一种制备电子照相物品的方法技术

一种制备包含电荷发生物质与至少一种转移物质之络合物的电子照相物品的方法，所述转移物质选自电子转移物质和空穴转移物质，所述方法包括：　　　　在溶剂中混合所述电荷发生物质、所述至少一种转移物质和有机粘合剂而形成可涂性分散体，所述分散体包括电荷发生物质和所述至少一种转移物质的络合物；以及　　　　在导电基质上涂布所述可涂性分散体以在电光电导物品上形成电荷转移层。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

技术介绍
专利
本专利技术涉及一种用于电子照相术(electrophotography)的光感受器(photoreceptor)，特别涉及用于制备电子照相介质的电荷发生物质的络合物，尤其是有机电荷发生物质与(a)电荷转移物质或者(b)电子转移物质的络合物，及优选为新晶形钛酞菁络合物。所述光电导系统适用于任何电记录或电子照相的工艺中，例如在印刷机、复印机等设备中使用的光电导系统。所述光电导系统对长波光和半导体激光束，而不仅仅只对可见光具有高灵敏度。
技术介绍
对可见光有光敏性的电子照相感光器，被广泛地用于印刷机、复印机等。最初用作电子照相感光器(通常是无机感光器)的物质，包含光敏层(在导体支持物之上)，所述光敏层包括硒、氧化锌、硫化镉，及作为主要成分的其他无机光导体物质被广泛应用。然而，这些无机感光器在光敏性、热稳定性、水/湿稳定性、耐用性以及其他用于复印机等的电子照相感光器所需的特性方面不能总让人满意。例如，硒在受热易于结晶或易被指纹污染，这些会很容易地降低感光器所需特性。使用硫化镉的电子照相感光器在水稳定性和耐用性方面较差，使用氧化锌的电子照相感光器在耐用性方面存在问题，特别是潮湿或物理压力的情况下。使用硒和硫化镉的电子照相感光器还存在有制造和加工方面的不利限制。为了改进和避免无机光电导物质上述的缺点，各种各样的有机光电导物质已经被用于电子照相感光器的光敏层。例如日本未审查专利公开50-10496公开了一种使用含聚-N-乙烯基咔唑和2，4，7-三硝基芴酮光敏层的感光器。然而，这种感光器在灵敏度和耐用性方面不足。因此，开发了一种独立功能类型的两层的电子照相感光器，其中光敏层含有相互独立的载体发生层和载体转移层，它们分别包含载体发生物质和载体转移物质。这中一种功能的大量物质。因此，人们期望得到具有高灵敏性和稳定性的有机感光器。已经建议了许多可有效用于载体发生层的载体发生物质，所述载体发生层属于独立功能类型电子照相感光器。一个使用无机物的实例，可以使用无定形硒，如日本未审查专利43-16198中所示。所述含无定形硒的载体发生层与含有机载体转移物质的载体转移层合用。然而，所述的含有无定形硒的载体发生层受热易结晶，导致如上所述的性能下降。使用有机物质作为载体发生物质的例子，如有机染料或者颜料。例如在日本未审查专利47-37543、55-22834、54-79632、56-116040等中使用的具有含双偶氮化合物光敏层感光器，已为公众所知。然而，虽然这些双偶氮化合物在短波和中波段内表现出良好的灵敏性，但在长波范围内敏感度低。很难将其用于使用半导体激光束源的激光打印机中，它们需具备可靠性。镓铝砷(镓/铝/砷)类发光元素现在被广泛用作半导体激光束，其振幅波长大于750毫米。为了得到对这种长波光具有高灵敏度的电子照相感光器，已经做了大量的研究工作。例如，一种方法是将敏化剂加入到光敏物质如硒、硫化镉和其他对可见光具有高敏感度物质中，以使波长变长。如上所述，然而，硒和硫化镉对环境中的温度、湿度等因素抵抗能力不足。再者，如上所述，已经知道了大量的有机类型的光电导体物质；其灵敏度通常仅限于700毫米以下可见光范围，并且仅有极少数目的物质对长波有足够的灵敏度。在已有的电荷发生物质中，酞菁类化合物公知在长波区域具有光敏性。其中，α类钛氧酞菁在日本未审查专利61-239248中公开。当这类钛氧酞菁进行CuK-α源(波长为1.541埃)的X射线照射时，在Bragg’s 2θ角中，具有在7.5、12.3、16.3、25.3和28.7度的峰。