二极管封装工艺及封装二极管制造技术

本申请适用于二极管封装技术领域，提供了一种二极管封装工艺及封装二极管，其中，所述工艺包括：通过将二极管芯片固定在金属基板上，制作得到待封装的二极管；将待封装的二极管放置于管壳内部中心区域，待封装的二极管具有与外部引脚进行连接的金属引线；向管壳内部注入硅胶，使硅胶包裹待封装的二极管及金属引线；采用模压封装工艺，向管壳内部注入环氧树脂胶体，制作得到封装二极管，其中，环氧树脂胶体在管壳内部生成光学透镜，光学透镜固定于硅胶的上表层中心区域。通过使用硅胶包裹待封装的二极管以及金属引线，使得封装二极管即使处于高温工作状态，也可保护封装二极管中金属引线的结构不被拉断。线的结构不被拉断。线的结构不被拉断。

【技术实现步骤摘要】
二极管封装工艺及封装二极管


[0001]本申请属于二极管封装
，尤其涉及一种二极管封装工艺及封装二极管。

技术介绍

[0002]传统的高功率发光二极管封装技术，均是采用环氧树脂作为封装胶体对处于模具中的发光二极管芯片进行封装。发光二极管工作会产生大量热能，使得发光二极管芯片中与外界引脚连接的金属线的热胀冷缩与环氧树脂的热胀冷缩不一致，容易导致金属线被拉断，造成发光二极管损坏。通过在环氧树脂内加入固化材料以固化环氧树脂，可以降低金属性被拉断的概率。然而，在环氧树脂内加入固化材料容易改变环氧树脂传导光线的传导率，影响发光二极管的发光效率。因此，目前采用环氧树脂封装发光二极管的封装工艺，不能很好的保护发光二极管的内部结构。

技术实现思路

[0003]本申请实施例提供了二极管封装工艺及封装二极管，可以解决使用现有技术的封装工艺制作发光二极管，不能很好的保护发光二极管内部结构的问题。
[0004]第一方面，本申请实施例提供了一种二极管封装工艺，包括：
[0005]通过将二极管芯片固定在金属基板上，制作得到待封装的二极管；
[0006]将所述待封装的二极管放置于管壳内部中心区域，所述待封装的二极管具有与外部引脚进行连接的金属引线；
[0007]向所述管壳内部注入硅胶，使所述硅胶包裹所述待封装的二极管及所述金属引线；
[0008]采用模压封装工艺，向所述管壳内部注入环氧树脂胶体，制作得到封装二极管，其中，所述环氧树脂胶体在所述管壳内部生成光学透镜，所述光学透镜固定于所述硅胶的上表层中心区域。
[0009]在一实施例中，所述金属引线包括正引线和负引线；
[0010]所述通过将二极管芯片固定在金属基板上，制作得到待封装的二极管，包括：
[0011]设置金属基板，所述金属基板的中心区域具有一内凹部；
[0012]将二极管芯片固定在所述内凹部上；
[0013]通过所述正引线将所述二极管芯片的正极粘结在外部电源的正引脚上；以及，通过所述负引线将所述二极管芯片的负极粘结在所述外部电源的负引脚上；
[0014]采用薄膜式涂布方式，使用荧光材料涂覆所述二极管芯片，以使所述荧光材料均匀覆盖所述二极管芯片，形成所述待封装的二极管。
[0015]在一实施例中，所述正引线和所述负引线为拱形丝状结构。
[0016]在一实施例中，所述硅胶由硅胶液和扩散粉混合制作得到；
[0017]所述向所述管壳内部注入硅胶，使所述硅胶包裹所述待封装的二极管及所述金属引线，包括：
[0018]在将所述硅胶液和所述扩散粉混合均匀后，进行离心脱泡处理，得到离心脱泡后的所述硅胶；
[0019]将所述硅胶注入所述管壳内部，并对所述硅胶烘干固化，所述烘干固化的温度为130℃-170℃，烘烤时间为2-5小时。
[0020]在一实施例中，所述采用模压封装工艺，向所述管壳内部注入环氧树脂胶体，制作得到封装二极管，包括：
[0021]将放置有所述待封装的二极管的所述管壳放入下模具中；
[0022]通过液压机将上模具和所述下模具合模形成密封腔体；
[0023]抽取所述密封腔体中的气体，形成真空腔体；
[0024]将所述环氧树脂胶体放置在所述模具的注胶道中进行加热，由所述液压机压入所述真空腔体进行固化，以在所述管壳内部生成光学透镜，得到所述封装二极管。
[0025]在一实施例中，所述将所述环氧树脂胶体放置在所述模具的注胶道中进行加热，由所述液压机压入所述真空腔体进行固化，以在所述管壳内部生成光学透镜，得到所述封装二极管，包括：
[0026]在第一预置加热条件下，将所述环氧树脂胶体加热后，由所述液压机将所述环氧树脂胶体压入所述真空腔体中，在所述硅胶的上表层中心区域进行初固化；
[0027]在所述初固化结束后，将所述第一预置加热条件更换为第二预置加热条件；
[0028]在所述第二预置加热条件下，对所述环氧树脂胶体进行后固化生所述光学透镜，得到所述封装二极管。
[0029]在一实施例中，所述第一预置加热条件中加热温度为125℃-135℃，加热时间为0.5-1.5小时，所述第二预置加热条件中加热温度为115℃-125℃，加热时间为3-5小时。
[0030]第二方面，本申请实施例提供了一种封装二极管，包括二极管芯片、金属基板、金属引线、管壳和光学透镜；其中：
[0031]所述二极管芯片固定在所述金属基板上，所述二极管芯片通过所述金属引线与外部引脚进行连接；
[0032]固定在所述金属基板上的二极管被设置在管壳内部中心区域；
[0033]所述管壳内部注入有硅胶，所述二极管及所述金属引线被所述硅胶包裹；
[0034]所述光学透镜固定在所述硅胶的上表层中心区域，并与所述管壳固化连接，所述光学透镜由注入所述管壳内部的环氧树脂胶体形成。
[0035]在一实施例中，所述金属引线包括正引线和负引线；
[0036]所述金属基板中心区域具有一内凹部，所述二极管芯片固定在所述内凹部上；
[0037]所述二极管芯片包括正极和负极，所述正极通过正引线粘结外部电源的正引脚，所述负极通过负引线粘结外部电源的负引脚上，且所述二极管芯片上均匀涂覆有荧光材料。
[0038]在一实施例中，所述正引线和所述负引线为拱形丝状结构。
[0039]在本实施例中，通过将二极管芯片固定在金属基板上，并使用金属引线连接外部引脚，制作得到待封装的二极管；之后，将待封装的二极管放置于管壳内部中心区域，并使用硅胶包裹待封装的二极管以及金属引线，使得封装二极管即使处于高温工作状态，硅胶的形状改变非常小，不易于对金属引线造成损坏。另外，采用模压封装工艺，向管壳注入环
氧树脂胶体，使得到的封装二极管包含了环氧树脂胶体生成的光学透镜，进而，在封装二极管发出的光线进入光学透镜后，可在光学透镜内发生反射和漫透射，使光线重新分布，增加封装二极管的光通量输出，并使射出的光线更均匀，提高了二极管的发光效率。
附图说明
[0040]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0041]图1是本申请一实施例提供的一种二极管封装工艺的实现流程图；
[0042]图2是本申请一实施例提供的一种封装二极管的结构示意图；
[0043]图3是本申请一实施例提供的一种二极管封装工艺中S101的一种实现方式示意图；
[0044]图4是本申请一实施例提供的一种封装二极管中金属基板的结构示意图；
[0045]图5是本申请一实施例提供的一种二极管封装工艺的S103的一种实现方式示意图；
[0046]图6是本申请一实施例提供的一种二极管封装工艺的S104的一种实本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种二极管封装工艺，其特征在于，包括：通过将二极管芯片固定在金属基板上，制作得到待封装的二极管；将所述待封装的二极管放置于管壳内部中心区域，所述待封装的二极管具有与外部引脚进行连接的金属引线；向所述管壳内部注入硅胶，使所述硅胶包裹所述待封装的二极管及所述金属引线；采用模压封装工艺，向所述管壳内部注入环氧树脂胶体，制作得到封装二极管，其中，所述环氧树脂胶体在所述管壳内部生成光学透镜，所述光学透镜固定于所述硅胶的上表层中心区域。2.如权利要求1所述的二极管封装工艺，其特征在于，所述金属引线包括正引线和负引线；所述通过将二极管芯片固定在金属基板上，制作得到待封装的二极管，包括：设置金属基板，所述金属基板的中心区域具有一内凹部；将二极管芯片固定在所述内凹部上；通过所述正引线将所述二极管芯片的正极粘结在外部电源的正引脚上；以及，通过所述负引线将所述二极管芯片的负极粘结在所述外部电源的负引脚上；采用薄膜式涂布方式，使用荧光材料涂覆所述二极管芯片，以使所述荧光材料均匀覆盖所述二极管芯片，形成所述待封装的二极管。3.如权利要求2所述的二极管封装工艺，其特征在于，所述正引线和所述负引线为拱形丝状结构。4.如权利要求1所述的二极管封装工艺，其特征在于，所述硅胶由硅胶液和扩散粉混合制作得到；所述向所述管壳内部注入硅胶，使所述硅胶包裹所述待封装的二极管及所述金属引线，包括：在将所述硅胶液和所述扩散粉混合均匀后，进行离心脱泡处理，得到离心脱泡后的所述硅胶；将所述硅胶注入所述管壳内部，并对所述硅胶烘干固化，所述烘干固化的温度为130℃-170℃，烘烤时间为2-5小时。5.如权利要求1-4任一所述的二极管封装工艺，其特征在于，所述采用模压封装工艺，向所述管壳内部注入环氧树脂胶体，制作得到封装二极管，包括：将放置有所述待封装的二极管的所述管壳放入下模具中；通过液压机将上模具和所述下模具合模形成密封腔体；抽取所述密封腔体中的气体，形成真空腔体；将所述环...

【专利技术属性】
技术研发人员：李志源，郭小明，
申请(专利权)人：中山市聚明星电子有限公司，
类型：发明
国别省市：