一种光刻机静电消除装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种光刻机静电消除装置，属于半导体静电消除领域，应用于晶圆传输过程中去除晶圆表面的静电，包括：预对准机构，预对准机构具有一预对准台；传输通道，传输通道内设有一导轨，导轨的一端固定连接于预对准台的一侧；晶圆传输载台，晶圆传输载台设置于导轨上，用于放置晶圆，并沿着导轨的方向传输；工作台，设置于传输通道的上方；静电消除装置，固定设置于工作台上，且位于传输通道的下方。本技术方案具有如下优点或有益效果：通过将静电消除装置设置于光刻机的工作台上，且静电消除装置位于晶圆传输载台的上方，在晶圆传输过程中，去除晶圆表面的静电，避免忘记去除静电，导致晶圆表面损坏，以提高晶圆的成品率。

【技术实现步骤摘要】
一种光刻机静电消除装置
本专利技术涉及半导体静电消除领域，尤其涉及一种光刻机静电消除装置。
技术介绍
光刻是半导体集成电路制造的常用工艺。光刻工艺过程中，显影剂等化学溶剂或者清洗时的纯水与旋转的晶圆表面发生摩擦时，会产生静电放电现象，使得电荷积聚并遗留在半导体晶圆的表面，后续湿法工艺中引起局部强烈的电化学反应，在晶圆表面造成损伤，从而导致成品率降低或者可靠性风险。现有技术中通常是在晶圆进入传输通道之前，退出传输通道之后采用静电消除装置消除晶圆表面的静电，这种方法需要依赖于操作人员按照规范操作，可能会由于疏忽而导致发生危险，因此亟需提出一种光刻机静电消除装置，来克服现有技术中出现的上述问题。
技术实现思路
针对现有技术中存在的上述问题，现提供一种光刻机静电消除装置，具体技术方案如下所示：一种光刻机静电消除装置，应用于晶圆传输过程中去除所述晶圆表面的静电，包括：一预对准机构，所述预对准机构具有一预对准台，用于对所述晶圆进行预对准；一传输通道，所述传输通道内设有一导轨，所述导轨的一端固定连接于所述预对准台的一侧；一晶圆传输载台，所述晶圆传输载台设置于所述导轨上，用于放置所述晶圆，并沿着所述导轨的方向传输；一工作台，设置于所述传输通道的上方；一静电消除装置，固定设置于所述工作台上，且位于所述传输通道的下方，于所述晶圆沿着所述导轨传输时，消除所述晶圆表面的静电。优选地，所述静电消除装置包括一固定支架和离子棒，所述离子棒固定安装于所述固定支架上。优选地，所述固定支架呈L形。优选地，所述固定支架上设有多个呈间隔分布的安装孔，所述离子棒固定安装于所述安装孔中。优选地，所述离子棒包括离子针和铜管，所述离子针镶嵌入所述铜管内；所述离子针上设有多个孔洞，所述孔洞均匀分布在所述离子针上。优选地，所述孔洞面向所述固定支架设置。优选地，所述静电消除装置设置于所述工作台的上表面，或嵌入于所述工作台的容纳腔中。优选地，所述静电消除装置采用静电消除器实现。优选地，所述静电消除装置设有2个，2个所述静电消除装置间隔设置于所述传输通道的正上方。优选地，所述静电消除装置与所述晶圆相隔一预设距离。本技术方案具有如下优点或有益效果：本专利技术通过将静电消除装置设置于光刻机的工作台上，且静电消除装置位于晶圆传输载台的上方，在晶圆传输过程中，去除晶圆表面的静电，避免忘记去除静电，导致晶圆表面损坏，以提高晶圆的成品率。附图说明图1为本专利技术一种光刻机静电消除装置的结构示意图；图2为本专利技术一种光刻机静电消除装置具体实施例的结构示意图；图3为本专利技术静电消除装置具体实施例的结构示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。需要说明的是，在不冲突的情况下，本专利技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面结合附图和具体实施例对本专利技术作进一步说明，但不作为本专利技术的限定。针对现有技术中存在的上述问题，现提供一种光刻机静电消除装置，如图1所示，具体技术方案如下所示：一种光刻机静电消除装置，应用于晶圆传输过程中去除晶圆表面的静电，包括：一预对准机构1，预对准机构1具有一预对准台，用于对晶圆进行预对准；一传输通道2，传输通道2内设有一导轨(图中未示出)，导轨的一端固定连接于预对准台的一侧；一晶圆传输载台(图中未示出)，晶圆传输载台设置于导轨上，用于放置晶圆，并沿着导轨的方向传输，晶圆传输载台的高度较低；一工作台3，设置于传输通道2的上方；一静电消除装置31，固定设置于工作台3上，且位于传输通道2的下方，于所述晶圆沿着所述导轨传输时，消除所述晶圆表面的静电。