一种LED芯片及灯制造技术

公开了一种LED芯片及灯，LED芯片包括：衬底；第一LED结构和第二LED结构，第一LED结构和第二LED结构共用衬底。本实用新型专利技术的LED芯片包括第一LED结构和第二LED结构，第一LED结构和第二LED结构共用衬底，第一LED结构的第一外延层和第二LED结构的第二外延层可分别或同时控制发光，提高了LED芯片的发光亮度和发光均匀性。性。性。

【技术实现步骤摘要】
一种LED芯片及灯


[0001]本技术涉及半导体制造
，特别涉及一种LED芯片及灯。

技术介绍

[0002]自从20世纪90年代初商业化以来，经过二十几年的发展，LED已被广泛应用于户内外显示屏、投影显示用照明光源、背光源、景观亮化照明、广告、交通指示等领域，并被誉为二十一世纪最有竞争力的新一代固体光源。然而，对于LED来说，要代替传统光源进入高端照明领域，其发光亮度和发光均匀性的提高是至关重要的。
[0003]现有的LED芯片形成步骤包括：在衬底上生长一个发光外延层，在发光外延层上做正负电极，正负极通电后发光外延层发出光子。这种单个发光外延层的LED芯片通常作为单向发光源实现全周360
°
发光，发光亮度相对较低。另外，现有的LED芯片具有五个发光面，在使用过程中LED芯片的固定支架限制了LED芯片的发光面，导致LED芯片在垂直方向上发光亮度较高，在侧壁水平方向上发光亮度较弱，发光不均匀，不适用于对水平方向的发光亮度有要求的背光领域。

