本发明专利技术公开了具有特征在于根据ＣｕＫａ特征性Ｘ－射线衍射方法的Ｘ－射线衍射图的新晶形的碘镓酞菁和溴镓酞菁，并且表现良好的锆酞菁可通过反应溶剂的适宜选择，接着在适宜溶剂中研磨或搅拌而获得。例如，α－氯萘为用于邻苯二甲腈和三碘化镓或三溴化镓之间的反应以得到碘镓酞菁或溴镓酞菁的适宜溶剂。氯镓酞菁或氢氧化镓酞菁与氢碘酸（氢溴酸）的反应也能有效地提供新晶形的碘（或溴）镓酞菁。显示出良好电子照相性能的锆酞菁可通过相似方法获得。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
,其制备方法以及使用该化合物的电子照相光敏性元件的制作方法
本专利技术涉及，更具体地说是具有新晶形的碘镓，溴镓和锆。本专利技术进一步涉及制备的方法以及使用的电子照相光敏性元件。至今，已注意到酞菁颜料并研究将其不仅作为着色剂，而且作为用于形成电子照相光敏性元件，太阳能电池，光传感器等的电子材料。另一方面，最近一些年来，使用电子照相的非击打型的打印机已被广泛用作终端打印机来代替常规的击打型的打印机。这些打印机主要构成使用激光作为光源的激光打印机。作为光源，由于其费用和设备大小，半导体激光已被广泛使用。目前主要使用的半导体激光在790nm左右的长波长区具有发射波长，因此已开发出对该长波长光具有足够敏感性的电子照相光电导体。电子照相光电导体的敏感性区主要随产生电荷的材料而变化，对长波长光具有敏感性的产生电荷的材料已进行了许多研究，这些材料包括金属酞菁和非金属酞菁，例如铝氯酞菁，氯铟酞菁、氧化钒酞菁、氢氧化镓酞菁、氯镓酞菁、镁酞菁和氧化钛酞菁。已知这些中的许多化合物具有各种晶形。例如，已知非金属酞菁具有α型、β-型、γ-型、δ-型、ε-型、χ-型、τ-型等，已知铜酞菁具有α型、β-型、γ-型、ε-型、χ-型等。这些的具体的实例公开在例如日本公开专利申请(JP-A)50-38543,JP-A51-108847和JP-A53-37423。氧化钛酞菁报导在JP-A61-217050,JP-A61-239248,JP-A62-67094,JP-A64-17066和JP-A3-128973中。而且，镓酞菁和氯镓酞菁，氢氧化镓酞菁以及它们的晶形一起公开在JP-A5-98181和JP-A5-263007中。另外，碘镓酞菁公开在JP-A60-59354中，溴镓酞菁公开在JP-A57-148745中，但没有具体公开它们的晶形。然而，使用这些已知的的许多电子照相光敏性元件仅可显示出低的敏感性，并有可能导致重复使用期间暗区电压和亮区电压的波动。本专利技术的一个目的是提供具有新晶形的和制备这些化合物的方法。本专利技术的另一个目的是提供对长波长光具有非常高的敏感性并具有优异的电压稳定性的电子照相光敏性元件。根据本专利技术，提供具有选自特征在于分别通过CuKα特征性X-射线衍射方法获得的下面所示的X-射线衍射图(a)-(e)的晶形的碘镓酞菁(a)在9.6度的Bragg角(2θ±0.2度)具有最强峰，并不存在强度为最强峰强度的30％或更高的其他峰，(b)在9.4度和27.1度的Bragg角(2θ±0.2度)具有最强峰和第二最最强峰，其中第二最强峰强度是最强峰强度的30％或更高，(c)在7.5度和27.7度的Bragg角(2θ±0.2度)具有最强峰和第二最强峰，(d)在7.5度和26.4度的Bragg角(2θ±0.2度)具有最强峰和第二最强峰，和(e)在8.8度和27.2度的Bragg角(2θ±0.2度)具有最强峰、第二最强峰和第三最强峰之中的二个峰。根据本专利技术，还提供具有选自由分别通过CuKα特征性X-射线衍射方法获得的下面所示的X-射线衍射图(f)-(j)代表的晶形的溴镓酞菁(f)在27.3度的Bragg角(2θ±0.2度)具有最强峰，并不存在强度为最强峰强度的30％或更高的其他峰，(g)在9.0度和27.1度的Bragg角(2θ±0.2度)具有最强峰和第二最强峰，其中第二最强峰的强度至少是最强峰强度的30％，(h)在7.4度和27.9度的Bragg角(2θ±0.2度)具有最强峰和第二最强峰，(i)在7.5度和26.4度的Bragg角(2θ±0.2度)具有最强峰和第二最强峰，和(j)在6.9度和26.7度的Bragg角(2θ±0.2度)具有最强峰和第二最强峰。通过下面方法可有效地制备该碘(或溴)镓酞菁，该方法包括在碾磨或搅拌条件下，将氯镓酞菁或氢氧化镓酞菁与氢碘酸(或氢溴酸)反应。