【技术实现步骤摘要】
金属带、制备非晶金属带的方法和纳米晶金属带制备方法
[0001]本专利技术涉及一种金属带、一种制备非晶金属带的方法和一种制备纳米晶金属带的方法。
技术介绍
[0002]如果使用具有适当的玻璃形成元素(也称为准金属)的合金,可以用快速凝固技术(如熔体旋淬方法)制备非晶态金属带。
[0003]由Fe
100-a-b-w-x-y-z T
a M
b Si
w B
x P
y C
z
制成的铁基软磁合金也可以借助快速凝固技术以非晶态带的形式制备。这一快速凝固的非晶态的铁基金属带拥有良好的软磁性能,并且可以因此直接地使用或者作为起始产品用于纳米晶材料用途,如例如用于电感构件的铁芯或用作屏蔽箔,如例如在出版物US 2012/262266 A1和DE 10 2013 103268 B4所公开的。此外,在非晶状态下,它们也拥有特别好的和吸引人的机械性能,如例如比较低的弹性模量和大的硬度,并且可以因此用作弹簧材料或用于刀具或刮胡刀片。
[0004]对非晶金属带和纳米晶金属带的要求不断提高,其中,希望的是在甚至更小的厚度、甚至更大的长度下的甚至更好的性能。为了特别改善该非晶金属带的经济性,更可靠地制备更大的带长度,例如具有好几千米的连续长度的带长度,是令人向往的。
[0005]因此,目的是,通过提供改进的非晶金属带来满足这些要求。
技术实现思路
[0006]根据本专利技术,提供了一种金属带,所述金属带具有:铸轮侧,所述铸轮侧是在冷却元 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种金属带,所述金属带具有:铸轮侧,所述铸轮侧是在冷却元件的外表面上凝固的;位于反面的空气侧;以及组织,所述组织是至少80体积%非晶态的,或者,所述组织具有至少80体积%纳米晶粒和剩余的非晶态基体,其中,纳米晶粒的至少80%具有小于50nm的平均晶粒尺寸和随机的取向,其中,空气侧具有小于23%的表面结晶分数。2.根据权利要求1所述的金属带,其中,空气侧具有小于5%的表面结晶分数。3.根据权利要求1或2所述的金属带,其中,铸轮侧具有小于23%、优选小于5%的表面结晶分数。4.根据权利要求1至3中任一项所述的金属带,其中,所述金属带具有占总体积的0.01%至5%之间的表面层,构成表面结晶分数的晶粒处于表面层中。5.根据权利要求3所述的金属带,其中,80体积%的表面结晶的晶粒具有大于100nm的平均晶粒尺寸。6.根据权利要求4或5所述的金属带,其中,表面结晶的晶粒具有织构。7.根据权利要求1至6中任一项所述的金属带,所述金属带具有:2mm至300mm、优选40mm至200mm的宽度,和/或小于50μm、优选小于25μm、优选小于20μm、优选在10μm至18μm之间的厚度。8.根据权利要求1至7中任一项所述的金属带,所述金属带具有:小于0.25原子%的钛含量,小于0.4原子%的铝含量,小于0.4原子%的锰含量和小于0.35原子%的硫含量。9.根据权利要求1至8中任一项所述的金属带,其中,所述金属带具有(Fe,T)
a
M
b
和至多1原子%的杂质,其中,70原子%≤a≤90原子%且10原子%≤b≤30原子%,T是元素Co、Ni、Cu、Cr、Zn、Sn和V中的一种或多种、且M是元素Nb、Mo、Zr、Ta、B、Si、C和P中的一种或多种。10.根据权利要求1至8中任一项所述的金属带,其中,所述金属带具有:Fe
100-a-b-w-x-y-z
T
a
M
b
Si
w
B
x
P
y
C
z
(按原子%计)和至多1原子%的杂质,其中,T是由以下各项组成的组中的一种或多种:Co、Ni、Cu、Cr、Zn、Sn和V,M是由以下各项组成的组中的一种或多种:Nb、Mo、Zr和Ta,并且有0≤a≤800≤b≤100≤w≤253≤x≤200≤y≤70≤z≤2。11.根据权利要求9或10所述的金属带,所述金属带的μ
Dyn
>100000,优选>150000。12.根据权利要求9至11中任一项所述的金属带,其中,所述金属带的所述铸轮侧具有按算数平均值Ra计的表面粗糙度,Ra小于0.8μm、优选小于0.7μm。13.一种用快速凝固技术制备非晶金属带的方法,所述方法包括:提供合金的熔体;
在将熔体浇铸到冷却元件的移动的外表面上期间,用足够将冷却元件的外表面光滑化的压力,连续地将辊压装置按压到冷却元件的外表面上;以及将熔体浇铸到移动的冷却元件的移动的外表面上,其中,熔体在所述外表面上凝固并且形成非晶金属带,所述非晶金属带具有:铸轮侧,所述铸轮侧是在冷却元件的外表面上凝固的;位于反面的空气侧;以及组织,所述组织是至少80体积%非晶态的,其中,空气侧具有小于23%、优选小于5%的表面结晶分数。14.根据权利要求13所述的方法,其中,铸轮侧具有小于23%、优选小于5%的表面结晶分数。15.根据权利要求13或14所述的方法,其中,非晶金属带具有2mm至300mm的宽度和/或小于50μm的厚度。16.根据权利要求13至15中任一项所述的方法,其中,非晶金属带具有占总体积的0.01%至5%之间的表面层,构成表面结晶分数的晶粒处于表面层中。17.根据权利要求16所述的方法,其中,80体积%的表面结晶的晶粒具有大于100nm的平均晶粒尺寸。18.根据权利要求13至17中任一项所述的方法,其中,在将熔体浇铸到冷却元件的外表面上期间,将辊压装置按压到冷却元件的外表面上,使得它连续地减小冷却元件的外表面的粗糙度。19.根据权利要求13至18中任一项所述的方法,其中,提供可...
【专利技术属性】
技术研发人员:米,
申请(专利权)人:真空融化股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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