技术实现思路

[0004]鉴于上述问题，本技术的目的在于提供一种LED芯片及灯， LED芯片包括第一LED结构和第二LED结构，第一LED结构和第二 LED结构共用衬底，第一LED结构的第一外延层和第二LED结构的第二外延层可分别或同时控制发光，提高了LED芯片的发光亮度和发光均匀性，扩大了LED芯片的应用范围。
[0005]根据本技术的第一方面，提供一种LED芯片，包括：
[0006]衬底；
[0007]第一LED结构和第二LED结构，所述第一LED结构和第二LED 结构共用所述衬底。
[0008]进一步地，所述第一LED结构包括：
[0009]位于所述衬底的第一表面上的第一外延层，所述第一外延层包括由下向上依次设置的第一半导体层、第一发光层和第二半导体层；
[0010]第一PN台阶，位于所述第一外延层中，所述第一PN台阶的第一上台阶面为所述第二半导体层，第一下台阶面为所述第一半导体层，所述第一上台阶面和所述第一下台阶面之间连接形成第一PN台阶侧面；
[0011]第一电流扩展层，位于所述第二半导体层上，覆盖部分所述第二半导体层；
[0012]第一电极，位于所述第一半导体层上，与所述第一半导体层电连接；
[0013]第二电极，与所述第一电极彼此隔离，位于所述第一电流扩展层上，通过所述第一电流扩展层与所述第二半导体层电连接；
[0014]所述第二LED结构包括：
[0015]位于所述衬底的第二表面上的第二外延层，所述第二外延层包括由上向下依次设置的第三半导体层、第二发光层和第四半导体层；
[0016]第二PN台阶，位于所述第二外延层中，所述第二PN台阶的第二上台阶面为所述第三半导体层，第二下台阶面为所述第四半导体层，所述第二上台阶面和所述第二下台阶面之间连接形成第二PN台阶侧面；
[0017]第二电流扩展层，位于所述第四半导体层下，覆盖部分所述第四半导体层；
[0018]第三电极，位于所述第三半导体层下，与所述第三半导体层电连接；
[0019]第四电极，与所述第三电极彼此隔离，位于所述第二电流扩展层下，通过所述第二电流扩展层与所述第四半导体层电连接。
[0020]进一步地，所述第一电流扩展层具有第一开口，所述第一开口暴露出部分所述第二半导体层，所述第二电极，通过所述第一开口与所述第二半导体层电连接；
[0021]所述第二电流扩展层具有第二开口，所述第二开口暴露出部分所述第四半导体层，所述第四电极通过所述第二开口与所述第四半导体层电连接。
[0022]进一步地，所述第一电极与所述第三电极彼此隔离，所述第二电极与所述第四电极彼此隔离。
[0023]进一步地，所述第一电极与所述第三电极电连接，所述第二电极与所述第四电极电连接。
[0024]进一步地，所述第一LED结构还包括：
[0025]第一钝化层，位于所述第一电极和所述第二电极上，覆盖暴露的所述第一电流扩展层、所述第一半导体层、所述第二半导体层以及所述第一PN台阶侧面，所述第一钝化层包括第三开口和第四开口，通过所述第三开口露出所述第一电极，通过所述第四开口露出所述第二电极；
[0026]所述第二LED结构还包括：
[0027]第二钝化层，位于所述第三电极和所述第四电极下，覆盖暴露的所述第二电流扩展层、所述第三半导体层、所述第四半导体层以及所述第二PN台阶侧面，所述第二钝化层包括第五开口和第六开口，通过所述第五开口露出所述第三电极，通过所述第六开口露出所述第四电极。
[0028]进一步地，所述第一LED结构和所述第二LED结构还包括：
[0029]第一导通孔，位于所述第一PN台阶的第一下台阶面和所述第二PN 台阶的第二上台阶面，贯穿所述第一半导体层、所述衬底和所述第三半导体层；
[0030]第二导通孔，位于所述第一开口和所述第二开口内，贯穿所述第一半导体层、所述第一发光层、所述第二半导体层、所述第一电流扩展层、所述衬底、所述第三半导体层、所述第二发光层、所述第四半导体层和所述第二电流扩展层。
[0031]进一步地，所述第一LED结构还包括：
[0032]第一钝化层，位于所述第一电流扩展层上，覆盖部分所述第一电流扩展层、暴露的所述第二半导体层、部分所述第一半导体层、所述第一 PN台阶侧面、所述第一导通孔和所述第二导通孔的部分内壁，所述第一钝化层包括第七开口、第八开口、第九开口和第十开口，通过所述第七开口和所述第八开口露出所述第一半导体层，通过所述第九开口和所述第十开口露出所述第一电流扩展层；
[0033]所述第二LED结构还包括：
[0034]第二钝化层，位于所述第二电流扩展层下，覆盖部分所述第二电流扩展层、暴露的
所述第四半导体层、部分所述第三半导体层、所述第二 PN台阶侧面、所述第一导通孔和所述第二导通孔的部分内壁，所述第二钝化层包括第十一开口、第十二开口、第十三开口和第十四开口，通过所述第十一开口和所述第十二开口露出所述第三半导体层，通过所述第十三开口和所述第十四开口露出所述第二电流扩展层；
[0035]所述第一钝化层和所述第二钝化层共同铺满所述第一导通孔和所述第二导通孔的整个内壁。
[0036]进一步地，所述第一电极位于所述第一钝化层上，覆盖暴露的所述第一半导体层和所述第一导通孔内壁的所述第一钝化层，所述第一电极通过所述第七开口和所述第八开口与所述第一半导体层电连接；
[0037]所述第二电极位于所述第一钝化层上，覆盖暴露的所述第一电流扩展层和所述第二导通孔内壁的所述第一钝化层，所述第二电极通过所述第九开口和所述第十开口与所述第一电流扩展层电连接；
[0038]所述第三电极位于所述第二钝化层下，覆盖暴露的所述第三半导体层和所述第一导通孔内壁的所述第二钝化层，所述第三电极通过所述第十一开口和所述第十二开口与所述第三半导体层电连接；<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种LED芯片，其特征在于，包括：衬底；第一LED结构和第二LED结构，所述第一LED结构和第二LED结构共用所述衬底。2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述第一LED结构包括：位于所述衬底的第一表面上的第一外延层，所述第一外延层包括由下向上依次设置的第一半导体层、第一发光层和第二半导体层；第一PN台阶，位于所述第一外延层中，所述第一PN台阶的第一上台阶面为所述第二半导体层，第一下台阶面为所述第一半导体层，所述第一上台阶面和所述第一下台阶面之间连接形成第一PN台阶侧面；第一电流扩展层，位于所述第二半导体层上，覆盖部分所述第二半导体层；第一电极，位于所述第一半导体层上，与所述第一半导体层电连接；第二电极，与所述第一电极彼此隔离，位于所述第一电流扩展层上，通过所述第一电流扩展层与所述第二半导体层电连接；所述第二LED结构包括：位于所述衬底的第二表面上的第二外延层，所述第二外延层包括由上向下依次设置的第三半导体层、第二发光层和第四半导体层；第二PN台阶，位于所述第二外延层中，所述第二PN台阶的第二上台阶面为所述第三半导体层，第二下台阶面为所述第四半导体层，所述第二上台阶面和所述第二下台阶面之间连接形成第二PN台阶侧面；第二电流扩展层，位于所述第四半导体层下，覆盖部分所述第四半导体层；第三电极，位于所述第三半导体层下，与所述第三半导体层电连接；第四电极，与所述第三电极彼此隔离，位于所述第二电流扩展层下，通过所述第二电流扩展层与所述第四半导体层电连接。3.根据权利要求2所述的LED芯片，其特征在于，所述第一电流扩展层具有第一开口，所述第一开口暴露出部分所述第二半导体层，所述第二电极，通过所述第一开口与所述第二半导体层电连接；所述第二电流扩展层具有第二开口，所述第二开口暴露出部分所述第四半导体层，所述第四电极通过所述第二开口与所述第四半导体层电连接。4.根据权利要求3所述的LED芯片，其特征在于，所述第一电极与所述第三电极彼此隔离，所述第二电极与所述第四电极彼此隔离。5.根据权利要求3所述的LED芯片，其特征在于，所述第一电极与所述第三电极电连接，所述第二电极与所述第四电极电连接。6.根据权利要求4所述的LED芯片，其特征在于，所述第一LED结构还包括：第一钝化层，位于所述第一电极和所述第二电极上，覆盖暴露的所述第一电流扩展层、所述第一半导体层、所述第二半导体层以及所述第一PN台阶侧面，所述第一钝化层包括第三开口和第四开口，通过所述第三开口露出所述第一电极，通过所述第四开口露出所述第二电极；所述第二LED结构还包括：第二钝化层，位于所述第三电极和所述第四电极下，覆盖暴露的所述第二电流扩展层、
所述第三半导体层、所述第四半导体层以及所述第二PN台阶侧面，所述第二钝化层包括第五开口和第六开口，通过所述第五开口露出所述第三电极，通过所述第六开口露出所述第四电极。7.根据权利要求5所述的LED芯片，其特征在于，所述第一LED结构和所述第二LED结构还包括：第一导通孔，位于所述第一PN台阶的第一下台阶面和所述第二PN台阶的第二上台阶面，贯穿所述第一半导体层、...

【专利技术属性】
技术研发人员：马拥军，邱伟，
申请(专利权)人：杭州士兰明芯科技有限公司，
类型：新型
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