硅片生产控制方法、电子设备和计算机可读存储介质技术

本发明专利技术实施例涉及硅片制造领域，公开了一种硅片生产控制方法、电子设备和计算机可读存储介质。上述硅片生产控制方法包括：获取待处理硅片上的晶圆体的测试信息；根据所述测试信息，确定所述待处理硅片的良率；根据所述良率和预设的N个良率区间，确定所述待处理硅片所属的良率区间；其中，N是大于2的整数；根据所述待处理硅片所属的良率区间，对所述待处理硅片进行与所述所属的良率区间相对应的处理。本发明专利技术实施例提供的硅片生产控制方法，可以改善硅片生产一刀切的情况，对硅片的生产过程进行精细化管理，从而缩短硅片生产周期，提高硅片的生产效率。

【技术实现步骤摘要】
硅片生产控制方法、电子设备和计算机可读存储介质
本专利技术实施例涉及硅片制造领域，特别涉及一种硅片生产控制方法、电子设备和计算机可读存储介质。
技术介绍
硅片，是制作集成电路的重要材料，通过对硅片进行光刻、离子注入等手段，可以制成各种半导体器件，用硅片制成的半导体器件有着惊人的运算能力。硅片制造企业会对硅片上的晶圆体进行晶圆体测试(chipprobing，简称：CP测试)，从而判断硅片上的每个晶圆体(die)是否达标，将通过CP测试的晶圆体称为达标晶圆体(Gooddie)，否则判定为未达标晶圆体(Baddie)。若硅片中未达标晶圆体的数量过多，硅片的良率就会偏低。专利技术人发现相关技术中存在以下问题：相关技术在确定硅片良率后，仅仅简单地对硅片良率低于预设阈值的硅片进行相同的工业处理，对整个硅片批次(Lot)的管理比较粗糙，存在生产一刀切的情况，不利于产品生产的精细化管理，导致硅片生产周期偏长，从而导致硅片生产效率偏低。
技术实现思路
本专利技术实施方式的目的在于提供一种硅片生产控制方法、电子设备和计算机可读存储介质，可以改善硅片生产一刀切的情况，对硅片的生产过程进行精细化管理，从而缩短硅片生产周期，提高硅片的生产效率。为解决上述技术问题，本专利技术的实施方式提供了一种硅片生产控制方法，包括以下步骤：获取待处理硅片上的晶圆体的测试信息；根据所述测试信息，确定所述待处理硅片的良率；根据所述良率和预设的N个良率区间，确定所述待处理硅片所属的良率区间；其中，N是大于2的整数；根据所述待处理硅片所属的良率区间，对所述待处理硅片进行与所述所属的良率区间相对应的处理。本专利技术的实施方式还提供了一种电子设备，包括：至少一个处理器；以及，与所述至少一个处理器通信连接的存储器；其中，所述存储器存储有可被所述至少一个处理器执行的指令，所述指令被所述至少一个处理器执行，以使所述至少一个处理器能够执行上述硅片生产控制方法。本专利技术的实施方式还提供了一种计算机可读存储介质，存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述硅片生产控制方法。本专利技术的实施方式，获取待处理硅片上的晶圆体的测试信息，晶圆体的测试信息可以详细地表示待处理硅片上的晶圆体的实际测试结果。根据测试信息，确定待处理硅片的良率；根据良率和预设的N个良率区间，确定待处理硅片所属的良率区间；其中，N是大于2的整数。考虑到相关技术中，仅仅简单地对良率低于预设阈值的硅片进行相同的工业处理，对整个硅片生产管理比较粗糙，存在生产一刀切的情况，会造成生产资源的反复投入，使硅片的生产周期偏长，从而导致硅片生产效率偏低。本专利技术的实施方式预设N个良率区间，N是大于2的整数，即预设有至少三个良率区间，对待处理硅片进行良率区间的划分，可以使得硅片的生产过程更加合理，贴合客户的实际需要，节约生产资源。根据待处理硅片所属的良率区间，对待处理硅片进行与所属的良率区间相对应的处理，即将硅片后续进行的工业处理分为多种情况精细考虑，不同的良率区间对应不同的工业处理，可以改善硅片生产一刀切的情况，对硅片的生产过程进行精细化管理，从而缩短硅片生产周期，提高硅片的生产效率。另外，待处理硅片位于硅片批次中，硅片批次包括若干硅片；根据待处理硅片所属的良率区间，对待处理硅片进行与良率区间相对应的处理，包括：将待处理硅片从所属的硅片批次中拆批；根据待处理硅片所属的良率区间，对拆批后的待处理硅片进行与良率区间相对应的处理。考虑到硅片生产过程中一般将25张硅片作为一个硅片批次，相关技术只要硅片批次中有一张硅片的良率过低，就会认为整个硅片批次良率过低，存在一刀切的现象，且后续只能依靠人工进行拆批，不利于生产过程的精细化管理，而本专利技术的实施方式可以将划分好良率区间的硅片自动从原硅片批次中拆解出来，从而进一步改善生产一刀切的情况，进一步提高硅片的生产过程管理的精细化程度。另外，获取待处理硅片上的晶圆体的测试信息，包括：获取待处理硅片上的晶圆体的若干不同类型测试的测试信息；根据测试信息，确定待处理硅片的良率，包括：根据若干不同类型测试的测试信息，确定所述处理硅片的良率。晶圆体的若干不同类型的测试覆盖的测试范围更广，结合晶圆体的若干不同类型测试的测试信息，可以使硅片良率区间划分更加可靠、合理。另外，根据若干不同类型测试的测试信息，确定待处理硅片的良率，包括：根据若干不同类型测试的测试信息和若干不同类型测试对应的基准信息，确定待处理硅片上的若干不同类型测试均达标的晶圆体的数目；根据均达标的晶圆体的数目和待处理硅片上的晶圆体的总数，确定待处理硅片的良率，可以使硅片良率区间的划分更加科学、准确。另外，根据待处理硅片所属的良率区间，对所述处理硅片进行与所属的良率区间相对应的处理，包括；根据若干不同类型测试的测试信息和若干不同类型测试对应的基准信息，确定与若干不同类型测试对应的达标晶圆体的数目；根据与若干不同类型测试对应的达标晶圆体的数目和待处理硅片上的晶圆体的总数，确定待处理硅片的与若干不同类型测试对应的子良率，可以进一步提高硅片的生产过程管理的精细化程度。根据待处理硅片所属的良率区间和若干不同类型测试对应的子良率，对待处理硅片进行与所属的良率区间相对应的处理，可以进一步避免生产资源的反复投入，缩短硅片生产周期，从而更好地提高硅片生产效率。另外，在根据待处理硅片所属的良率区间，对待处理硅片进行与良率区间相对应的处理之后，还包括：获取待查询硅片的履历查询请求；根据待查询硅片的履历查询请求，获取以下任意之一或其组合：待查询硅片的良率、待查询硅片所属的良率区间、若干不同类型测试对应的子良率，可以对已出货的硅片进行履历查询，可以将硅片在生产过程中的数据都展示出来，使得硅片生产过程更加清晰、可靠。附图说明一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明，这些示例性说明并不构成对实施例的限定。图1是根据本专利技术第一实施方式的硅片生产控制方法的流程图；图2是根据本专利技术第一实施方式中，根据待处理硅片所属的良率区间，对待处理硅片进行与所属的良率区间相对应的处理的流程图；图3是根据本专利技术第二实施方式的硅片生产控制方法的流程图；图4是根据本专利技术第二实施方式中，根据若干不同类型测试的测试信息，确定待处理硅片的良率的流程图；图5是根据本专利技术第三实施方式的硅片生产控制方法的流程图；图6是根据本专利技术第四实施方式的硅片生产控制方法的流程图；图7是根据本专利技术第四实施方式的硅片生产控制系统的模块图；图8是根据本专利技术第五实施方式的电子设备的结构示意图。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本专利技术的各实施方式进行详细的阐述。然而，本领域的普通技术人员可以理解，在本专利技术各实施方式中，为了使读者更好地理解本申请而提出了许多技术细节。但是，即使没有这些技术细节和基于以下各实施方式的种种变化和修改，也可以实现本申请所要求保护的技术方案。以下各个实施例的划分是为了描述方便，不应对本专利技术的具体实现本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硅片生产控制方法，其特征在于，包括：/n获取待处理硅片上的晶圆体的测试信息；/n根据所述测试信息，确定所述待处理硅片的良率；/n根据所述良率和预设的N个良率区间，确定所述待处理硅片所属的良率区间；其中，N是大于2的整数；/n根据所述待处理硅片所属的良率区间，对所述待处理硅片进行与所述所属的良率区间相对应的处理。/n