通过上述技术方案，将静电消除装置31设置于光刻机的工作台3上，且静电消除装置31位于晶圆传输载台的上方，在晶圆传输过程中，具体的，将多个晶圆放入前开式晶圆传送盒中，传送盒放置于晶圆传输载台上，晶圆沿着传输通道2中的导轨横向传输过程中，会经过静电消除装置31的下方，由于静电消除装置31可消除一定范围内的静电，晶圆在传输到下方的静电消除范围内，静电消除装置31会去除晶圆表面和上述传送盒中的静电，避免忘记去除静电，导致晶圆表面损坏，以提高晶圆的成品率。需要说明的是，静电消除装置31采用现有技术中已有的可实现静电消除的装置，例如离子棒、静电消除器等现有器件，并非是本专利技术的重点所在。在一个较佳的实施例中，如图3所示，静电消除装置31包括一固定支架和离子棒，离子棒固定安装于固定支架上。在一个较佳的实施例中，固定支架的截面呈L形。在一个较佳的实施例中，固定支架上设有多个呈间隔分布的安装孔，离子棒固定安装于安装孔中。在一个较佳的实施例中，离子棒包括离子针和铜管，离子针镶嵌入铜管内；离子针上设有多个孔洞，孔洞均匀分布在离子针上。在一个较佳的实施例中，孔洞面向固定支架设置。于上述较佳的实施例中，离子针能够提供带有一定电荷的离子，离子能够由孔洞喷出，离子达到晶圆的表面能够与残留在半导体晶圆表面的静电进行中和，从而达到去除静电的目的。在一个较佳的实施例中，静电消除装置31设置于工作台3的上表面，或嵌入于工作台3的容纳腔中。于上述较佳的实施例中，可由工作台3的上表面架设一支架，例如类门字型支架，支架的上底端位于传输通道2的上方，静电消除装置31设置于支架的上表面，或嵌入于支架的容纳腔中。在一个较佳的实施例中，如图2所示，静电消除装置31采用静电消除器实现。在一个较佳的实施例中，静电消除装置31设有2个，2个静电消除装置31间隔设置于传输通道2的正上方。在一个较佳的实施例中，静电消除装置31与晶圆相隔一预设距离，该预设距离要小于静电消除装置31的离子喷射范围。于上述较佳的实施例中，静电消除装置31还可直接设置于传输通道中的任意位置，例如，通道中心处的内侧，或上侧，或下侧。本技术方案具有如下优点或有益效果：本专利技术通过将静电消除装置设置于光刻机的工作台上，且静电消除装置位于晶圆传输载台的上方，在晶圆传输过程中，去除晶圆表面的静电，避免忘记去除静电，导致晶圆表面损坏，以提高晶圆的成品率。以上所述仅为本专利技术较佳的实施例，并非因此限制本专利技术的实施方式及保护范围，对于本领域技术人员而言，应当能够意识到凡运用本专利技术说明书及图示内容所作出的等同替换和显而易见的变化所得到的方案，均应当包含在本专利技术的保护范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光刻机静电消除装置，其特征在于，应用于晶圆传输过程中去除所述晶圆表面的静电，包括：/n一预对准机构，所述预对准机构具有一预对准台，用于对所述晶圆进行预对准；/n一传输通道，所述传输通道内设有一导轨，所述导轨的一端固定连接于所述预对准台的一侧；/n一晶圆传输载台，所述晶圆传输载台设置于所述导轨上，用于放置所述晶圆，并沿着所述导轨的方向传输；/n一工作台，设置于所述传输通道的上方；/n一静电消除装置，固定设置于所述工作台上，且位于所述传输通道的下方，于所述晶圆沿着所述导轨传输时，消除所述晶圆表面的静电。/n

【技术特征摘要】
1.一种光刻机静电消除装置，其特征在于，应用于晶圆传输过程中去除所述晶圆表面的静电，包括：
一预对准机构，所述预对准机构具有一预对准台，用于对所述晶圆进行预对准；
一传输通道，所述传输通道内设有一导轨，所述导轨的一端固定连接于所述预对准台的一侧；
一晶圆传输载台，所述晶圆传输载台设置于所述导轨上，用于放置所述晶圆，并沿着所述导轨的方向传输；
一工作台，设置于所述传输通道的上方；
一静电消除装置，固定设置于所述工作台上，且位于所述传输通道的下方，于所述晶圆沿着所述导轨传输时，消除所述晶圆表面的静电。


2.如权利要求1所述的光刻机静电消除装置，其特征在于，所述静电消除装置包括一固定支架和离子棒，所述离子棒固定安装于所述固定支架上。


3.如权利要求2所述的光刻机静电消除装置，其特征在于，所述固定支架呈L形。


4.如权利要求2所述的光刻机静电消除装置，其特征在于，所述固定支架上设有多个呈间隔分布...

【专利技术属性】
技术研发人员：钟敏，
申请(专利权)人：上海图双精密装备有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31