电源电路以及无线通信装置制造方法及图纸

实施方式涉及电源电路以及无线通信装置。实施方式的电源电路具备第一电路、第二电路、第四电路、以及第五电路。第一电路基于驱动信号，输出第一电流。第二电路生成与所述第一电流对应的第二电流。第四电路基于与所述第一电流对应的第一电压，生成所述驱动信号。第五电路基于所述第一电流以及所述第二电流，输出第二电压。二电压。二电压。

【技术实现步骤摘要】
电源电路以及无线通信装置
[0001]相关申请
[0002]本申请享受以日本专利申请2019－162636号(申请日：2019年9月6日)为基础申请的优先权。本申请通过参考该基础申请而包含基础申请的全部内容。


[0003]本专利技术的实施方式涉及电源电路以及无线通信装置。

技术介绍

[0004]对流经LNA(Low Noise Amplifier：低噪声放大器)的电流进行设定的偏置电路，设置与被输入RF信号的晶体管共同连接着栅极的晶体管，与基准电流源之间构成了电流镜。然而，LNA中所使用的晶体管为了获得良好的高频特性而使用栅极长度短的晶体管的情况较多。因此，在构成了电流镜的情况下，存在配对性差、电流的偏差变大的问题。

技术实现思路

[0005]一个实施方式提供一种使电流的偏差小的输出成为可能的电源电路以及具备该电源电路的无线通信装置。
[0006]根据一个实施方式，电源电路具备第一电路、第二电路、第四电路、以及第五电路。第一电路基于驱动信号，输出第一电流。第二电路生成与所述第一电流对应的第二电流。第四电路基于与所述第一电流对应的第一电压，生成所述驱动信号。第五电路基于所述第一电流以及所述第二电流，输出第二电压。
附图说明
[0007]图1是一个实施方式的电源电路的概略图。
[0008]图2是一个实施方式的电源电路的一个例子的电路图。
[0009]图3是表示一个实施方式的电源电路的连接例的电路图。
[0010]图4是表示一个实施方式的电源电路的安装例的图。
[0011]图5是一个实施方式的电源电路的一个例子的电路图。
[0012]图6是一个实施方式的电源电路的一个例子的电路图。
具体实施方式
[0013]以下，参考附图对实施方式进行说明。
[0014]图1是本实施方式的电源电路1的概略图。电源电路1具备第一电路10、第二电路12、第三电路14、第四电路16以及第五电路18。该电源电路1例如输出相对于LNA的电源电压Vlna(第一电压)、以及相对于输入RF(Radio Frequency：射频)信号的偏置电压Vbias(第二电压)。电源电路1例如是线性调节器，更具体来说是LDO(Low Dropout：低压差)电源。
[0015]第一电路10具备开关元件，当被输入驱动信号时，从电源电路1的电源电压Vdd生
成并输出第一电流I1。电源电路1通过该第一电流I1和后述的第三电路14的电阻值来形成电压(例如，相对于接地面的电位差)，并将该电压作为LNA的电源电压Vlna(第一电压)而输出。
[0016]第二电路12具备开关元件，当被输入驱动信号时，从电源电压Vdd生成并输出与第一电流I1成比例的第二电流I2。
[0017]第三电路14具备能够通过第一电路10输出的第一电流I1来生成电源电压Vlna的阻抗。该第三电路14针对第一电路10所输出的电流，在外部连接负载，在流过了负载电流的情况下，为了控制驱动信号，生成反馈基于第一电流I1与负载电流Iload之差的电压的反馈电压Vfb。
[0018]第四电路16基于反馈电压Vfb和基准电压Vref，控制第一电路10以及第二电路12的驱动信号。
[0019]基准电压Vref例如以如下方式设定：在稳定状态、即电源电路1将规定的电压作为Vlna而输出的状态下，第一电路10输出规定的电流。该规定的电流被定义为，流经第二电路12的电流成为基准电流Iref。例如以如下方式设定：在第一电路10的输出电流与第二电路12的输出电流之比为80：1的情况下，从第一电路10流过80
×
Iref的电流。
[0020]第五电路18基于根据从第一电流I1减去负载电流Iload而得的值由第三电路生成的电压、以及根据从第二电流I2减去基准电流Iref而得的值生成的电压，输出偏置电压Vbias(第二电压)。
[0021]图2是表示一个实施方式的电源电路1的安装的一个例子的图。电源电路1具备第一晶体管P1作为第一电路，具备第二晶体管P2作为第二电路，具备电阻Rf、Rs作为第三电路，具备第一差动放大器Amp1作为第四电路，具备第二放大器Amp2作为第五电路。
[0022]电源电路1具备输入端子in和输出端子out1、out2。输入端子in是被输入正侧的电源电压Vdd的端子。在图2中，记载有接地面，但也可以具备接地端子来作为与该输入端子in成对的负侧的电源电压。另外，也可以不接地，而具备被施加与Vdd对应的负的电压的输入端子。
