本发明专利技术涉及半导体技术领域，尤其涉及一种原子层沉积装置及OLED封装方法。所述原子层沉积腔室包括腔体、工作台和工件挡板，工作台设置在腔体的底部，用于放置工件；腔体的顶部上开设有第一进气口，腔体的侧壁上开设有第二进气口；从第一进气口和第二进气口进入的气体能够分路径扩散至工件的待成膜区，并在工件的待成膜区反应形成膜层；工件挡板间隔设置在工作台的上方，工件挡板包括非遮挡区和无孔遮挡区，无孔遮挡区用于遮挡工件的待成膜区，防止腔体内的颗粒物沉积在工件待成膜区，减少工件待成膜区上的颗粒物，提高产品良率。所述OLED封装方法通过应用上述原子层沉积装置，能够减少工件表面颗粒物数量，提高产品良率。
【技术实现步骤摘要】
一种原子层沉积装置及OLED封装方法
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种原子层沉积装置及OLED封装方法。
技术介绍
目前，现有的原子层沉积装置，由于Al2O3等金属薄膜无法自清洁，使得原子层沉积腔室内颗粒物随着腔室使用次数的增多而增加，若颗粒物落在基板上容易导致基板出现异常，从而降低产品良率。因此，亟待需要一种原子层沉积装置以解决上述问题。
技术实现思路
本专利技术的一个目的在于提供一种原子层沉积装置，能够减少工件表面颗粒物数量，提高产品良率。本专利技术的另一个目的在于提供一种OLED封装方法，通过应用上述原子层沉积装置，能够减少工件表面颗粒物数量，提高产品良率。为实现上述目的，提供以下技术方案：一方面，提供了一种原子层沉积装置，包括：腔体，所述腔体的顶部上开设有第一进气口，所述腔体的侧壁上开设有第二进气口；工作台，设置在所述腔体的底部，用于放置工件；工件挡板，间隔设置在所述工作台的上方，所述工件挡板包括非遮挡区和无孔遮挡区，所述无孔遮挡区用于遮挡所述工件的待成膜区，且从所述第一进气口和所述第二进气口进入的气体能够分路径扩散至所述工件的待成膜区。作为所述原子层沉积装置的可选方案，所述非遮挡区上设置有开孔，所述开孔用于使从所述第一进气口进入的气体通过。作为所述原子层沉积装置的可选方案，所述非遮挡区与所述无孔遮挡区之间的过渡区上设置有多个微米级气孔。作为所述原子层沉积装置的可选方案，所述工件挡板的边缘向上翘起形成第一气流引导结构。作为所述原子层沉积装置的可选方案，所述腔体的侧壁上设置有与所述第一气流引导结构相对设置的第二气流引导结构，且所述第二气流引导结构位于所述第二进气口的上方。作为所述原子层沉积装置的可选方案，所述第二气流引导结构的外表面为由外至内倾斜向下设置的弧面。作为所述原子层沉积装置的可选方案，所述第二进气口由外至内倾斜向下设置。作为所述原子层沉积装置的可选方案，所述工件挡板可拆卸地设置在所述腔体内。作为所述原子层沉积装置的可选方案，所述腔体的侧壁上设置有支架，所述工件挡板可拆卸地设置在所述支架上。另一方面，提供了一种OLED封装方法，包括如上所述的原子层沉积装置，包括如下步骤：将OLED基底放置在工作台上，并将工件挡板安装于所述OLED基底上方；从第一进气口提供第一反应气体，沿第一路径吸附在所述OLED基底待成膜表面；利用氮气吹扫置换腔体内气体氛围；从第二进气口提供第二反应气体，沿第二路径吸附在所述OLED基底待成膜表面。与现有技术相比，本专利技术的有益效果为：本专利技术提供的原子层沉积装置，包括腔体、工作台和工件挡板，工作台设置在腔体的底部，用于放置工件；腔体的顶部上开设有第一进气口，腔体的侧壁上开设有第二进气口；从第一进气口和第二进气口进入的气体能够分路径扩散至工件的待成膜区，并在工件的待成膜区反应形成膜层；工件挡板间隔设置在工作台的上方，工件挡板包括非遮挡区和无孔遮挡区，无孔遮挡区用于遮挡工件的待成膜区，防止腔体内的颗粒物沉积在工件待成膜区，减少工件待成膜区上的颗粒物，提高产品良率。本专利技术提供的OLED封装方法，通过应用上述原子层沉积装置，能够减少工件表面颗粒物数量，提高产品良率。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对本专利技术实施例描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据本专利技术实施例的内容和这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例提供的原子层沉积装置的结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的腔体内部的俯视图；图3为本专利技术实施例提供的工件挡板上收纳结构的结构示意图。附图标记：100-工件；1-腔体；11-第一进气口；12-第二进气口；13-支架；2-工作台；3-工件挡板；31-收纳结构。具体实施方式为了使本领域技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本专利技术的技术方案。在本专利技术的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“相连”、“连接”、“固定”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。在本专利技术中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。在本实施例的描述中，术语“上”、“下”、“左”、“右”等方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述和简化操作，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅仅用于在描述上加以区分，并没有特殊的含义。如图1所示，本实施例提供了一种原子层沉积装置，包括腔体1、工作台2和工件挡板3，工作台2设置在腔体1的底部，用于放置工件100；腔体1的顶部上开设有第一进气口11，腔体1的侧壁上开设有第二进气口12；从第一进气口11和第二进气口12进入的气体能够分路径扩散至工件100的待成膜区，并在工件100的待成膜区反应形成膜层；工件挡板3间隔设置在工作台2的上方，工件挡板3包括非遮挡区和无孔遮挡区，无孔遮挡区用于遮挡工件100的待成膜区，防止腔体1内的颗粒物沉积在工件待成膜区，减少工件待成膜区上的颗粒物，提高产品良率。需要说明的是，工件100可以是基板或OLED基底等。工件挡板3的尺寸大于工件100尺寸，以保证工件挡板3能够更好地遮挡工件100。可选地，工作台2上可放置一件工件100，工件挡板3的尺寸大于一件工件100的尺寸；如图2所示，工作台2上还可以放置2-4件工件100，因此，工件挡板3的尺寸还可以是大于四件工件100的尺寸，保证工件挡板3能够更好地遮挡工件100，保证工件100成膜质量。工件挡板3的非遮挡区上设置有开孔，开孔用于使从第一进气口11进入的气体通过，便于从第一进气口11进入的气体扩散至工件100的待成膜区。可选地，工件挡板3的非遮挡区与无孔遮挡区之间的过渡区上设置有多个微米级气孔，微米级气孔可起到分子筛的作用，保证工艺气体通过，阻挡颗粒物通过，同时能够保证工件100表面薄膜沉本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种原子层沉积装置，其特征在于，包括：/n腔体(1)，所述腔体(1)的顶部上开设有第一进气口(11)，所述腔体(1)的侧壁上开设有第二进气口(12)；/n工作台(2)，设置在所述腔体(1)的底部，用于放置工件(100)；/n工件挡板(3)，间隔设置在所述工作台(2)的上方，所述工件挡板(3)包括非遮挡区和无孔遮挡区，所述无孔遮挡区用于遮挡所述工件(100)的待成膜区，且从所述第一进气口(11)和所述第二进气口(12)进入的气体能够分路径扩散至所述工件(100)的待成膜区。/n
【技术特征摘要】
1.一种原子层沉积装置，其特征在于，包括：
腔体(1)，所述腔体(1)的顶部上开设有第一进气口(11)，所述腔体(1)的侧壁上开设有第二进气口(12)；
工作台(2)，设置在所述腔体(1)的底部，用于放置工件(100)；
工件挡板(3)，间隔设置在所述工作台(2)的上方，所述工件挡板(3)包括非遮挡区和无孔遮挡区，所述无孔遮挡区用于遮挡所述工件(100)的待成膜区，且从所述第一进气口(11)和所述第二进气口(12)进入的气体能够分路径扩散至所述工件(100)的待成膜区。
2.根据权利要求1所述的原子层沉积装置，其特征在于，所述非遮挡区上设置有开孔，所述开孔用于使从所述第一进气口(11)进入的气体通过。
3.根据权利要求2所述的原子层沉积装置，其特征在于，所述非遮挡区与所述无孔遮挡区之间的过渡区上设置有多个微米级气孔。
4.根据权利要求1所述的原子层沉积装置，其特征在于，所述工件挡板(3)的边缘向上翘起形成第一气流引导结构。
5.根据权利要求4所述的原子层沉积装置，其特征在于，所述腔体(1)的侧壁上设置有与所述第一气流引导结构相对设置的第二气...
【专利技术属性】
技术研发人员：廖良生，朱颖晖，梁舰，祝晓钊，王艳华，冯敏强，
申请(专利权)人：江苏集萃有机光电技术研究所有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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