一种硅片承载装置及硅片缺陷检测装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种硅片承载装置及硅片缺陷检测装置，所述硅片承载装置包括：承载台，所述承载台的直径小于待承载硅片的直径；至少两个限位组件，所述至少两个限位组件与所述承载台的侧壁固定连接，所述至少两个限位组件呈同圆周设置，所述限位组件的限位面到所述承载台的中心的水平距离大于所述待承载硅片的半径且小于预设阈值。根据本实用新型专利技术实施例的硅片承载装置，可以在放置硅片过程中实现硅片与承载台相对位置的快速定位，解决了需要对硅片进行反复矫正的问题，提高了放片的速度，并且避免了反复矫正过程导致仪器受污染。

【技术实现步骤摘要】
一种硅片承载装置及硅片缺陷检测装置
本技术涉及硅片缺陷检测
，具体涉及一种硅片承载装置及硅片缺陷检测装置。
技术介绍
300mm以上的大尺寸硅片通常是采用柴式直拉法(Czochralski)，此方法是将高纯多晶硅放入石英坩埚中，将籽晶没入硅熔体中，经过引晶，收颈，放肩，等径生长以及收尾等工序，就可以得到单晶硅锭，再经过成型，抛光，清洗等工序得到硅片。在整个过程中，在硅片表面会有很多缺陷，一类是单晶硅生长过程中的原生缺陷如晶体原生缺陷COP，氧化诱生堆垛层错OSF等；另一类是硅片加工过程，如线锯，抛光，清洗过程引入的划伤，颗粒等，这些都会影响到硅片的良率。随着半导体产业的发展，集成电路特征线宽的不断减小，现如今要求达到7nm，这就要求硅片的缺陷更小、更少，这不光是对硅片制造技术的严峻考验，也是对检测方法的严峻考验。目前，原子力显微镜因其极低的检测限已应用到半导体领域。原子力显微镜的基本原理是：将一个对微弱力极敏感的微悬臂一端固定，另一端有一微小的针尖，针尖与样品表面轻轻接触，当原子间距离减小到一定程度以后，原子间的作用力将迅速上升，由此，根据显微探针受力的大小就可以直接换算出样品表面的高度，从而获得样品表面形貌的信息。现有半导体用原子力显微镜可以在读取颗粒计数仪测试得出的测试数据后进行硅片上微小缺陷(尺寸小于100nm)的自动分析，在这个过程中，需要将颗粒计数仪得出的缺陷坐标与原子力显微镜的样品载台本身的坐标进行匹配，在匹配前还需要先对放在原子力显微镜的样品载台上的硅片进行坐标校正，因测试的硅片是裸片，所以要选取硅片边缘三个点以及V槽来确定硅片的中心，这个过程要求在手动装载硅片过程中将硅片大致放在载台的中心，偏差不超出3mm，超出3mm后将超出样品载台移动的最大程度，无法进行硅片中心校准，因而通常需要多次进行手动矫正，而且手动矫正过程中由于操作人员的手等部位将位于设备上方，从而会有颗粒落在硅片上和设备上，导致设备和硅片受污染。
技术实现思路
有鉴于此，本技术提供一种硅片承载装置及硅片缺陷检测装置，能够解决现有技术中硅片放置过程需要反复矫正，以及在放置硅片过程中硅片和设备受污染的问题。为解决上述技术问题，本技术采用以下技术方案：本技术一方面实施例提供一种硅片承载装置，包括：承载台，所述承载台的直径小于待承载硅片的直径；至少两个限位组件，所述至少两个限位组件与所述承载台的侧壁固定连接，所述至少两个限位组件呈同圆周设置，所述限位组件的限位面到所述承载台的中心的水平距离大于所述待承载硅片的半径且小于预设阈值；在所述限位组件的数量为两个的情况下，两个所述限位组件之间的水平距离小于所述待承载硅片的直径，在所述限位组件的数量为至少三个的情况下，所述至少三个限位组件位于所述承载台的同一半圆周侧壁上。可选的，所述限位组件包括底座和限位块，所述限位块包括滑块和与所述滑块连接的限位杆，所述底座上开设有滑槽，所述滑块设置于所述滑槽内并可在所述滑槽内移动，所述滑槽的延伸方向与所述承载台的轴向相同，在所述滑块移动至所述滑槽的顶端的情况下，所述限位杆的顶端高于所述承载台，在所述滑块下移至所述滑槽的预设位置的情况下，所述限位杆的顶端不高于所述承载台。可选的，所述限位杆呈L形，所述限位杆的第一端与所述滑块连接，所述限位杆的第二端朝上设置，所述限位杆的第二端为所述限位杆的顶端。可选的，所述滑槽和所述滑块呈过盈配合。可选的，在所述限位杆的顶端高于所述承载台的情况下，所述限位杆靠近所述承载台的中心的侧面为所述限位面，所述限位面为平面或弧面，在所述限位面为弧面的情况下，所述限位面凸向所述承载台的中心。可选的，所述限位面上任一点与所述承载台的中心的水平距离D满足：d＜2D＜d+4mm，其中，d为所述待承载硅片的直径。可选的，所述限位杆内设有第一气体通道，所述限位杆的限位面上开设有若干第一气孔，所述若干第一气孔与所述第一气体通道连通，所述第一气体通道用于连接气源并将气体从所述若干第一气孔排出。可选的，所述承载台内设有第二气体通道，所述承载台的表面开设有若干第二气孔，所述若干第二气孔与所述第二气体通道连通，所述第二气体通道用于连接气源并将气体从所述若干第二气孔排出。可选的，所述限位组件的数量为三个。本技术另一方面实施例还提供了一种硅片缺陷检测装置，包括如上所述的硅片承载装置，还包括：原子力显微镜，所述原子力显微镜包括测试探头，所述原子力显微镜用于通过所述测试探头检测硅片表面的形貌信息。本技术上述技术方案的有益效果如下：根据本技术实施例的硅片承载装置，可以在放置硅片过程中实现硅片与承载台相对位置的快速定位，解决了需要对硅片进行反复矫正的问题，提高了放片的速度，并且避免了反复矫正过程导致仪器受污染。附图说明图1为本技术实施例提供的一种硅片承载装置的结构示意图；图2为本技术实施例提供的硅片承载装置的俯视图；图3为本技术实施例提供的限位组件的主视图；图4为本技术实施例提供的限位组件的俯视图；图5为图4中沿A-A进行剖切得到的剖面图之一；图6为图4中沿A-A进行剖切得到的剖面图之二。具体实施方式为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例的附图，对本技术实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本技术的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。请参考图1，为本技术实施例提供的一种硅片承载装置的结构示意图。如图1所示，所述硅片承载装置可以包括承载台1，承载台1可以为圆形，承载台1的直径小于待承载硅片3的直径，为了将待承载硅片3放置在承载台1的中心，现有技术中，只能用手扶着待承载硅片3的边缘，左右调整直至大致放到载台中心，再通过系统进行中心矫正，如果放置太偏(超出承载台移动量程)，则需要重新手动调整硅片位置，直至可以进行系统中心矫正，这个反复矫正的过程会很耗时，这样极大的浪费了测试时间和资源，并且在调试的过程中需要不停的打开设备门锁，操作人员的手和胳膊要伸到设备内，这个过程中会有颗粒落到硅片上，并且手要触碰到硅片的边缘，由此在测试过程中会引入新的颗粒缺陷，影响测试效果，而且测试后的硅片也无法再直接使用，需经过再次清洗，浪费大量的生产资源和时间；并且，测试探头距离承载台1很近(大约1.5cm)，在放置待承载硅片3时因没有导入卡槽，所以无法使用真空吸笔吸附待承载硅片3后再放置，因而会有很高的风险撞到测试探头，而测试探头非常精密且更换价格昂贵，所以不能有任何碰撞；再者，待承载硅片3放置过程中，会出现与承载台1发生相对滑移的现象，甚至存在待承载硅片3滑出承载台掉落至仪器内部的问题，轻则可能会造成待承载硅片3的损伤且不易处理仪器内部的残渣，重本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硅片承载装置，其特征在于，包括：/n承载台，所述承载台的直径小于待承载硅片的直径；/n至少两个限位组件，所述至少两个限位组件与所述承载台的侧壁固定连接，所述至少两个限位组件呈同圆周设置，所述限位组件的限位面到所述承载台的中心的水平距离大于所述待承载硅片的半径且小于预设阈值；/n在所述限位组件的数量为两个的情况下，两个所述限位组件之间的水平距离小于所述待承载硅片的直径，在所述限位组件的数量为至少三个的情况下，所述至少三个限位组件位于所述承载台的同一半圆周侧壁上。/n

【技术特征摘要】
1.一种硅片承载装置，其特征在于，包括：
承载台，所述承载台的直径小于待承载硅片的直径；
至少两个限位组件，所述至少两个限位组件与所述承载台的侧壁固定连接，所述至少两个限位组件呈同圆周设置，所述限位组件的限位面到所述承载台的中心的水平距离大于所述待承载硅片的半径且小于预设阈值；
在所述限位组件的数量为两个的情况下，两个所述限位组件之间的水平距离小于所述待承载硅片的直径，在所述限位组件的数量为至少三个的情况下，所述至少三个限位组件位于所述承载台的同一半圆周侧壁上。


2.根据权利要求1所述的硅片承载装置，其特征在于，所述限位组件包括底座和限位块，所述限位块包括滑块和与所述滑块连接的限位杆，所述底座上开设有滑槽，所述滑块设置于所述滑槽内并可在所述滑槽内移动，所述滑槽的延伸方向与所述承载台的轴向相同，在所述滑块移动至所述滑槽的顶端的情况下，所述限位杆的顶端高于所述承载台，在所述滑块下移至所述滑槽的预设位置的情况下，所述限位杆的顶端不高于所述承载台。


3.根据权利要求2所述的硅片承载装置，其特征在于，所述限位杆呈L形，所述限位杆的第一端与所述滑块连接，所述限位杆的第二端朝上设置，所述限位杆的第二端为所述限位杆的顶端。


4.根据权利要求2所述的硅片承载装置，其特征在于，所述滑槽和所述滑块呈过盈配合。


5.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：张婉婉，李阳，
申请(专利权)人：西安奕斯伟硅片技术有限公司，
类型：新型
国别省市：陕西;61