[0023]输出端子out1输出向外部输出的电源电压Vlna。作为外部的负载，例如连接LNA。输出端子out2输出该LNA的RF信号的输入的偏置电压Vbios。
[0024]第一晶体管P1例如是p型的MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor：金属-氧化物半导体场效应晶体管)，源极与输入端子in连接，栅极与第一差动放大器Amp1连接，漏极与输出端子out1连接。该第一晶体管P1的源极被施加电源电压Vdd，栅极被施加驱动电压Vgate。通过施加于栅极的驱动电压Vgate，控制从漏极输出的第一电流I1。
[0025]第二晶体管P2例如为p型的MOSFET，源极与输入端子in连接，栅极与第一差动放大器Amp1的输出连接，在漏极中流过恒定电流。该第二晶体管P2的源极被施加电源电压Vdd，栅极被施加驱动电压Vgate。通过施加于栅极的驱动电压Vgate，控制从漏极输出的第二电流I2。
[0026]第二晶体管P2例如也可以与第一晶体管P1共同连接栅极，形成电流镜。在该情况下，第一晶体管P1与第二晶体管P2的漏极电流之比能够任意地设定，能够根据使用用途、外部负载等各种状况来进行设计。
[0027]另外，第二晶体管P2的漏极与基准电流源连接，基准电流Iref从漏极流过。如此，基准电流Iref与漏极连接，从而第二晶体管作为将施加于栅极的驱动电压Vgate放大并输出的放大器而动作。
[0028]如此，第二晶体管P2作为输出与第一晶体管P1成比例的电流的电流镜、并且作为对施加于栅极的驱动电压Vgate乘以增益而输出的放大器而动作。即，第二晶体管P2作为对第一晶体管P1的漏极侧的电压乘以增益而输出的放大器而动作。
[0029]电阻Rf的一方的端子与第一晶体管P1的漏极连接，另一方的端子经由电阻Rs接地。通过稳定状态下的来自第一晶体管P1的漏极的电流流过电阻Rf、Rs的合成电阻，生成向外部负载输出的电源电压Vlna。通过这些电阻，反馈电压Vfb被输出为Vlan
×
Rs/(Rs+Rf)。
[0030]第一差动放大器Amp1的非反相输入与电阻Rf、Rs之间的节点(上述的电阻Rf的另一方的端子)连接，反相输入被施加基准电压Vref，输出与第一晶体管P1的栅极以及第二晶体管P2的栅极连接。该第一差动放大器Amp1将反馈本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电源电路，具备：第一电路，基于驱动信号，输出第一电流；第二电路，生成与所述第一电流对应的第二电流；第四电路，基于与所述第一电流对应的第一电压，生成所述驱动信号；以及第五电路，基于所述第一电流以及所述第二电流，输出第二电压。2.如权利要求1所述的电源电路，其中，所述第一电路具备第一晶体管，所述第二电路具备第二晶体管，该第二晶体管与所述第一晶体管形成电流镜。3.如权利要求1所述的电源电路，其中，所述第四电路具备第一差动放大器，该第一差动放大器将所述第一电压与基准电压之差放大。4.如权利要求1所述的电源电路，其中，所述第五电路具备第二差动放大器，该第二差动放大器将基于所述第二电流及基准电流的电压与所述第一电压进行比较，输出所述第二电压。5.如权利要求1所述的电源电路，其中，所述电源电路还具备第三电路，该第三电路基于所述第一电压生成反馈电压，所述第四电路基于所述反馈电压，生成所述驱动信号。6.如权利要求5所述的电源电路，其中，所述第三电路具备连接于被施加所述第一电压的端子与基准电位之间的电阻，从以规定的比例分割了所述电阻的端子输出所述反馈电压。7.如权利要求5所述的电源电路，其中，所述第四电路具备第一差动放大器，该第一差动放大器将所述反馈电压与基准电压之差放大。8.如权利要求5所述的电源电路，其中，所述第五电路具备第二差动放大器，该第二差动放大器将基于所述第二电流及基准电流的电压与所述第一电压进行比较，输出所述第二电压。9.一种电源电路，具备：第一晶体管，输出第一电流；第一差动放大器，与所述第一晶体管的驱动端子连接，基于所述第一晶体管输出的电压与基准电压之差，输出驱动电压，施加驱动所述第一晶体管的电压；第二晶体管，驱动端子与所述第一晶体管的驱动端子连接，输出与所述第一电流成比例的第二电流；以及第二差动放大器，与所述第一晶体管的输出和所述第二晶体管的输出连接，基于所述第一晶体管的输出与所述第二晶体管的输出之差，输出第二电压。10.如权利要求9所述的电源电路，其中，所述电源电路还具备反馈电路，该反馈电路与所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：永田稔，
申请(专利权)人：东芝电子元件及存储装置株式会社，
类型：发明
国别省市：