然而，其灵敏度低、电势稳定性在重复使用时较差，并且在使用反转显影的电子照相工艺中易受照相灰雾(photographic fog)影响。充电量也低，很难得到足够密度的影像。美国专利4898799描述了一种含有钛氧酞菁的感光器，所述钛氧酞菁接受CuK-α特性X射线(波长为1.541埃)照射时，在Bragg’s 2θ角中，至少在9.5±0.2度、9.7±0.2度、11.7±0.2度、15.0±0.2度、23.5±0.2度、24.1±0.2度、27.3±0.2度有峰。并描述了该钛氧酞菁的制备方法，例如在α氯萘溶剂中将四氯化钛和邻苯二甲腈(phthalodinitrile)混合。得到的二氯钛酞菁(TiCl2Pc)水解得到α型钛氧酞菁。通过2-乙氧基乙醇、二甘醇二甲醚、二氧杂环己烷、四氢呋喃、N，N二甲基甲酰胺、N-甲基吡咯酮、吡啶、吗啉和其他电子给体溶剂进行处理。绝大多数的系统依赖于电荷发生物质和电子转移物质或者电荷转移物质的偶然性结合。这导致单个产品内、相同产品的批内以及同一产品的不同运行期间的一致性变化不定。影像的一致性从来不是期望的特征。专利技术概述本专利技术提供了作为电子照相成像层内功能物质的络合物。电荷发生物质(CGM)与(a)电子转移物质(ETM)和(b)电荷转移物质(CTM)之一混合。在覆功能层之前先制备这些物质的络合物(该功能层通常含有电子照相元素的两种组分物质)，可提供更加均匀的活性物质(例如CGM/ETM或者CGM/CTM)的结合物，得到更一致性的产品和呈现较快速度的产品。本领域中公知的任何金属酞菁，如钛酞菁、铜酞菁、氧化钛酞菁(也指钛氧酞菁，并且包括能作为电荷发生化合物的任何晶相或晶相混合物)，以及羟基镓酞菁，都适用于本专利技术，尤其是钛氧酞菁的任何晶相。然而，优选钛氧酞菁的专有晶相，这里的专有晶相指的是S-晶相。所述钛氧酞菁的专有晶相包括晶格排列内部混合，所述晶格排列由对不同晶型的钛氧酞菁晶体的进行不同处理提供(优选地是从γ晶型开始)。所述S-晶相是一种真正的新晶相(具有单晶体所呈现的辐射光谱和吸收特性)，而不是不同晶相的不同晶粒的混合相(例如将β-晶相和γ-晶相的晶粒混合)，S-晶相原子和分子中内部晶格分布的组成一种新的、连续的、不均匀的晶格结构。X射线光谱显示混合的衍射峰，所述的衍射峰以前在不同的晶型的钛氧酞菁各自显示，但现在可以在一种晶型中得到。本专利技术涉及到一种含有钛氧酞菁络合物的感光器，优选的是专有钛氧酞菁接受CuK-α特性X射线(波长为1.541埃)照射时，具有在表示至少在9.5±0.2度、9.7±0.2度、11.7±0.2度、13.5±0.2度、24.1±0.2度、26.4±0.2度和27.3±0.2度处的Bragg’s 2θ角主峰。另外与主波峰相近或者相等的波峰可呈现在15.0，15.3，和16.0±0.2度处。其他可能存在的特征是在21.0±0.2度的β型峰和在23-23.5±0.2度的肩峰，但是这些特征不是S-晶型的专有特征。作为使用这种优选的电荷发生物质的选择，美国专利4898799(这里引用作为本专利技术的参考)记载的α-晶相、β-晶相和γ-晶相的钛氧酞菁晶体和钛氧酞菁可用来形成本专利技术中的络合物。附图说明用附图来例举说明本专利技术，其中用图形方式描述了所述的钛氧酞菁的特性。应该注意的是所有的图和实施例中的γ-晶型(gamma-forms)都具有相同组成以及基本上相同的晶格结构，但在数量上有所不同。本领域技术人员可以明白，所呈现的特性变化为与批间变化类似的变化。图1示出了三份钛氧酞菁(TiOPc)样品的X射线衍射光谱γ-7(市售)、β-11(市售)和一种经MEK研磨的样品。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：朱嘉毅，兹比格纽·托卡斯基，詹姆斯·A·贝克，罗纳德·J·莫德里，戴维·T·阿斯克，纽斯雷拉·朱布兰，卡姆·W·劳，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：