质量管理系统、质量管理方法及批次单位的晶片处理方法技术方案

一种质量管理系统，具备：存储过去批次的ＱＣ实测值的ＱＣ值存储部；获取对象批次的处理装置的装置内部信息的数据获取装置；存储装置内部信息的装置内部信息存储部；存储根据晶片内的取样密度分布分类的多个处方的处方存储部；ＱＣ值预测单元，根据装置内部信息和过去批次的ＱＣ实测值，预测对象批次的ＱＣ预测值；晶片确定单元，根据ＱＣ预测值确定构成对象批次的多个晶片中成为测定对象的样品晶片；处方选择单元，根据ＱＣ预测值，从多个处方中选择适用于样品晶片的适用处方；以及测定装置，使用适用处方对样品晶片进行ＱＣ测定，把测定结果存储在ＱＣ值存储部中。

Quality management system, quality management method, and wafer processing method for batch units

Have a quality management system: the measured value of the last batch of QC storage QC storage device; internal information processing device object batches of data acquisition device; device information storage unit internal information storage device; a plurality of memory storage according to the prescription prescription sampling density distribution within the wafer classification QC; value prediction unit, according to the measured QC device of internal information and past batch value prediction object batch QC predictive value; wafer determination unit according to the QC value to determine the sample wafer measured object structure becomes the multiple objects in the wafer batch; prescription selection unit, according to the predicted value of QC for prescription from a prescription of choice for sample wafer; and measuring device, used for determination of sample prescription QC wafer testing The set result is stored in the QC storage section.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，特别涉及适用于半导体器件的制造技术、进行批次的质量管理的。
技术介绍
半导体器件的制造使用多个半导体制造装置，通过复杂地组合了光刻工序、蚀刻工序、热处理(氧化、退火、扩散)工序、离子注入工序、薄膜形成(CVD(化学气相沉积)、溅射、蒸镀)工序、清洗(去除抗蚀剂、溶液清洗)工序、检查工序等多个工序的较长的一系列工序进行。在检查工序中，通过质量管理测定(以下称为“QC”测定)等实施各个批次的质量管理。所说“QC”测定是测定形成于各个批次的晶片的抗蚀剂图案的膜厚或线宽等的方法。根据测定结果(QC实测值)，判定晶片和整个批次合格与否(例如，参照日本专利特开平7-244694号公报)。在QC测定中，为了抑制时间和成本，抽取(取样)作为对象的批次内的多个晶片进行QC测定。以往的取样方法一般沿用上一代产品的作法。即，继续取样以前设定的批次内的特定晶片。但是，例如有时会受到在干式蚀刻工序的处理前后进行的干燥处理(seasoning)的效果的影响，使得半导体制造装置的参数变动。结果，在干燥处理前后，产生起因于半导体制造装置的参数变动的批次内的偏差。如果不考虑该批次内的偏差而抽取(取样)特定晶片进行QC测定，则即使实际上不合格率较高的应该视为超出规格的批次，也会因被取样的晶片被判定为合格品，从而该批次也被判定为合格品。因此，有可能漏过不合格批次。
技术实现思路
根据本专利技术的一个方式，提供一种质量管理系统，具备质量管理值存储部，存储过去批次的质量管理实测值；数据获取装置，获取处理对象批次的处理装置的装置内部信息；装置内部信息存储部，存储所述装置内部信息；处方(recipe)存储部，存储晶片内的取样密度的分布彼此不同的多个处方；质量管理值预测单元，从所述装置内部信息存储部读出所述装置内部信息，从所述质量管理值存储部读出所述过去批次的质量管理实测值，根据所述装置内部信息和所述质量管理实测值，预测所述对象批次的质量管理预测值；晶片确定单元，根据所述质量管理预测值，确定构成所述对象批次的多个晶片中成为测定对象的样品晶片；处方选择单元，从所述处方存储部读出所述多个处方，根据所述质量管理预测值从所述多个处方中选择适用于所述样品晶片的适用处方；测定装置，使用所述适用处方对所述样品晶片进行质量管理测定，把测定结果存储在所述质量管理值存储部中。根据本专利技术的其他方式，提供一种质量管理方法，获取处理对象批次的处理装置的装置内部信息，根据过去批次的质量管理实测值和所述装置内部信息，预测所述对象批次的质量管理预测值，根据所述质量管理预测值，确定构成所述对象批次的多个晶片中成为测定对象的样品晶片，根据所述质量管理预测值，从晶片内的取样密度的分布彼此不同的多个处方中选择适用于所述样品晶片的适用处方，使用所述适用处方对所述成为测定对象的晶片进行质量管理测定，并存储测定结果。