一种等离子体处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种等离子体处理装置，包括反应腔，反应腔包括顶壁、侧壁与底壁；位于反应腔内、且设置于顶壁处的上电极；位于反应腔内、且与上电极相对设置的下电极；位于反应腔内、且环绕下电极设置的接地环；环绕下电极设置、且连接于接地环与侧壁之间的导电支架，导电支架包括接触接地环的内接环、接触侧壁的外接环及连接于外接环和内接环之间的多个阻抗可调器件。在接地环和侧壁之间连接有包括有多个阻抗可调器件的导电支架，不同阻抗可调器件能够调节接地环不同区域的阻抗，达到调节射频回路的阻抗的目的；通过对不同阻抗可调器件的阻抗优化调节，实现射频分布对称性的调节，使得等离子体处理装置达到刻蚀均匀性高的目的。

【技术实现步骤摘要】
一种等离子体处理装置
本专利技术涉及等离子体刻蚀
，更为具体地说，涉及一种等离子体处理装置。
技术介绍
在半导体器件的制造过程中，为了在半导体晶片的结构层上形成预先设定的图案，大多采用等离子体处理装置来进行制作；具体的，以抗蚀剂作为掩模设置于结构层上，而后将其放入等离子体处理装置中，利用等离子体处理装置产生的等离子体对未被掩膜覆盖的区域进行刻蚀，最终制作完成具有预设图案的结构层。现有的等离子体处理装置，由于存在有元件结构(如基片传输通道)不对称等因素，进而能够导致刻蚀不均匀的情况出现，最终对产品性能和良率产生很大影响。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供了一种等离子体处理装置，有效解决现有技术存在的问题，使得等离子体处理装置达到刻蚀均匀性高的目的。为实现上述目的，本专利技术提供的技术方案如下：一种等离子体处理装置，包括：反应腔，所述反应腔包括顶壁、侧壁与底壁；位于所述反应腔内、且设置于所述顶壁处的上电极；位于所述反应腔内、且与所述上电极相对设置的下电极；位于所述反应腔内、且环绕所述下电极设置的接地环；以及，环绕所述下电极设置、且连接于所述接地环与所述侧壁之间的导电支架，其中，所述导电支架包括接触所述接地环的内接环、接触所述侧壁的外接环及连接于所述外接环和内接环之间的多个阻抗可调器件。可选的，所述阻抗可调器件为非电控制的阻抗可调器件。可选的，所述阻抗可调器件为可变电容器件、可变电阻器件或可变电感器件。可选的，所述阻抗可调器件为气动可变电容器件。可选的，所述气动可变电容器件包括：连接所述内接环的第一极板和连接所述外接环的第二极板；以及，与所述第一极板或第二极板连接的空气压缩管路，所述空气压缩管路通过空气压力控制连接的极板运动，而改变所述第一极板和所述第二极板之间间距。可选的，所述多个阻抗可调器件之间等间距环绕所述下电极设置。可选的，任意相邻两个所述阻抗可调器件之间间距不同。可选的，在所述多个阻抗可调器件中：部分所述阻抗可调器件中相邻两个所述阻抗可调器件之间间距相同，及另外部分所述阻抗可调器件中相邻两个所述阻抗可调器件之间间距不同。可选的，位于所述下电极与所述接地环之间还设置有边缘绝缘环。可选的，所述等离子体处理装置还包括设置于所述接地环与所述侧壁之间的约束环，且所述导电支架位于所述约束环朝向所述底壁一侧；其中，所述约束环用于将其区域处的等离子中带电离子电中和。相较于现有技术，本专利技术提供的技术方案至少具有以下优点：本专利技术提供了一种等离子体处理装置，包括：反应腔，所述反应腔包括顶壁、侧壁与底壁；位于所述反应腔内、且设置于所述顶壁处的上电极；位于所述反应腔内、且与所述上电极相对设置的下电极；位于所述反应腔内、且环绕所述下电极设置的接地环；以及，环绕所述下电极设置、且连接于所述接地环与所述侧壁之间的导电支架，其中，所述导电支架包括接触所述接地环的内接环、接触所述侧壁的外接环及连接于所述外接环和内接环之间的多个阻抗可调器件。由上述内容可知，本专利技术提供的技术方案，在环绕下电极的接地环和侧壁之间连接有导电支架，导电支架包括有多个阻抗可调器件，其中，不同阻抗可调器件能够调节接地环不同区域的阻抗，而达到调节射频回路的阻抗的目的；进而，通过对不同阻抗可调器件的阻抗优化调节，实现射频分布对称性的调节，最终使得等离子体处理装置达到刻蚀均匀性高的目的。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。图1为本申请实施例提供的一种等离子体处理装置的结构示意图；图2为本申请实施例提供的一种导电支架的结构示意图；图3为本申请实施例提供的一种气动可变电容器件的结构示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。正如
技术介绍
