蚀刻方法、等离子体处理装置和基片处理系统制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种利用容易与有机膜一起被去除的保护膜，来抑制因有机膜的等离子体蚀刻而导致的弓形歪曲的发生的蚀刻方法、等离子体处理装置和基片处理系统。在一个例示的实施方式中，提供了一种蚀刻方法。蚀刻方法包括对有机膜执行等离子体蚀刻的步骤(a)。在有机膜上形成有掩模。通过等离子体蚀刻在有机膜形成凹部。蚀刻方法还包括在划分出凹部的有机膜的侧壁面上形成有机保护膜。蚀刻方法还包括在步骤(b)之后执行对有机膜的进一步等离子体蚀刻的步骤(c)。

【技术实现步骤摘要】
蚀刻方法、等离子体处理装置和基片处理系统
本公开例示的实施方式涉及蚀刻方法、等离子体处理装置和基片处理系统。
技术介绍
下述专利文献1公开了有机膜的等离子体蚀刻。在专利文献1的等离子体蚀刻中，使用含有氧气、硫化羰气体和氯气的混合气体。有机膜在硫和氯化硅附着于有机膜的侧壁面的同时被蚀刻。因此，抑制了因有机膜的蚀刻而形成的凹部在横向上扩宽。即，抑制了弓形歪曲(bowing)，从而改善了凹部的形状。现有技术文献专利文献专利文献1：特开2015-12178号公报。
技术实现思路
专利技术要解决的问题本公开提供了一种利用容易与有机膜一起被去除的保护膜，来抑制因有机膜的等离子体蚀刻而导致的弓形歪曲的发生的技术。用于解决问题的技术手段在一个例示的实施方式中，提供了蚀刻方法。蚀刻方法包括对有机膜执行等离子体蚀刻的步骤(a)。在有机膜上形成有掩模。通过等离子体蚀刻，在有机膜形成凹部。蚀刻方法还包括在划分出凹部的有机膜的侧壁面上形成有机保护膜的步骤(b)。蚀刻方法包括在步骤(b)之后执行对有机膜的进一步等离子体蚀刻的步骤(c)。专利技术效果根据一个例示的实施方式，能够利用容易与有机膜一起被去除的保护膜，来抑制因有机膜的等离子体蚀刻而导致的弓形歪曲的发生。附图说明图1是一个例示的实施方式的蚀刻方法的流程图。图2是一个例子的基片的一部分放大截面图。图3是概要地示出一个例示的实施方式的等离子体处理装置的图。图4是示出图3所示的等离子体处理装置中的多个加热器的布置的图。图5的(a)是在图1所示的蚀刻方法的步骤ST1执行后的状态下的一个例子的基片的一部分放大截面图，图5的(b)是在图1所示的蚀刻方法的步骤ST2执行后的状态下的一个例子的基片的一部分放大截面图。图6的(a)是在图1所示的蚀刻方法的步骤ST3执行后的状态下的一个例子的基片的一部分放大截面图，图6的(b)是在有机膜的蚀刻结束时的状态下的一个例子的基片的一部分放大截面图。图7的(a)是在图1所示的蚀刻方法的步骤ST4执行后的状态下的一个例子的基片的一部分放大截面图，图7的(b)是在图1所示的蚀刻方法的步骤ST5执行后的状态下的一个例子的基片的一部分放大截面图。图8的(a)是在膜EF的蚀刻结束时的状态下的一个例子的基片的一部分放大截面图，图8的(b)是在图1所示的蚀刻方法的步骤ST6执行后的状态下的一个例子的基片的一部分放大截面图。图9是图1所示的蚀刻方法的步骤ST2的一个例子的流程图。图10是图1所示的蚀刻方法的步骤ST2的另一个例子的流程图。图11是概要地示出一个例示的实施方式的基片处理系统的图。图12的(a)、图12的(b)和图12的(c)是示出实验结果的图。图13是示出实验结果的图。附图标记说明MT……方法，W……基片，MK……掩模，OF……有机膜，PF……有机保护膜，RP……凹部。具体实施方式以下，关于各种例示的实施方式进行说明。在一个例示的实施方式中，提供蚀刻方法。蚀刻方法包括对有机膜执行等离子体蚀刻的步骤(a)。在有机膜上形成有掩模。通过等离子体蚀刻，在有机膜形成凹部。蚀刻方法还包括在划分出凹部的有机膜的侧壁面上形成有机保护膜的步骤(b)。蚀刻方法包括在步骤(b)之后，执行对有机膜的进一步等离子体蚀刻的步骤(c)。在上述实施方式的蚀刻方法中，有机膜和有机保护膜由有机材料形成。因此，有机保护膜能够容易与有机膜一起被去除。该有机保护膜在有机膜形成了凹部之后，形成于有机膜的侧壁面上。有机膜在侧壁面被有机保护膜保护的状态下进一步被蚀刻。因此，利用容易与有机膜一起被去除的保护膜，能够抑制因有机膜的等离子体蚀刻而导致的弓形歪曲的发生。在一个例示的实施方式中，可以交替地反复执行步骤(b)和步骤(c)。在一个例示的实施方式中，掩模可以含有硅。在一个例示的实施方式中，步骤(b)可以在凹部的深宽比为5以下时开始执行。根据该实施方式，能够更有效地抑制有机膜的弓形歪曲的发生。在一个例示的实施方式中，有机保护膜可以共形地形成在具有步骤(a)之后的状态的有机膜的基片的表面上。在一个例示的实施方式中，有机膜可以形成在其他膜上。在该实施方式中，蚀刻方法可以还包括在通过步骤(c)而使其他膜局部地露出之后，对其他膜执行等离子体蚀刻的步骤(d)。在一个例示的实施方式中，蚀刻方法可以还包括在步骤(d)之后执行去除有机膜的灰化处理的步骤(e)。在灰化处理中，与有机膜一起去除有机保护膜。在一个例示的实施方式中，蚀刻方法可以包括在步骤(d)之后，在有机膜和其他膜中的划分出连续的凹部的侧壁面上，进一步形成有机保护膜的步骤(f)。在该实施方式中，在步骤(f)之后，再次执行步骤(d)。在另一例示的实施方式中，提供用于蚀刻有机膜的等离子体处理装置。在有机膜上形成有掩模。等离子体处理装置包括腔室、基片支承器、气体供给部、高频电源和控制部。基片支承器设置在腔室内。气体供给部构成为能够向腔室内供给含有碳的前体气体和用于蚀刻有机膜的处理气体。高频电源构成为能够为了在腔室内使气体生成等离子体而产生高频电功率。控制部构成为能够控制气体供给部和高频电源。为了对有机膜执行等离子体蚀刻来在该有机膜形成凹部，控制部控制气体供给部使其向腔室内供给处理气体，并且控制高频电源使其供给高频电功率以使得从处理气体生成等离子体。为了在划分出凹部的有机膜的侧壁面上形成有机保护膜，控制部控制气体供给部使其向腔室内供给前体气体。为了执行对有机膜的进一步等离子体蚀刻，控制部控制气体供给部使其向腔室内供给处理气体，并且控制高频电源使其供给高频电功率以使得从处理气体生成等离子体。在又一例示的实施方式中，提供一种用于蚀刻基片的有机膜的基片处理系统。基片具有有机膜和掩模。掩模设置在有机膜上。基片处理系统包括一个以上的等离子体处理装置、成膜装置、输送组件和控制部。输送组件提供与一个以上的等离子体处理装置和成膜装置连接的能够减压的空间，并且构成为能够经由该空间向一个以上的等离子体处理装置和成膜装置输送基片。控制部构成为能够控制一个以上的等离子体处理装置、成膜装置和输送组件。控制部控制输送组件使其将基片输送到一个以上的等离子体处理装置中的一个等离子体处理装置。为了对有机膜执行等离子体蚀刻来在该有机膜形成凹部，控制部控制一个等离子体处理装置使其生成处理气体的等离子体。控制部控制输送组件使其将执行了等离子体蚀刻的基片输送到成膜装置。控制部控制成膜装置使其执行在划分出凹部的有机膜的侧壁面上形成有机保护膜的成膜处理。控制部控制输送组件使其将执行了成膜处理的基片输送到一个以上的等离子体处理装置中的一个等离子体处理装置。为了执行对有机膜的进一步等离子体蚀刻，控制部对执行了成膜处理的基片所输送到的一个等离子体处理装置进行控制，使其生成处理气体的等离子体。以下，参照附图详细说明各种例示的实施方式。此外，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种蚀刻方法，其特征在于，包括：/n步骤(a)，对有机膜执行等离子体蚀刻，其中，在该有机膜上形成有掩模，通过该等离子体蚀刻在所述有机膜形成凹部；/n步骤(b)，在划分出所述凹部的所述有机膜的侧壁面上形成有机保护膜；和/n步骤(c)，在所述步骤(b)之后，执行对所述有机膜的进一步等离子体蚀刻。/n