根据本专利技术的另外其他方式，提供一种批次单位的晶片处理方法，使用处理装置处理第1批次，并存储其质量管理实测值，使用所述处理装置处理第2批次，获取所述第2批次的处理中的所述处理装置的装置内部信息，根据所述第2批次的处理中的所述装置内部信息和过去批次的质量管理实测值，预测所述第2批次的质量管理实测值，根据所述质量管理预测值，确定构成所述第2批次的多个晶片中成为测定对象的样品晶片，根据所述质量管理预测值，从晶片内的取样密度的分布彼此不同的多个处方中选择适用于所述样品晶片的适用处方，使用所述适用处方对所述成为样品晶片进行质量管理测定，根据所述质量管理测定的结果，判定所述第2批次合格与否。附图说明图1是表示本专利技术的第1实施方式的质量管理系统的一例的方框图。图2是表示本专利技术的第1实施方式的QC预测值(尺寸变换差)的一例的俯视图。图3是表示本专利技术的第1实施方式的规格的一例曲线图。图4是表示本专利技术的第1实施方式的QC预测值(尺寸变换差)的晶片内分布趋势的曲线图(之一)。图5是表示本专利技术的第1实施方式的QC预测值(尺寸变换差)的晶片内分布趋势的曲线图(之二)。图6是表示本专利技术的第1实施方式的QC预测值(尺寸变换差)的晶片内分布趋势的曲线图(之三)。图7是表示本专利技术的第1实施方式的QC预测值(尺寸变换差)的晶片内分布趋势的曲线图(之四)。图8是表示本专利技术的第1实施方式的QC预测值(尺寸变换差)的晶片内分布趋势的曲线图(之五)。图9是表示本专利技术的第1实施方式的QC预测值(尺寸变换差)的晶片内分布趋势的曲线图(之六)。图10是表示本专利技术的第1实施方式的处方的一览表。图11是用于说明本专利技术的第1实施方式的取样短路区域的步骤的晶片示意图(之一)。图12是用于说明本专利技术的第1实施方式的取样短路区域的步骤的晶片示意图(之二)。图13是用于说明本专利技术的第1实施方式的取样短路区域的步骤的晶片示意图(之三)。图14是用于说明本专利技术的第1实施方式的取样短路区域的步骤的晶片示意图(之四)。图15是用于说明本专利技术的第1实施方式的取样短路区域的步骤的晶片示意图(之五)。图16是用于说明本专利技术的第1实施方式的取样短路区域的步骤的晶片示意图(之六)。图17是表示本专利技术的第1实施方式的QC测定结果的报告书的一部分的表。图18是表示本专利技术的第1实施方式的QC测定结果的报告书的一部分的晶片示意图。图19是表示本专利技术的第1实施方式的QC测定结果的报告书的一部分即各个区域的占有率的曲线图。图20是表示本专利技术的第1实施方式的QC测定结果的报告书的一部分即各个区域的占有率的累计值的曲线图。图21是表示本专利技术的第1实施方式的QC测定结果的报告书的一部分即规格区域A的各个处方的占有率的曲线图。图22是表示本专利技术的第1实施方式的QC测定结果的报告书的一部分即规格区域A的各个处方的占有率的累计值的曲线图。图23是表示本专利技术的第1实施方式的QC测定结果的报告书的一部分即规格区域B的各个处方的占有率的曲线图。图24是表示本专利技术的第1实施方式的QC测定结果的报告书的一部分即规格区域B的各个处方的占有率的累计值的曲线图。图25是表示本专利技术的第1实施方式的QC测定结果的报告书的一部分即QC预测值的批次内偏差的曲线图。图26是表示本专利技术的第1实施方式的QC测定结果的报告书的一部分即QC值的趋势的曲线图。图27是说明本专利技术的第1实施方式的质量管理方法的一例的流程图。图28是说明本专利技术的第1实施方式的批次单位的晶片处理方法的一例的流程图。图29是说明本专利技术的第2实施方式的质量管理系统的一例的方框图。图30是用于说明本专利技术的第2实施方式的单变量分析时的马氏距离的曲线图。图31是用于说明本专利技术的第2实施方式的多变量分析时的马氏距离的曲线图。图32是用于说明本专利技术的第2实施方式的规格的趋势的曲线图。图33是用于说明本专利技术的第2实施方式的质量管理方法的一例的流程图。具体实施例方式以下，参照附图说明本专利技术的实施方式。在以下附图的记载中，对相同或类似部分赋予相同或类似符号。但是，附图是示意图。并且，以下所示的实施方式只是示例具体实施本专利技术的技术构思的系统和方法，本专利技术的技术构思并不是把构成部件的材质、形状、结构、配置等特定为下述方式。本专利技术的技术构思可以在权利要求的范围内进行各种变更。(第1实施方式)本专利技术的第1实施方式的质量管理系统如图1所示，具备存储过本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种质量管理系统，其特征在于，具备：质量管理值存储部，存储过去批次的质量管理实测值；数据获取装置，获取处理作为对象的批次的处理装置的装置内部信息；装置内部信息存储部，存储所述装置内部信息；处方存储部，存储晶片内的取样密度的分布彼此不同的多个处方；质量管理值预测单元，从所述装置内部信息存储部读出所述装置内部信息，从所述质量管理值存储部读出所述过去批次的质量管理实测值，根据所述装置内部信息和所述质量管理实测值，预测所述作为对象的批次的质量管理预测值；晶片确定单元，根据所述质量管理预测值，确定构成所述作为对象的批次的多个晶片中成为测定对象的样品晶片；处方选择单元，从所述处方存储部读出所述多个处方，根据所述质量管理预测值从所述多个处方中选择适用于所述样品晶片的适用处方；以及测定装置，使用所述适用处方对所述样品晶片进行质量管理测定，把测定结果存储在所述质量管理值存储部中。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：小川章，牛久幸广，井野知巳，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：JP[日本]