【技术特征摘要】
1.一种硅片生产控制方法，其特征在于，包括：
获取待处理硅片上的晶圆体的测试信息；
根据所述测试信息，确定所述待处理硅片的良率；
根据所述良率和预设的N个良率区间，确定所述待处理硅片所属的良率区间；其中，N是大于2的整数；
根据所述待处理硅片所属的良率区间，对所述待处理硅片进行与所述所属的良率区间相对应的处理。


2.根据权利要求1所述的硅片生产控制方法，其特征在于，所述待处理硅片位于硅片批次中，所述硅片批次包括若干硅片；
所述根据所述待处理硅片所属的良率区间，对所述待处理硅片进行与所述良率区间相对应的处理，包括：
将所述待处理硅片从所属的硅片批次中拆批；
根据所述待处理硅片所属的良率区间，对拆批后的所述待处理硅片进行与所述良率区间相对应的处理。


3.根据权利要求1所述的硅片生产控制方法，其特征在于，所述获取待处理硅片上的晶圆体的测试信息，包括：
获取待处理硅片上的晶圆体的若干不同类型测试的测试信息；
根据所述测试信息，确定所述待处理硅片的良率，包括：
根据所述若干不同类型测试的测试信息，确定所述待处理硅片的良率。


4.根据权利要求3所述的硅片生产控制方法，其特征在于，所述根据所述若干不同类型测试的测试信息，确定所述待处理硅片的良率，包括：
根据所述若干不同类型测试的测试信息和所述若干不同类型测试对应的基准信息，确定所述待处理硅片上的所述若干不同类型测试均达标的晶圆体的数目；
根据所述均达标的晶圆体的数目和所述待处理硅片上的晶圆体的总数，确定所述待处理硅片的良率。


5.根据权利要求3或4所述的硅片生产控制方法，其特征在于，所述根据所述待处理硅片所属的良率区间，对所述待处理硅片进行与所述所属的良率区间相对应的处理，包括；
根据所述若干不同类型测试的测试信息和所述若干不同类...

【专利技术属性】
技术研发人员：周坤，李世鑫，
申请(专利权)人：特劢丝软件科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31