所述，在半导体器件的制造过程中，为了在半导体晶片的结构层上形成预先设定的图案，大多采用等离子体处理装置来进行制作；具体的，以抗蚀剂作为掩模设置于结构层上，而后将其放入等离子体处理装置中，利用等离子体处理装置产生的等离子体对未被掩膜覆盖的区域进行刻蚀，最终制作完成具有预设图案的结构层。现有的等离子体处理装置，由于存在有元件结构(如基片传输通道)不对称等因素，进而能够导致刻蚀不均匀的情况出现，最终对产品性能和良率产生很大影响。基于此，本申请实施例提供了一种等离子体处理装置，有效解决现有技术存在的问题，使得等离子体处理装置达到刻蚀均匀性高的目的。为实现上述目的，本申请实施例提供的技术方案如下，具体结合图1至图3对本申请实施例提供的技术方案进行详细的描述。结合图1和图2所示，图1为本申请实施例提供的一种等离子体处理装置的结构示意图，图2为本申请实施例提供的一种导电支架的结构示意图，其中，等离子体处理装置包括：反应腔100，所述反应腔包括顶壁101、侧壁102与底壁103；位于所述反应腔100内、且设置于所述顶壁101处的上电极200；位于所述反应腔100内、且与所述上电极200相对设置的下电极300；位于所述反应腔100内、且环绕所述下电极300设置的接地环400；以及，环绕所述下电极300设置、且连接于所述接地环400与所述侧壁102之间的导电支架500，其中，所述导电支架500包括接触所述接地环400的内接环500a、接触所述侧壁102的外接环500b及连接于所述外接环500a和内接环500b之间的多个阻抗可调器件500c。可选的，本申请实施例提供的所述等离子体处理装置还包括设置于所述接地环与所述侧壁之间的约束环，且所述导电支架位于所述约束环朝向所述底壁一侧；其中，所述约束环用于将其区域处的等离子中带电离子电中和。具体结合图1所示，本申请实施例提供的等离子体处理装置还包括设置于接地环400与侧壁102之间的约束环600，及导电支架500位于约束环600朝向底壁103一侧。其中，本申请实施例提供的等离子体处理装置的射频电流流动路径中，高频功率源为下电极300提供射频功率，而后射频电流RF自下电极300传导至上电极200，而后由上电极200再次传导至顶壁101，且沿顶壁101传导至侧壁102、导电支架500及接地环400后至接地端Gnd。在本申请一实施例中，可以通过对约束环600的气流通道尺寸和深宽比的优化设计，使得其上方等离子中的带电离子在约束环中被电中和，只有中性气体成分穿过约束环到达下方导电支架500。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：/n反应腔，所述反应腔包括顶壁、侧壁与底壁；/n位于所述反应腔内、且设置于所述顶壁处的上电极；/n位于所述反应腔内、且与所述上电极相对设置的下电极；/n位于所述反应腔内、且环绕所述下电极设置的接地环；/n以及，环绕所述下电极设置、且连接于所述接地环与所述侧壁之间的导电支架，其中，所述导电支架包括接触所述接地环的内接环、接触所述侧壁的外接环及连接于所述外接环和内接环之间的多个阻抗可调器件。/n

【技术特征摘要】
1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：
反应腔，所述反应腔包括顶壁、侧壁与底壁；
位于所述反应腔内、且设置于所述顶壁处的上电极；
位于所述反应腔内、且与所述上电极相对设置的下电极；
位于所述反应腔内、且环绕所述下电极设置的接地环；
以及，环绕所述下电极设置、且连接于所述接地环与所述侧壁之间的导电支架，其中，所述导电支架包括接触所述接地环的内接环、接触所述侧壁的外接环及连接于所述外接环和内接环之间的多个阻抗可调器件。


2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述阻抗可调器件为非电控制的阻抗可调器件。


3.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述阻抗可调器件为可变电容器件、可变电阻器件或可变电感器件。


4.根据权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述阻抗可调器件为气动可变电容器件。


5.根据权利要求4所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述气动可变电容器件包括：
连接所述内接环的第一极板和连接所述外接环的第二极板；
...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴磊，梁洁，王伟娜，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31