种显示装置，其特征在于，包括：如权利要求1-4中任一项所述的开关器件结构；或，包括：如权利要求5-8中任一项所述的薄膜晶体管膜层；或，包括：如权利要求9所述的显示面板。


11.一种开关器件结构的制备方法，其特征在于，包括：
在基材层的一侧制备依次层叠的第一栅极结构、第一缓冲层和第一源漏极结构；
在所述第一缓冲层上制备氧化物半导体结构；所述氧化物半导体结构与所述第一源漏极结构的一部分接触；
在所述第一缓冲层、所述第一源漏极结构和所述氧化物半导体结构上沉积第一绝缘层；
在所述第一绝缘层上制备第二栅极结构和第二源漏极结构；所述第二源漏极结构与所述第一源漏极结构的另一部分电连接。


12.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于，所述在所述第一缓冲层上制备氧化物半导体结构，包括：
在所述第一缓冲层和所述第一源漏极结构上涂布牺牲层；
在所述牺牲层上制备光刻胶结构；所述光刻胶结构的镂空部在所述基材层的投影与所述第一源漏极结构的一部分在所述基材层的投影、以及部分所述第一缓冲层在所述基材层的投影，至少部分重合；
以所述光刻胶结构为掩膜剥离部分所述牺牲层，以露出所述第一源漏极结构的一部分，或露出...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵梦，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11