一种显示面板及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及显示技术领域，公开一种显示面板及显示装置，显示面板包括：衬底、形成于衬底上且阵列分布的多个像素单元，以及，由经干刻处理的非晶硅制成的反射层；反射层与多个像素单元位于衬底的同侧，每个像素单元在衬底上的正投影形成一个发光区域，每相邻两行发光区域以及每相邻两列发光区域之间形成非发光区域，反射层在衬底上的正投影位于非发光区域内。在上述显示面板中，反射层在衬底上的正投影位于非发光区内，以免反射层反射的光对像素单元发射的光形成干扰，也可避免反射层对像素单元形成遮挡；并且，由于反射层由经干刻处理的非晶硅制成，相对于采用金属层形成镜面，可减小寄生电容，提升显示质量。

【技术实现步骤摘要】
一种显示面板及显示装置
本专利技术涉及显示
，特别涉及一种显示面板及显示装置。
技术介绍
电致有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode，OLED)具有响应速度快、工作电压低、自发光、可柔性弯曲、高对比度等特性，广泛应用于手机和平板等显示装置中。近年来，已提出并积极地发展了除图像显示功能之外还具有镜面功能的显示装置，也就是说，在图像显示状态下，显示装置显示图像，在镜面显示状态下，显示装置作为镜子使用。不仅应用到家居、商场、广告宣传、美妆美容等应用场下，还会应用到车载后视镜等应用场景。但是，在现有技术中，通常在显示面板中形成金属层作为镜面，容易增加寄生电容问题，影响显示质量。
技术实现思路
本专利技术公开了一种显示面板，用于降低显示面板的寄生电容，提升显示质量。为达到上述目的，本专利技术提供以下技术方案：第一方面，提供了一种显示面板，所述显示面板包括：衬底、形成于所述衬底上且阵列分布的多个像素单元，以及，由经干刻处理的非晶硅制成的反射层；所述反射层与所述多个像素单元位于所述衬底的同侧，每个所述像素单元在所述衬底上的正投影形成一个发光区域，每相邻两行所述发光区域以及每相邻两列所述发光区域之间形成非发光区域，所述反射层在所述衬底上的正投影位于所述非发光区域内。在上述显示面板中，反射层在衬底上的正投影位于非发光区内，以免反射层反射的光对像素单元发射的光形成干扰，也可避免反射层对像素单元形成遮挡；并且，由于反射层由经干刻处理的非晶硅制成，相对于采用金属层形成镜面，可减小寄生电容，提升显示质量。可选地，所述显示面板包括位于所述衬底一侧的层间介质层，所述反射层位于所述层间介质层背离所述衬底的一侧。可选地，所述显示面板包括位于所述衬底一侧的薄膜封装层，所述反射层位于所述薄膜封装层背离所述衬底的一侧。可选地，所述显示面板还包括位于所述薄膜封装层背离所述衬底一侧的彩膜层，所述反射层与所述彩膜层同层设置。可选地，所述显示面板包括与所述彩膜层同层设置的非晶硅层；所述非晶硅层的一部分结构的投影位于所述发光区域、以用于形成与部分所述像素单元对应的红色彩膜；另一部分结构的投影位于所述非发光区域内、且背离所述衬底的表面经干刻处理、以用于形成所述反射层。可选地，所述反射层相对的两个边缘分别具有P区和N区，所述P区和所述N区分别连接有数据线，以形成光电二极管。可选地，所述显示面板还包括黑矩阵层，所述黑矩阵层位于所述反射层背离所述衬底的一侧，且所述黑矩阵层在所述衬底表面的投影位于所述非发光区域内；所述黑矩阵层具有避让开口，所述反射层在所述衬底表面的正投影与所述黑矩阵层在所述衬底表面的正投影无交叠。可选地，所述显示面板还包括黑矩阵层，所述黑矩阵层位于所述反射层朝向所述衬底的一侧，且所述黑矩阵层在所述衬底表面的投影位于所述非发光区域内。可选地，所述反射层在所述衬底表面的正投影与所述黑矩阵层在所述衬底表面的正投影重合。可选地，所述黑矩阵层在所述衬底表面的正投影位于所述反射层在所述衬底表面的正投影内，且所述黑矩阵层中部具有开口。第二方面，提供了一种显示装置，该显示装置包括：上述任一项技术方案提供的显示面板。所述的显示装置与上述的显示面板相对于现有技术所具有的优势相同，在此不再赘述。附图说明图1为本申请实施例提供的一种显示面板的结构示意图；图2为本申请实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；图3为本申请实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；图4为本申请实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；图5a为本申请实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；图5b为本申请实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；图6为本申请实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；图7为本申请实施例提供的另一种显示面板的结构示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。本申请实施例提供的显示面板包括：衬底1、形成于衬底1上且阵列分布的多个像素单元，以及，由经干刻(DryEtch)处理的非晶硅制成的反射层7；反射层7与多个像素单元位于衬底1的同侧，每个像素单元在衬底1上的正投影形成一个发光区域(如A1和A2)，每相邻两行发光区域(如A1和A2)以及每相邻两列发光区域(如A1和A2)之间形成非发光区域(如B1)，反射层7在衬底1上的正投影位于非发光区域(如B1)内。在上述显示面板中，反射层7在衬底1上的正投影位于非发光区域(如B1)内，以免反射层7反射的光对像素单元发射的光形成干扰，也可避免反射层7对像素单元形成遮挡；并且，由于反射层7由经干刻处理的非晶硅制成，相对于采用金属层形成镜面，可减小寄生电容，提升显示质量。因干刻工艺中有H2流量，H2的加入能够提高选择比，避免对a-Si的刻蚀。因此，干刻工艺只是对非晶硅表面进行处理，损伤甚小，干刻后的非晶硅外观犹如金属层，具有高反射率的特性。具体可参考图1，显示面板01包括衬底1和形成于衬底1上、且呈阵列分布的薄膜晶体管层(图T1和T2)，以薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)T1为例，薄膜晶体管T1包括源漏金属层12和栅极11，栅极11与源漏金属层12中的有源层通过栅绝缘层(GateInsulator，GI)2隔离开，通过控制栅极11的信号，控制源漏金属层12中的有源层的电流通断，栅绝缘层3覆盖于栅极11上。层间介质层4覆盖在栅绝缘层3上，平坦化层5覆盖于层间介质层4上，像素界定层6覆盖于平坦化层5上，薄膜封装层8覆盖于像素界定层6上，保护层15位于薄膜封装层8上。源漏金属层12的漏极金属贯穿栅绝缘层2和栅绝缘层3直到平坦化层5下，阳极层9和发光器件层10依次层叠设置于像素界定层6的像素坑中，并与薄膜晶体管T1相对设置，阳极层9通过金属过孔与源漏金属层12的漏极金属连通，彩膜层17位于保护层15和薄膜封装层8之间、且与薄膜晶体管T1相对。该薄膜晶体管T1的结构可以是已知的、常用的薄膜晶体管结构，在此不再赘述，薄膜晶体管T2的结构可以参考薄膜晶体管T1，相对应地，阳极层14、发光器件层13和彩膜层18的设置参考阳极层9、发光器件层10和彩膜层17的设置，且与薄膜晶体管T2相对设置。彩膜层17、阳极层9、发光器件层10和薄膜晶体管T1示例性地形成一个像素单元，这个像素单元在衬底1表面形成发光区域A1；类似地，彩膜层18、阳极层14、发光器件层13和薄膜晶体管T2示例性地形成一个像素单元，该像素单元在衬底1表面形成发光区域A2，发光区域A1和发光区域A2之间形成非发光区域B1。彩膜层18示例性地为绿色滤膜，彩膜层17示本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括：衬底、形成于所述衬底上且阵列分布的多个像素单元，以及，由经干刻处理的非晶硅制成的反射层；/n所述反射层与所述多个像素单元位于所述衬底的同侧，每个所述像素单元在所述衬底上的正投影形成一个发光区域，每相邻两行所述发光区域以及每相邻两列所述发光区域之间形成非发光区域，所述反射层在所述衬底上的正投影位于所述非发光区域内。/n

【技术特征摘要】
1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括：衬底、形成于所述衬底上且阵列分布的多个像素单元，以及，由经干刻处理的非晶硅制成的反射层；
所述反射层与所述多个像素单元位于所述衬底的同侧，每个所述像素单元在所述衬底上的正投影形成一个发光区域，每相邻两行所述发光区域以及每相邻两列所述发光区域之间形成非发光区域，所述反射层在所述衬底上的正投影位于所述非发光区域内。


2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板包括位于所述衬底一侧的层间介质层，所述反射层位于所述层间介质层背离所述衬底的一侧。


3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板包括位于所述衬底一侧的薄膜封装层，所述反射层位于所述薄膜封装层背离所述衬底的一侧。


4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括位于所述薄膜封装层背离所述衬底一侧的彩膜层，所述反射层与所述彩膜层同层设置。


5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板包括与所述彩膜层同层设置的非晶硅层；
所述非晶硅层的一部分结构的投影位于所述发光区域、以用于形成与部分所述像素单元对应的红色彩膜；
另一部分结构的投影位于所述非发光区域内、且背离所述衬底的表...

【专利技术属性】
技术研发人员：任怀森，侯鹏，杨柯，夏维，高涛，杨钟，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，成都京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11