反射性掩模坯料的制造方法、反射性掩模坯料和反射性掩模的制造方法技术

本发明专利技术涉及一种反射性掩模坯料的制造方法、反射性掩模坯料和反射性掩模的制造方法。具体涉及一种反射性掩模坯料，其包括衬底、从衬底侧依次形成在衬底的一个主表面上的用于EUV光反射的多层反射膜、保护膜和用于EUV光吸收的吸收体膜以及导电膜。在衬底的其他主表面上形成坐标参比标记时，在另一主表面上形成坐标参比标记。

【技术实现步骤摘要】
反射性掩模坯料的制造方法、反射性掩模坯料和反射性掩模的制造方法相关申请的交叉引用根据35U.S.C§119(a)，此非临时申请要求于2019年9月13日在日本提交的专利申请2019-166813的优先权，其全部内容通过引用合并于此。
本专利技术涉及一种反射性掩模坯料及其制造方法，尤其涉及适合于制造具有减少的相位缺陷的反射性掩模的反射性掩模坯料，及其制造方法。本专利技术还涉及一种使用该反射性掩模坯料制造具有减少的相位缺陷的反射性掩模的方法。
技术介绍
在半导体器件的制造过程中，使用光学光刻技术，其中将形成在转印掩模上的电路图案通过缩小投射光学系统转印到半导体衬底(半导体晶片)上，该光学系统对该掩模照射曝光光。目前，曝光光的主流波长为通过氟化氩(ArF)准分子激光的193nm。通过采用称为多图案化结合多曝光过程和多处理(刻蚀)过程的工艺，可以最终形成尺寸小于曝光波长的图案。但是，由于有必要形成更细的图案，因此使用波长短于ArF准分子激光的极紫外光(以下称为“EUV”)作为曝光光的EUV光刻技术是有前途的。EUV光是具有约0.2至100nm的波长的光，更具体地，是具有约13.5nm的波长的光。该EUV光对物质具有非常低的透过性，并且不能用于常规的透射投射光学系统或掩模，因此，应用了反射型光学元件。因此，还提出了反射性掩模作为用于图案转印的掩模。反射性掩模具有形成在衬底上并反射EUV光的多层反射膜，以及形成在多层反射膜上并吸收EUV光的图案化吸收体膜。另一方面，将吸收体膜图案化之前的材料称为反射性掩模坯料，并用作反射性掩模的材料。在反射性掩模的制造过程中，通过刻蚀反射性掩模坯料的吸收体膜来形成图案，然后通常检查该图案。当检测到缺陷时，修复该缺陷。但是，在反射性掩模的情况下，除了得自一些情形中的吸收体膜和吸收体图案的缺陷以外，还存在其中由于多层反射膜的结构无序而导致反射率降低的缺陷,即所谓相位缺陷。此外，在形成吸收体图案之后，很难直接校准多层反射膜中的相位缺陷。在这种情况下，已经对用于检测反射性掩模坯料中的相位缺陷的技术进行了许多研究。例如，JP-A2003-114200(专利文献1)公开了一种利用暗视场检查图像作为通过使用EUV光来检测多层反射膜内部的相位缺陷的方法的技术。此外，JP-AH6-349715(专利文献2)公开了一种利用X射线显微镜中的明场作为通过使用EUV光检测多层反射膜内部的相位缺陷的方法的技术。这些方法准确地检测出多层反射膜中的相位缺陷。特别地，在专利文献1中描述的使用EUV光的暗场检测方法中，可以将在具有多层反射膜的反射性掩模坯料中特有的相位缺陷检测为具有高灵敏度的亮点信号。因此，这是用于在形成多层反射膜之后确定相位缺陷是否存在的非常有效的方法。另一方面，作为即使在反射性掩模坯料中残留相位缺陷也在反射性掩模的制造阶段最终完成减少相位缺陷的方法，例如，JP-A2002-532738(专利文献3)公开了当由其中存在相位缺陷的反射性掩模坯料的吸收体膜形成吸收体图案而不修复相位缺陷时，通过修改吸收体图案的轮廓来改善用曝光工具在转印图案中的投射图像的技术。在该方法中，在形成吸收体图案之后，需要基于吸收体图案的坐标来准确地获得多层反射膜中的相位缺陷的位置。然而，在形成图案之后难以精确确定相位缺陷的位置。此外，WO2014/129527A1(专利文献4)公开了一种通过如下方式避开相位缺陷的位置而对吸收体膜进行图案化的技术：在吸收体膜上形成参比标记，在多层反射膜中获得相位缺陷的位置，作为在多层反射膜上的吸收体膜的表面的凹凸位置，并转换为缺陷相对于参比标记的位置信息，并根据该缺陷位置信息进一步修改绘制数据用于对吸收体膜进行图案化。在该方法中，不必将参比标记雕刻到多层反射膜中，因此可以降低由于雕刻参比标记而引起的颗粒产生的风险。但是，在某些相位缺陷中，作为多层反射膜的表面的凹凸，几乎不会出现降低反射率的多层反射膜中的结构无序。因此，在吸收体膜的检查中，难以准确地获得所有相位缺陷的位置信息。因此，通过该方法获得的反射性掩模坯料不能在避免所有相关相位缺陷的情况下绘制吸收体图案，因此该方法不能在形成吸收体图案时高精度地避免相位缺陷。引文清单专利文献1：JP-A2003-114200专利文献2：JP-AH6-349715专利文献3：JP-A2002-532738专利文件4：WO2014/129527A1专利文件5：JP-A2007-200953
技术实现思路
例如，作为用于高精度地检测和避免相位缺陷的方法，考虑在衬底上设置凹或凸的标记，以用作配置坐标系的参比标记。根据该方法，可在衬底上形成的参比标记上形成多层反射膜，并且在随后的相位缺陷检查中参照参比标记来确定多层反射膜中的相位缺陷的位置。此外，当在参比标记上的多层反射膜上形成吸收体膜时，根据参照参比标记确定的多层反射膜中的相位缺陷的位置来确定用于形成吸收体图案的图案绘制位置，可通过利用相同的参比标记在避免相位缺陷的情况下形成吸收体图案。然而，当将构成多层反射膜的各层层叠在参比标记上并且在其上进一步层叠吸收体膜时，膜堆叠的总厚度通常超过300nm。在参比标记深埋在膜中的情况下，不能期望高精度确定位置。另一方面，可在形成多层反射膜之后且在形成吸收体膜之前将参比标记雕刻在多层反射膜中。然而，优选地，连续地形成多层反射膜和吸收体膜。特别地，如果在此阶段通过雕刻在多层反射膜中形成参比标记，则在所得反射性掩模坯料中颗粒缺陷的风险增加。为了解决上述问题而做出本专利技术，并且本专利技术的目的是针对影响由反射性掩模坯料制造的反射性掩模的缺陷如相位缺陷，提供一种反射性掩模坯料及其制造方法，在衬底上形成多层反射膜之后，在多层反射膜上形成吸收体膜之后，其能够准确地把握多层反射膜中的缺陷(特别是较细缺陷)的位置；且提供一种反射性掩模坯料及其制造方法，其可以有效地形成减轻多层反射膜中缺陷的影响的吸收体图案而高精度地避免缺陷。此外，本专利技术提供一种制造反射性掩模的方法，其可以有效地形成减轻多层反射膜中缺陷的影响的吸收体图案，而高精度地避免来自这种反射性掩模坯料的缺陷。为了解决上述问题，专利技术人发现，对于包括衬底和形成于衬底的一个主表面上的用于EUV光反射的多层反射膜、保护膜、和用于EUV光吸收的吸收体膜和形成于衬底的另一主表面上的导电膜的反射性掩模坯料，当在其他主表面侧上，特别是在导电膜上形成坐标参比标记，在衬底的一个主表面上形成的厚膜中不埋入坐标参比标记时，可以高精度地确定多层反射膜中的缺陷如相位缺陷的位置。此外，专利技术人发现，通过如下方式制造了其中在其它主表面侧上形成坐标参比标记的反射性掩模坯料：在多层反射膜和吸收体膜已形成的阶段中检查多层反射膜和吸收体膜中的缺陷一次；基于参照坐标参比标记定义的坐标获得检测的缺陷的位置信息，并将该位置信息保存到记录介质中；然后，形成吸收体膜，检查吸收体膜中的缺陷，基于参照坐标参比标记定义的坐标获得检测的缺陷的位置信息，并将该位置信息保存到记录介质中。根据该方法，可以本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制造反射性掩模坯料的方法，该反射性掩模坯料包含衬底以及从衬底侧依次形成在衬底的一个主表面上的用于EUV光反射的多层反射膜、保护膜和用于EUV光吸收的吸收体膜，以及形成在衬底的另一主表面上的导电膜，该方法包括以下步骤：/n(A1)在所述另一主表面上形成导电膜，/n(A2)在所述另一主表面侧上形成坐标参比标记，/n(B1)在所述一个主表面上形成多层反射膜和保护膜，/n(B2)检查在步骤(B1)中形成的多层反射膜和保护膜中的缺陷，基于参照坐标参比标记定义的坐标获得检测的缺陷的位置信息，并将该位置信息保存到记录介质,/n(C1)在步骤(B2)之后，在保护膜上形成吸收体膜，以及/n(C2)检查在步骤(C1)中形成的吸收体膜中的缺陷，基于参照坐标参比标记定义的坐标获得检测的缺陷的位置信息，并将该位置信息保存到记录介质中。/n