根据本专利技术，进一步提供具有用CuKα特征性X-射线衍射方法测定的在Bragg角为7.0-9.0度(2θ±0.2度)的范围内具有最强峰的X-射线衍射图表示的晶形的锆酞菁。通过下面方法可有效地制备该锆酞菁，该方法包括在有机溶剂中碾磨或搅拌锆酞菁。根据本专利技术，还提供一种电子照相光敏性元件，该元件包括载体以及在载体上形成并包含上述的碘镓酞菁，溴镓酞菁和锆酞菁之一的光敏层。在考虑下面对本专利技术的优选具体实例的描述并结合附图，本专利技术的这些和其他目的、特征和优点将变得显而易见。附图说明图1和2为截面图，各显示电子照相光敏性元件的层状结构的一个实例。图3-31各显示根据本专利技术的碘镓酞菁晶体的X-射线衍射图。图32-59各显示根据本专利技术的溴镓酞菁晶体的X-射线衍射图。图60-75各显示根据本专利技术的锆酞菁的X-射线衍射图。图76和77各显示根据本专利技术的锆酞菁的红外吸收谱。图78图示表明电子照相设备，其中安装了包括本专利技术电子照相光敏性元件的一个加工卡盒。根据本专利技术的碘镓酞菁具有选自特征在于分别通过CuKα特征性X-射线衍射方法获得的下面所示的X-射线衍射图(a)-(e)的晶形(a)在9.6度的Bragg角(2θ±0.2度)具有最强峰，并不存在强度为最强峰强度的30％或更高的其他峰，(b)在9.4度和27.1度的Bragg角(2θ±0.2度)具有最强峰和第二最强峰，其中第二最强峰强度是最强峰强度的30％或更高，(c)在7.5度和27.7度的Bragg角(2θ±0.2度)具有最强峰和第二最强峰，(d)在7.5度和26.4度的Bragg角(2θ±0.2度)具有最强峰和第二最强峰，和(e)在8.8度和27.2度的Bragg角(2θ±0.2度)具有最强峰、第二最强峰和第三最强峰之中的二个峰。优选的是衍射图(b)进一步在8.7度，16.4度，18.3度和27.2度的Bragg角(2θ±0.2度)具有强峰。优选的是衍射图(c)进一步在16.3度的Bragg角(2θ±0.2度)具有一强峰。优选的是衍射图(d)进一步在16.3度的Bragg角(2θ±0.2度)具有一强峰。还优选的是衍射图(e)进一步在9.8度的Bragg角(20±0.2度)具有一强峰。根据本专利技术的碘镓酞菁具有由下式代表的结构 其中X1,X2,X3和X4代表Cl或溴，n1,m1,p1和k1各自为0-4的整数。碘镓酞菁可例如通过在150-230℃下，在α-氯萘溶剂中将酞菁与三碘化镓反应而形成。还发现可通过在使用剪切力，如通过碾磨或搅拌下，将通过各种方法，例如在JP-A5-194523中所示的方法所获得的氯镓酞菁或通过氯镓酞菁水解获得的氢氧化镓酞菁与氢碘酸反应而获得碘镓酞菁。由于可使用不昂贵的氯化镓来代替碘化镓，因此这个方法是商业上所希望的。根据本专利技术制备的碘镓酞菁为非晶形的。更具体地说，具有由在9.7度的Bragg角(2θ±0.2度)显示一强峰的衍射图(a)所代表的晶形的碘镓酞菁(下文有时称为“碘镓酞菁(a)”)可通过在搅拌和150-230℃加热下，在α-氯萘反应溶剂中使邻苯二甲腈和三碘化镓反应而形成。可进一步在热分散条件下，将产物碘镓酞菁在酰胺溶剂例如N,N-二甲基甲酰胺中洗涤，或用醇例如乙醇洗涤。晶形不被这种洗涤所改变。具有由在9.4度和27.1度的Bragg角(2θ±0.2度)具有强峰的衍射图(b)所代表的晶形的碘镓酞菁(下文有时称本文档来自技高网...
【技术保护点】
具有选自特征在于分别通过ＣｕＫα特征性Ｘ－射线衍射方法获得的下面所示的Ｘ－射线衍射图（ａ）－（ｅ）的晶形的碘镓酞菁： （ａ）在９．６度的Ｂｒａｇｇ角（２θ±０．２度）具有最强峰，并不存在强度为最强峰强度的３０％或更高的其他峰， （ｂ）在９．４度和２７．１度的Ｂｒａｇｇ角（２θ±０．２度）具有最强峰和第二最强峰，其中第二最强峰强度是最强峰强度的３０％或更高， （ｃ）在７．５度和２７．７度的Ｂｒａｇｇ角（２θ±０．２度）具有最强峰和第二最强峰， （ｄ）在７．５度和２６．４度的Ｂｒａｇｇ角（２θ±０．２度）具有最强峰和第二最强峰，和 （ｅ）在８．８度和２７．２度的Ｂｒａｇｇ角（２θ±０．２度）具有最强峰、第二最强峰和第三最强峰之中的二个峰。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：田中正人，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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