半导体器件、显示设备、摄像设备、电子设备、照明设备、移动体及光电转换设备制造技术

半导体器件、显示设备、摄像设备、电子设备、照明设备、移动体及光电转换设备。半导体器件包括基板上的电极、绝缘层和有机层，绝缘层覆盖电极的边缘并布置在基板上，有机层包括电荷输送层和功能层，电荷输送层处于电极和绝缘层上。绝缘层具有第一部分、第二部分和第三部分，第一部分相对于与电极的下表面平行的表面形成0

【技术实现步骤摘要】
半导体器件、显示设备、摄像设备、电子设备、照明设备、移动体及光电转换设备


[0001]本专利技术涉及半导体器件、显示设备、摄像设备、电子设备、照明设备、移动体及光电转换设备。

技术介绍

[0002]作为包括有机层的器件，已经提出了包括发光元件或光电转换元件的半导体器件。发光元件是包括上电极、下电极和布置在电极之间的有机层并且在激发包括在有机层中的有机化合物时发光的元件。近年来，包括有机发光元件的器件已经引起注意。
[0003]在包括有机发光元件的半导体器件中，在一些情况下，多个发光元件具有共用的有机层。在这种结构中，电流倾向于通过相邻发光元件之间的有机层泄漏。发光元件之间的漏电流可能导致来自发光元件的非预期的光发射。例如，当在显示设备中使用半导体器件时，来自发光元件的这种非预期的光发射可能减小色域(色域表示显示设备的显示性能)。此外，在单个发光元件中，当希望从连续延伸的有机层的部分区域发光时，漏电流可能导致非预期的发光。
[0004]在包括有机层的光电转换元件中，可以以覆盖多个下电极的方式连续地布置有机光电转换层。在这种情况下，漏电流可以通过有机层在多个下电极之间流动，这可能导致噪声。
[0005]日本特开2012-216495号公报公开了一种发光元件，其中绝缘层的内壁表面具有角部，从而减小漏电流，并且绝缘层具有小倾斜角度的表面，从而抑制上电极的断开。
[0006]在日本特开2012-216495号公报中，没有研究关于有机层的厚度和绝缘层的形状之间的关系，或者作为导致漏电流的主要原因的电荷输送层的厚度和绝缘层的形状之间的关系。因此，根据有机层的厚度，下电极之间的漏电流的减小可能是不充分的。如上所述，在现有技术中，发光特性由于非预期的光发射而劣化。

技术实现思路

[0007]鉴于上述问题做出了本专利技术。本专利技术提供了一种减小了从电极泄漏的电流的半导体器件。
[0008]根据一些实施方式，提供了一种半导体器件，其包括：第一电极，其布置于基板；绝缘层，其覆盖第一电极的边缘并布置于基板；有机层，其包括布置于第一电极和绝缘层的电荷输送层和布置于电荷输送层的功能层；以及第二电极，其布置于有机层，其中，在穿过基板、绝缘层和有机层的截面中，绝缘层具有：第一部分，其具有相对于与第一电极的下表面平行的平行表面形成0
°
以上且50
°
以下的角度的表面；第二部分，其比第一部分靠近基板，并且具有相对于平行表面以大于50
°
的角度倾斜的表面；以及第三部分，其比第一部分远离基板，并且具有相对于平行表面以大于50
°
的角度倾斜的表面，并且在截面中，第三部分在垂直于平行表面的方向上的长度大于电荷输送层在截面中的第一电极和电荷输送层彼此
接触的位置处的厚度。
[0009]从以下参考附图对示例性实施方式的说明，本专利技术的其它特征将变得明显。
附图说明
[0010]图1是示出根据实施方式的发光器件的一部分的结构的示意性截面图。
[0011]图2是示出图1中的发光器件的一部分的结构的示意性平面图。
[0012]图3A至图3D分别是示出根据实施方式的发光器件的一部分的结构的示意性截面图的放大图。
[0013]图4包括根据实施方式的发光器件的一部分的示意图和回路图。
[0014]图5是示出红色像素的色度与两个相邻下电极上的绝缘层的边缘之间的距离D和接触下电极的有机层的层厚度C的比率之间的关系的曲线图。
[0015]图6是示出根据实施方式的发光器件的一部分的结构的示意性截面图的放大图。
[0016]图7是示出根据实施方式的发光器件的一部分的结构的示意性截面图的放大图。
[0017]图8是示出根据实施方式的发光器件的一部分的结构的示意性截面图的放大图。
[0018]图9是示出气相沉积模拟中构件的配置的图。
[0019]图10是气相沉积模拟结果的曲线图。
[0020]图11是根据实施方式的包括半导体器件的显示设备的示例的示意性截面图。
[0021]图12是示出根据实施方式的显示设备的示例的示意图。
[0022]图13A是示出根据实施方式的摄像设备的示例的示意图。图13B是示出根据实施方式的电子设备的示例的示意图。
[0023]图14A是示出根据实施方式的显示设备的示例的示意图。图14B是示出可折叠显示设备的示例的示意图。
[0024]图15A是示出根据实施方式的照明设备的示例的示意图。图15B是示出包括根据实施方式的车辆照明器材的汽车的示例的示意图。
具体实施方式
[0025]根据实施方式的半导体器件可以是有机发光器件。当半导体器件是有机发光器件时，功能层可以包括例如发光层。或者，根据实施方式的半导体器件可以是光电转换器件。当半导体器件是光电转换器件时，功能层可以包括例如光电转换层。
[0026]以下，将参照附图说明根据本专利技术的实施方式的半导体器件的具体示例。在下面的说明和附图中，在多个附图中共同的部件由相同的附图标记表示。因此，将参照多个附图说明共同的部件，并且将适当地省略由相同附图标记表示的部件的说明。
[0027]第一实施方式
[0028]在第一实施方式中，将对半导体器件是发光器件的示例进行说明。图1是根据第一实施方式的发光器件100的一部分的示意性截面图。图2是发光器件100的一部分的俯视图。沿着图2中的线I-I截取的截面对应于图1。图示出了三个元件10构成单个像素的示例。在此实施方式中，将说明三角阵列中的像素的示例。阵列不限于此，并且可以是条形阵列或方形阵列。
[0029]发光器件100包括元件基板1和布置在元件基板1上的多个发光元件10。图1示出了
包括在发光器件100中的多个发光元件10中的三个发光元件10R、10G和10B。10R中的符号“R”表示该元件被构造成发射红光。类似地，10G和10B分别表示构造成发射绿光和蓝光的元件。在本说明书中，在指代多个发光元件10中的特定发光元件的情况下，在附图标记10的后面加上参照字符，例如发光元件10“R”；或者，在参照任何发光元件的情况下，该元件简称为发光元件“10”。这同样适用于其它部件。
[0030]该半导体器件包括布置于元件基板1的下电极2、覆盖下电极2的边缘并布置于元件基板1的绝缘层3、包括覆盖下电极2和绝缘层3的发光层的有机层4以及覆盖有机层4的上电极5。下电极2由绝缘层3隔开，以便对应于发光元件。有机层4包括布置成与下电极2和绝缘层3接触的电荷输送层41，以及布置于电荷输送层41的功能层42。
[0031]将更详细地说明半导体器件是发光器件100的示例。发光器件100是被构造为从上电极5引出光的顶部发光器件的示例。因此，功能层包括例如发光层。半导体器件可以包括保护层6和多个滤色器7，保护层6布置为覆盖上电极5，滤色器7以对应于多个发光元件10的方式布置于保护层6。
[0032]当半导体器件是光电转本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其包括：第一电极，其布置于基板；绝缘层，其覆盖所述第一电极的边缘并布置于所述基板；有机层，其包括布置于所述第一电极和所述绝缘层的电荷输送层和布置于所述电荷输送层的功能层；以及第二电极，其布置于所述有机层，其特征在于，在穿过所述基板、所述绝缘层和所述有机层的截面中，所述绝缘层具有：第一部分，其具有相对于与所述第一电极的下表面平行的平行表面形成0
°
以上且50
°
以下的角度的表面，第二部分，其比所述第一部分靠近所述基板，并且具有相对于所述平行表面以大于50
°
的角度倾斜的表面，以及第三部分，其比所述第一部分远离所述基板，并且具有相对于所述平行表面以大于50
°
的角度倾斜的表面，并且在所述截面中，所述第三部分在垂直于所述平行表面的方向上的长度大于所述电荷输送层在所述截面中的所述第一电极和所述电荷输送层彼此接触的位置处的厚度。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，在所述截面中，所述第二部分在垂直于所述平行表面的方向上的长度大于所述电荷输送层的厚度。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，在所述截面中，所述有机层在所述截面中的所述第一电极和所述有机层彼此接触的位置处的厚度大于所述第二部分在垂直于所述平行表面的方向上的长度，并且大于所述第三部分在垂直于所述平行表面的方向上的长度。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二部分的表面相对于所述平行表面倾斜90
°
以下。5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第三部分的表面相对于所述平行表面倾斜90
°
以下。6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，在所述截面中，所述第二部分在垂直于所述平行表面的方向上的长度大于所述电荷输送层的厚度的1.4倍，并且在所述截面中，所述第三部分在垂直于所述平行表面的方向上的长度大于所述电荷输送层的厚度的1.4倍。7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，在所述截面中，所述第一部分的表面在平行于所述平行表面的方向上的长度大于所述第三部分在垂直于所述平行表面的方向上的长度。8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，在所述截面中，所述第一部分的表面在平行于所述平行表面的方向上的长度大于所述第二部分在垂直于所述平行表面的方向上的长度，并且大于所述第三部分在垂直于所述平行表面的方向上的长度。9.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：第三电极，其布置于所述基板，其中，所述绝缘层覆盖所述第三电极的边缘，
所述第二电极布置于所述第三电极，所述有机层位于所述第二电极和所述第三电极之间，在所述截面中，所述绝缘层具有与所述第三电极接触的边缘部，并且在所述截面中，当所述有机层在所述截面中的所述第一电极和所述有机层彼此接触的位置处的厚度由C表示，并且从所述绝缘层的位于所述第一电极上的边缘到所述绝缘层的位于所述第三电极上的边缘的距离由D表示时，距离D与厚度C的比率D/C小于50。10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一部分、所述第二部分和所述第三部分在平面图中相对于所述第一电极的下表面与所述第一电极重叠。11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述有机层在所述截面中的所述第一电极和...

【专利技术属性】
技术研发人员：高桥哲生，佐野博晃，冈林大恭，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：