【技术特征摘要】
20190913 JP 2019-167063;20200715 JP 2020-1216131.一种蚀刻方法，其特征在于，包括：
步骤(a)，对有机膜执行等离子体蚀刻，其中，在该有机膜上形成有掩模，通过该等离子体蚀刻在所述有机膜形成凹部；
步骤(b)，在划分出所述凹部的所述有机膜的侧壁面上形成有机保护膜；和
步骤(c)，在所述步骤(b)之后，执行对所述有机膜的进一步等离子体蚀刻。


2.如权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于：
交替地反复执行所述步骤(b)和所述步骤(c)。


3.如权利要求1或2所述的蚀刻方法，其特征在于：
所述掩模含有硅。


4.如权利要求1～3中任一项所述的蚀刻方法，其特征在于：
所述步骤(b)在所述凹部的深宽比为5以下时开始执行。


5.如权利要求1～4中任一项所述的蚀刻方法，其特征在于：
所述有机保护膜共形地形成在具有所述步骤(a)之后的状态的所述有机膜的基片的表面上。


6.如权利要求1～5中任一项所述的蚀刻方法，其特征在于：
所述有机膜是设置在其他膜上的，
所述蚀刻方法还包括在通过所述步骤(c)而使所述其他膜局部地露出之后，对所述其他膜执行等离子体蚀刻的步骤(d)。


7.如权利要求6所述的蚀刻方法，其特征在于：
还包括在所述步骤(d)之后执行去除所述有机膜的灰化处理的步骤(e)。


8.如权利要求6或7所述的蚀刻方法，其特征在于：
还包括在所述步骤(d)之后，在所述有机膜和所述其他膜中的划分出连续的凹部的侧壁面上，进一步形成有机保护膜的步骤(f)，
在所述步骤(f)之后，再次执行所述步骤(d)。


9.一种用于蚀刻有机膜的等离子体处理装置，其特征在于：
在该有机膜上形成有掩模，
所述等离子体处理装置包括：
腔室；
设置在所述腔室内的基片支承器；
气体供给部，其构成为能够向所述腔室内供给含有碳的...

【专利技术属性】
技术研发人员：胜沼隆幸，本田昌伸，中根由太，石川慎也，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP