净化半导体制造设备的方法技术

一种净化半导体制造设备的方法，包括将一载气引入一半导体处理腔室，将一第一气体引入该半导体处理腔室，将一第二气体引入该半导体处理腔室，其中该第一气体与该第二气体反应并形成多个固体副产物，经由一涡流产生器从该半导体处理腔室抽吸该载气以及多个所述固体副产物，其中该涡流产生器生成一涡流污染气流，将该涡流污染气流流过一捕集腔室，其中该捕集腔室减少该载气中的多个所述固体副产物的一数量，将该载气流到一真空泵。经由这些方法，沿着抽吸管线的一部分的固体沉积物可以被移位以及去除，并且抽吸管线的一部分可以是自清洁的。

【技术实现步骤摘要】
净化半导体制造设备的方法
本公开实施例涉及一种净化的方法，尤其涉及一种净化半导体制造设备的方法。
技术介绍
包括集成电路的半导体装置被使用于各种电子应用中，像是个人电脑、移动电话、数字相机以及其他电子设备。通过依序在半导体基板上方沉积绝缘层或介电层、导电层以及材料的半导体层，并使用光刻将各种材料层图案化，以在半导体基板上形成电路构件以及元件。可以使用具有通常保持在低压或部分真空状态下的处理腔室的设备，在制造工艺期间执行一系列化学以及物理工艺。半导体产业通过不断减小最小特征尺寸来持续改善各种电子构件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，这允许将更多的构件整合到给定区域中，从而降低了集成电路的成本。维持制造成本的持续降低需要高效的集成电路制造设备以及基础设施，这可能会引起应解决的其他问题。
技术实现思路
本公开的目的在于提供一种净化半导体制造设备的方法，以解决上述至少一个问题。根据本公开的一些实施例，提供一种净化半导体制造设备的方法，此方法包括将载气引入半导体处理腔室，将第一气体引入半导体处理腔室，将第二气体引入半导体处理腔室，其中第一气体与第二气体反应并形成多个固体副产物，经由涡流产生器从半导体处理腔室抽吸载气以及固体副产物，其中涡流产生器生成涡流污染气流，将涡流污染气流流过捕集腔室，其中捕集腔室减少载气中的固体副产物的数量，以及将载气流到真空泵。根据本公开的一些实施例，提供一种净化半导体制造设备的方法，此方法包括经由第一抽吸管线从第一半导体处理腔室抽吸污染气体，污染气体包括多个固体副产物，将污染气体从第一抽吸管线流入涡流产生器，其中涡流产生器使污染气体流过螺旋结构以生成涡流污染气流，将涡流污染气流过捕集腔室以形成处理后气流，处理后气流具有较污染气体少的多个固体副产物，以及将处理后气流从捕集腔室经由第二抽吸管线流到真空泵。根据本公开的一些实施例，提供一种半导体制造设备中的真空系统，包括半导体处理腔室、第一抽吸管线、旋转风扇、粒子捕集器、第二抽吸管线、真空泵。第一抽吸管线耦接到半导体处理腔室，旋转风扇在第一抽吸管线内，粒子捕集器耦接到第一抽吸管线，其中旋转风扇介于粒子捕集器与半导体处理腔室之间，第二抽吸管线耦接到粒子捕集器，真空泵耦接到第二抽吸管线。附图说明从以下的详细描述并阅读所附附图以最佳理解本公开的各方面。应注意的是，不同特征并未一定按照比例绘制。事实上，可能任意的放大或缩小不同特征的大小及几何尺寸，以做清楚的说明。图1、图2以及图3A示出了根据一些实施例的固定叶片粒子净化单元的示例。图3B、图3C以及图3D示出了根据一些实施例的粒子捕集器的放大部分的示例。图3E示出了根据一些实施例的集成电路制造设备中的真空系统的示例。图4A示出了根据一些实施例的内部固定叶片套件的示例。图4B示出了根据一些实施例的集成电路制造设备中的真空系统的示例。图5A示出了根据一些实施例的旋转风扇以及控制器的示例。图5B示出了根据一些实施例的集成电路制造设备中的真空系统的示例。图6A示出了根据一些实施例的螺旋管的示例。图6B示出了根据一些实施例的集成电路制造设备中的真空系统的示例。图7示出了根据一些实施例的集成电路制造设备中的真空系统的一部分的示例。图8示出了根据一些实施例的在集成电路制造设备中的真空系统中的转动气体(spin-gas)自清洁(self-cleaning)抽吸管线段的示例。