【技术特征摘要】
20190913 JP 2019-1668131.一种制造反射性掩模坯料的方法，该反射性掩模坯料包含衬底以及从衬底侧依次形成在衬底的一个主表面上的用于EUV光反射的多层反射膜、保护膜和用于EUV光吸收的吸收体膜，以及形成在衬底的另一主表面上的导电膜，该方法包括以下步骤：
(A1)在所述另一主表面上形成导电膜，
(A2)在所述另一主表面侧上形成坐标参比标记，
(B1)在所述一个主表面上形成多层反射膜和保护膜，
(B2)检查在步骤(B1)中形成的多层反射膜和保护膜中的缺陷，基于参照坐标参比标记定义的坐标获得检测的缺陷的位置信息，并将该位置信息保存到记录介质,
(C1)在步骤(B2)之后，在保护膜上形成吸收体膜，以及
(C2)检查在步骤(C1)中形成的吸收体膜中的缺陷，基于参照坐标参比标记定义的坐标获得检测的缺陷的位置信息，并将该位置信息保存到记录介质中。


2.根据权利要求1所述的方法，其中在步骤(A2)中，坐标参比标记形成在所述步骤(A1)中形成的导电膜上。


3.根据权利要求1所述的方法，还包括在步骤(B1)之后和步骤(B2)之前测量衬底的平坦度的步骤。


4.根据权利要求1所述的方法，还包括在步骤(C1)之后和步骤(C2)之前测量衬底的平坦度的步骤。


5.根据权利要求1所述的方法，其中当在步骤(B2)中检测到缺陷时，所述步骤(B2)包括以下步骤：创建缺陷的处理次序，并将所述处理次序与位置信息一起保存到记录介质中。


6.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：寺泽恒男，金子英雄，稻月判臣，高坂卓郎，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP