本发明专利技术公开了一种多线圈耦合式单刀四掷开关，包括：输入端口、第一输出端口、第二输出端口、第三输出端口以及第四输出端口；耦合电感电路，包括与输入端口以及各个输出端口分别连接的电感线圈；晶体管控制电路，包括分别与第一输出端口、第二输出端口、第三输出端口、第四输出端口连接的第n控制电路，其中n依次对应为一至四；晶体管控制电路基于各个控制电路的电平信号，选择一个输出端口实现与输入端口导通，以及利用与各个输出端口连接的电感线圈、除该输出端口之外的其余输出端口所连接的控制电路，配置该输出端口的负载。本发明专利技术提供的多线圈耦合式单刀四掷开关能够满足在不同电路之间进行选通且低插入损耗、高隔离度以及小型化。型化。型化。
【技术实现步骤摘要】
多线圈耦合式单刀四掷开关及射频集成电路
[0001]本专利技术属于射频集成电路领域，具体涉及一种多线圈耦合式单刀四掷开关及射频集成电路。
技术介绍
[0002]随着毫米波集成电路的发展，在毫米波集成电路中，开关器件常应用于射频收发机中，用于控制接收和发射状态的切换。插入损耗、隔离度以及线性度是衡量射频集成开关的重要参数，通常需要设计出低插入损耗且高隔离度的开关。
[0003]然而，现如今对毫米波集成开关小型化要求越来越高，如何实现一种能够在不同电路之间进行选通且满足低插入损耗、高隔离度的开关，是本领域内亟待解决的问题。
技术实现思路
[0004]为了解决现有技术中存在的上述问题，本专利技术提供了一种多线圈耦合式单刀四掷开关及射频集成电路。本专利技术要解决的技术问题通过以下技术方案实现：
[0005]第一方面，本专利技术实施例提供的一种多线圈耦合式单刀四掷开关，包括：
[0006]输入端口、第一输出端口、第二输出端口、第三输出端口以及第四输出端口；
[0007]耦合电感电路，所述耦合电感电路包括与所述输入端口以及各个输出端口分别连接的电感线圈，所述耦合电感电路用于隔离所述第一输出端口、所述第二输出端口、所述第三输出端口以及所述第四输出端口；
[0008]晶体管控制电路，所述晶体管控制电路包括分别与所述第一输出端口、所述第二输出端口、所述第三输出端口、所述第四输出端口连接的第n控制电路，其中n依次对应为一至四；所述晶体管控制电路基于各个控制电路的电平信号，选择一个输出端口实现与所述输入端口导通，以及利用与各个输出端口连接的所述电感线圈、除该输出端口之外的其余输出端口所连接的控制电路，配置该输出端口的负载，以实现该输出端口的负载匹配。
[0009]可选的，所述耦合电感电路的所述电感线圈，包括：
[0010]第一电感线圈、第二电感线圈以及第三电感线圈，所述第一电感线圈与所述输入端口连接，所述第二电感线圈连接在所述第一输出端口与所述第二输出端口之间，所述第三电感线圈连接在所述第三输出端口与所述第四输出端口之间。
[0011]可选的，所述多线圈耦合式单刀四掷开关还包括：
[0012]控制端口组，所述控制端口组包括第一控制端口，第二控制端口，第三控制端口以及第四控制端口，所述第一控制端口与所述第一控制电路连接，所述第二控制端口与所述第二控制电路连接，所述第三控制端口与所述第三控制电路连接，所述第四控制端口与所述第四控制电路连接，所述控制端口组用于为所述晶体管控制电路提供电平信号。
[0013]可选的，所述第n控制电路包括：第n晶体管、第n栅极偏置电阻以及所述第n晶体管的源极间的第n外接电阻，所述第n栅极偏置电阻连接在所述第n晶体管的栅极与所述第n控制端口之间，所述第n晶体管的漏极与所述第n输出端口并联，所述第n晶体管的源极接地，
所述第n外接电阻的一端与所述第n晶体管的衬底连接，所述第n外接电阻的另一端接地。
[0014]可选的，所述第一控制端口提供第一电平信号，所述第二控制端口、所述第三控制端口以及所述第四控制端口提供第二电平信号，所述第一晶体管开关断开，所述第二晶体管、所述第三晶体管以及所述第四晶体管开关导通，所述输入端口与所述第一输出端口导通。
[0015]可选的，所述第二控制端口提供第一电平信号，所述第一控制端口、所述第三控制端口以及所述第四控制端口提供第二电平信号，所述第二晶体管开关断开，所述第一晶体管、所述第三晶体管以及所述第四晶体管开关导通，所述输入端口与所述第二输出端口导通。
[0016]可选的，所述第三控制端口提供第一电平信号，所述第一控制端口、所述第二控制端口以及所述第四控制端口提供第二电平信号，所述第三晶体管开关断开，所述第一晶体管、所述第二晶体管以及所述第四晶体管开关导通，所述输入端口与所述第三输出端口导通。
[0017]可选的，所述第四控制端口提供第一电平信号，所述第一控制端口、所述第二控制端口以及所述第三控制端口提供第二电平信号，所述第一晶体管、所述第二晶体管以及所述第三晶体管开关导通，所述第四晶体管开关断开，所述输入端口与所述第四输出端口导通。
[0018]可选的，还包括：旁路电容，所述旁路电容一端与所述第一电感线圈相连，所述旁路电容的另一端接地。
[0019]第二方面，本专利技术实施利提供的一种射频集成电路，包括：上述的多线圈耦合式单刀四掷开关。
[0020]本专利技术实施例提供的一种多线圈耦合式单刀四掷开关及射频集成电路，利用耦合电感电路实现各端口之间的高隔离度，并且能够基于各个控制电路的电平信号，选择一个输出端口，实现输入端口与其导通，以及利用与各个输出端口连接的电感线圈、除该输出端口之外的其余输出端口所连接的控制电路，配置该输出端口的负载，以实现该输出端口的负载匹配，通过改变输出端口的负载，达到减小插入损耗的目的，实现能够在不同电路之间进行选通且满足低插入损耗、高隔离度的小型化开关。
[0021]当然，实施本专利技术的任一产品或方法并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。
[0022]以下将结合附图及实施例对本专利技术做进一步详细说明。
附图说明
[0023]图1是本专利技术实施例提供的一种多线圈耦合式单刀四掷开关的电路结构示意图；
[0024]图2是本专利技术实施例提供的一种多线圈耦合式单刀四掷开关的具体结构示意图；
[0025]图3～图6是本专利技术实施例提供的一种多线圈耦合式单刀四掷开关在不同电平信号下的等效电路图。
具体实施方式
[0026]下面结合具体实施例对本专利技术做进一步详细的描述，但本专利技术的实施方式不限于
此。
[0027]为了实现一种能够在不同电路之间进行选通且满足低插入损耗、高隔离度的小型化开关，本专利技术实施例提供了一种多线圈耦合式单刀四掷开关及射频集成电路。
[0028]第一方面，本专利技术实施例提供了一种多线圈耦合式单刀四掷开关。下面，对多线圈耦合式单刀四掷开关进行介绍。
[0029]参见图1，图1为本专利技术实施例提供的一种多线圈耦合式单刀四掷开关的电路结构示意图，包括：
[0030]输入端口P1、第一输出端口P2、第二输出端口P3、第三输出端口P4以及第四输出端口P5；
[0031]耦合电感电路100，耦合电感电路100包括与输入端口P1以及各个输出端口分别连接的电感线圈，耦合电感电路100用于隔离第一输出端口P2、第二输出端口P3、第三输出端口P4以及第四输出端口P5；
[0032]晶体管控制电路，晶体管控制电路包括分别与第一输出端口P2、第二输出端口P3、第三输出端口P4、第四输出端口P5连接的第n控制电路，其中n依次对应为一至四；晶体管控制电路基于各个控制电路的电平信号，选择一个输出端口实现与输入端口导通，以及利用与各个输出端口连接的电感线圈、除该输出端口之外的其余输出端口所连接的控制电路，配置该输出端口的负载，以实现该输出端口的负载匹配。
[0033]可以理解的本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种多线圈耦合式单刀四掷开关，其特征在于，包括：输入端口(P1)、第一输出端口(P2)、第二输出端口(P3)、第三输出端口(P4)以及第四输出端口(P5)；耦合电感电路，所述耦合电感电路包括与所述输入端口(P1)以及各个输出端口分别连接的电感线圈，所述耦合电感电路用于隔离所述第一输出端口(P2)、所述第二输出端口(P3)、所述第三输出端口(P4)以及所述第四输出端口(P5)；晶体管控制电路，所述晶体管控制电路包括分别与所述第一输出端口(P2)、所述第二输出端口(P3)、所述第三输出端口(P4)、所述第四输出端口(P5)连接的第n控制电路，其中n依次对应为一至四；所述晶体管控制电路基于各个控制电路的电平信号，选择一个输出端口实现与所述输入端口导通，以及利用与各个输出端口连接的所述电感线圈、除该输出端口之外的其余输出端口所连接的控制电路，配置该输出端口的负载，以实现该输出端口的负载匹配。2.根据权利要求1所述的多线圈耦合式单刀四掷开关，其特征在于，所述耦合电感电路的所述电感线圈，包括：第一电感线圈(L1)、第二电感线圈(L2)以及第三电感线圈(L3)，所述第一电感线圈(L1)与所述输入端口(P1)连接，所述第二电感线圈(L2)连接在所述第一输出端口(P2)与所述第二输出端口(P3)之间，所述第三电感线圈(L3)连接在所述第三输出端口(P4)与所述第四输出端口(P5)之间。3.根据权利要求2所述的多线圈耦合式单刀四掷开关，其特征在于，所述多线圈耦合式单刀四掷开关还包括：控制端口组，所述控制端口组包括第一控制端口(V1)，第二控制端口(V2)，第三控制端口(V3)以及第四控制端口(V4)，所述第一控制端口(V1)与所述第一控制电路连接，所述第二控制端口(V2)与所述第二控制电路连接，所述第三控制端口(V3)与所述第三控制电路连接，所述第四控制端口(V4)与所述第四控制电路连接，所述控制端口组用于为所述晶体管控制电路提供电平信号。4.根据权利要求3所述的多线圈耦合式单刀四掷开关，其特征在于，所述第n控制电路包括：第n晶体管(Mn)、第n栅极偏置电阻(Rn)以及所述第n晶体管(Mn)的源极间的第n外接电阻(Rsubn)，所述第n栅极偏置电阻(Rn)连接在所述第n晶体管(Mn)的栅极与所述第n控制端口(Vn)之间，所述第n晶体管(...
【专利技术属性】
技术研发人员：李苗，
申请(专利权)人：西安科锐盛创新科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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