图9A示出了根据一些实施例的气旋(cyclonic)粒子净化单元的示例。图9B示出了根据一些实施例的气旋粒子净化单元的示例。图9C示出了根据一些实施例的集成电路制造设备中的真空系统的示例。图9D示出了根据一些实施例的集成电路制造设备中的真空系统的示例。附图标记如下：10:固定叶片涡流产生器10a:入口11:涡流管11A:直管11B:短圆锥形部分12:固定叶片12A:麻花钻螺旋固定叶片12B:螺钻螺旋固定叶片13:外管14:固定叶片粒子净化单元15:粒子捕集器16:区域17:内管17A:入口17B:出口18:捕集元件19:捕集腔室20:真空泵/主泵22:抽吸管线24:抽吸管线连接凸缘26:节流阀28:隔离阀30:处理腔室31:叶片套件管32:固体粒子33:叶片套件涡流产生器34:叶片套件粒子净化单元35:内部固定叶片套件37:旋转风扇粒子净化单元40:旋转风扇41:风扇控制器42:转子叶片43:旋转风扇涡流产生器44:电动机45:螺旋管45A:入口45B:出口46:涡流腔室47:螺旋48:螺旋管粒子净化单元49:螺旋管涡流产生器50:固体沉积物51:涡流产生器52:弯曲部54:净化单元60:气旋净化单元62:气旋锥63:气旋管64:粒子收集单元65:气旋分离器66:出口管68:入口管70:入口72:增压泵100,200,300,400,500:真空系统D1,L1距离Dc,Dn,Do:直径Di:高度L2,Lc,Lh,Lv:长度L3:高度具体实施方式以下的公开提供各种许多不同的实施例或范例以实行本公开的不同特征。以下叙述各个构件以及排列方式的特定范例，以简化本公开。当然，这些仅为范例且非意图作为限制。例如，若说明书叙述了第一特征形成于第二特征之上，即表示可包括上述第一特征与上述第二特征是直接接触的实施例，亦可包括有附加特征形成于上述第一特征与上述第二特征之间，而使上述第一特征与第二特征可未直接接触的实施例。除此之外，在各种范例中，本公开可能使用重复的参考符号及/或字母。这样的重复是为了简化以及清楚的目的，并不表示所讨论的各种实施例及/或配置之间的关联。此外，空间相关用词，如：“在…下方”、“下方”、“较低的”、“上方”、“较高的”等等的类似用词，可在这里使用以便于描述附图中一个元件或特征与另一个(些)元件或特征之间的关系。除了在附图中示出的方位外，这些空间相关用词意图涵盖使用中或运算中的装置的不同方位。设备可被转向不同方位(旋转90度或其他方位)，且在此使用的空间相关用词亦可依此相同解释。集成电路制造设备通常利用真空系统，其中操作一个或多个真空泵以在许多用于制造半导体装置的处理设备的真空腔室中维持低压，例如，从低于大气压(<760Torr)到大约一毫托。本公开描述了可以在集成电路制造设备的真空系统中使用的粒子净化单元的实施例，以从抽吸管线(在真空腔室与真空泵之间的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种净化半导体制造设备的方法，包括：/n将一载气引入一半导体处理腔室；/n将一第一气体引入该半导体处理腔室；/n将一第二气体引入该半导体处理腔室，其中该第一气体与该第二气体反应并形成多个固体副产物；/n经由一涡流产生器从该半导体处理腔室抽吸该载气以及多个所述固体副产物，其中该涡流产生器生成一涡流污染气流；/n将该涡流污染气流流过一捕集腔室，其中该捕集腔室减少该载气中的多个所述固体副产物的一数量；以及/n将该载气流到一真空泵。/n

【技术特征摘要】
20190917 US 16/573,2351.一种净化半导体制造设备的方法，包括：
将一载气引入一半导体处理腔室；
将一第一气体引入该半导体处理腔室；
将一第二气体引入该半导体处理腔室，其中该第一气体与该第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴明发，何文龙，杨怀德，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71