【技术实现步骤摘要】
显示装置
[0001]本专利技术的一个方式涉及一种显示装置。本专利技术的一个方式涉及一种具有摄像功能的显示装置。
[0002]注意,本专利技术的一个方式不局限于上述
作为本说明书等所公开的本专利技术的一个方式的
的例子,可以举出半导体装置、显示装置、发光装置、蓄电装置、存储装置、电子设备、照明装置、输入装置、输入输出装置、这些装置的驱动方法或这些装置的制造方法。半导体装置是指能够通过利用半导体特性而工作的所有装置。
技术介绍
[0003]近年来,为了显示高分辨率的图像,显示装置被要求高清晰化。在智能手机、平板终端、笔记本型PC(个人计算机)等信息终端设备中,显示装置除了高清晰化之外还被要求低功耗化。另外,显示装置除了显示图像的功能之外还被要求各种功能,诸如触摸面板的功能、拍摄指纹以进行识别的功能等。
[0004]作为显示装置,例如对具备发光元件的发光装置已在进行研发。利用电致发光(以下称为EL)现象的发光元件(也记载为“EL元件”)具有容易实现薄型轻量化、能够高速地响应输入信号以及能够由直流低电压电源驱动等的特征,因此被应用于显示装置。例如,专利文献1公开了应用有机EL元件的具有柔性的发光装置。
[0005][专利文献1]日本专利申请公开第2014-197522号公报
技术实现思路
[0006]本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种容易实现高清晰化的显示装置。本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种能够降低功耗的显示装置。
[0007]本专利技术的一个方 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种显示装置,包括:像素;第一布线;以及第二布线,其中,所述像素包括第一至第四晶体管、第一电容器及发光元件,所述第一晶体管的源极和漏极中的一个与所述第一布线电连接,所述第一晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个与所述第二晶体管的栅极及所述第一电容器的一个电极电连接,所述发光元件的一个电极与所述第二晶体管的源极和漏极中的一个电连接,所述第一布线被构成为被供应第一数据电位,所述第二布线被构成为在不同期间被供应第二数据电位和复位电位,所述第三晶体管被构成为在所述第三晶体管处于开启状态时将供应到所述第二布线的所述第二数据电位供应到所述第一电容器的另一个电极,并且,所述第四晶体管被构成为在所述第四晶体管处于开启状态时将供应到所述第二布线的所述复位电位供应到所述发光元件的一个电极。2.根据权利要求1所述的显示装置,还包括第三布线及第四布线,其中所述第三布线与所述第一晶体管的栅极及所述第四晶体管的栅极电连接,并且所述第四布线与所述第三晶体管的栅极电连接。3.根据权利要求1所述的显示装置,还包括第二电容器,其中所述第二电容器的一个电极与所述第二晶体管的所述栅极电连接,所述第二电容器的另一个电极与所述发光元件的所述一个电极电连接。4.根据权利要求1所述的显示装置,还包括多个像素,其中所述多个像素在行方向及列方向上被配置为矩阵状,并且所述第二布线与在所述行方向上排列的所述多个像素中的两个以上的像素各自包括的所述第三晶体管及所述第四晶体管电连接。5.根据权利要求1所述的显示装置,还包括多个像素,其中所述多个像素在行方向及列方向上被配置为矩阵状,所述第二布线与在所述行方向上排列的所述多个像素中的相邻的三个像素各自包括的所述第三晶体管及所述第四晶体管电连接,并且所述相邻的三个像素发射不同颜色的光。6.根据权利要求1所述的显示装置,还包括受光元件,其中所述受光元件的受光波长区域包括所述发光元件的发光波长,并且所述发光元件与所述受光元件设置在同一面上。7.根据权利要求6所述的显示装置,其中所述发光元件中层叠有第一电极、发光层及公共电极,所述受光元件中层叠有第二电极、活性层及所述公共电极,所述发光层和所述活性层包含不同的有机化合物,所述第一电极和所述第二电极以在同一面上彼此离开的方式设置,并且所述公共电极以覆盖所述发光层及所述活性层的方式设置。
8.根据权利要求6所述的显示装置,其中所述发光元件中层叠有第一电极、公共层、发光层及公共电极,所述受光元件中层叠有第二电极、所述公共层、活性层及所述公共层,所述发光层和所述活性层包含不同的有机化合物,所述第一电极和所述第二电极以在同一面上彼此离开的方式设置,所述公共电极以覆盖所述发光层及所述活性层的方式设置,并且所述公共层以覆盖所述第一电极及所述第二电极的方式设置。9.一种显示装置,包括:像素;第一布线;以及第二布线,其中,所述像素包括第一至第四晶体管、第一电容器及发光元件,所述第一晶体管的源极和漏极中的一个与所述第一布线电连接,所述第一晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个与所述第二晶体管的栅极及所述第一电容器的一个电极电连接,所述发光元件的一个电极与所述第二晶体管的源极和漏极中的一个电连接,所述第一布线被构成为被供应第一数据电位,所述第二布线被构成为在不同期间被供应第二数据电位和复位电位,所述第三晶体管的源极和漏极中的一个与所述第二布线电连接,所述第三晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个与所述第一电容器的另一个电极电连接,并且,所述第四晶体管的源极和漏极中的一个与所述第二布线电连接,所述第四晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个与所述发光元件的...
【专利技术属性】
技术研发人员:渡边一德,川岛进,楠纮慈,
申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所,
类型:发明
国别省市:
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