【技术实现步骤摘要】
显示装置
[0001]本公开的实施方式的各方面涉及显示装置。更具体地，本公开的实施方式的各方面涉及具有经改善的光效率的显示装置。
技术介绍
[0002]有机发光显示装置为通过使用发射光的有机发光二极管来显示图像的自发光型显示装置。有机发光二极管可包括两个相对电极以及形成在两个相对电极之间的发射层。有机发光显示装置可具有诸如低功耗、高亮度、快速响应速度和/或类似性能的各种特性，并因此，有机发光显示装置作为下一代显示装置而备受瞩目。
[0003]在有机发光显示装置中，通常可期望从发射层生成的光被引导向用户。然而，由于从有机发光显示装置的发射层生成的光通常在包括正面方向和侧面方向的多个方向上行进，因此，用户所处的正面方向处(例如，在其中或在其上)的亮度可为低的。
技术实现思路
[0004]本公开的一个或多个实施方式涉及具有经改善的光效率的显示装置。
[0005]根据本公开的一个或多个示例性实施方式，显示装置包括像素电极、像素限定层、发射层、相对电极、第一折射层和第二折射层，其中，像素限定层位于像素电极上并且具有暴露像素电极的至少一部分的像素开口，发射层在像素开口处位于像素电极上，相对电极位于发射层上，第一折射层位于相对电极上并且具有第一折射率以及与像素开口重叠的折射开口，并且第二折射层位于第一折射层上并且具有比第一折射率大的第二折射率。平面视图中像素开口与折射开口之间的最小间隙大于或等于-1μm且小于或等于2.5μm，并且当最小间隙为负时，折射开口的宽度小于像素开口的宽度，而当最小间隙为正时
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种显示装置，包括：像素电极；像素限定层，所述像素限定层位于所述像素电极上，并且具有暴露所述像素电极的至少一部分的像素开口；发射层，所述发射层在所述像素开口处位于所述像素电极上；相对电极，所述相对电极位于所述发射层上；第一折射层，所述第一折射层位于所述相对电极上，并且具有第一折射率以及与所述像素开口重叠的折射开口；以及第二折射层，所述第二折射层位于所述第一折射层上，并且具有比所述第一折射率大的第二折射率，其中，平面视图中所述像素开口与所述折射开口之间的最小间隙大于或等于-1μm且小于或等于2.5μm，并且其中，当所述最小间隙为负时，所述折射开口的宽度小于所述像素开口的宽度，并且当所述最小间隙为正时，所述折射开口的所述宽度大于所述像素开口的所述宽度。2.如权利要求1所述的显示装置，其中，通过所述折射开口的所述宽度减去所述像素开口的所述宽度而获得的值大于或等于-2μm且小于或等于5μm。3.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述折射开口具有与所述像素开口的平面形状相同的平面形状。4.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一折射层包括光致抗蚀剂。5.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一折射层包括丙烯酸树脂。6.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二折射层包括硅氧烷以及选自氧化锆、氧化铝和氧化钛中的至少一个。7.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二折射层的上表面被平坦化。8.如权利要求1所述的显示装置，进一步包括：薄膜封装层，所述薄膜封装层位于所述相对电极与所述第一折射层之间，并且包括平坦化的上表面。9.如权利要求8所述的显示装置，进一步包括：输入感测层，所述输入感测层位于所述薄膜封装层与所述第一折射层之间，其中，所述第一折射层覆盖所述输入感测层。10.如权利要求1所述的显示装置，进一步包括：偏振层，所述偏振层位于所述第二折射层上。11.一种显示装置，包括：第一像素电极、第二像素电极以及第三像素电极；像素限定层，所述像素限定层位于所述第一像素电极、所述第二像素电极以及所述第三像素电极上，并且具有分别暴露所述第一像素电极、所述第二像素电极以及所述第三像素电极的第一像素开口、第二像素开口以及第三像素开口；第一发射层、第二发射层以及第三发射层，所述第一发射层、所述第二发射层以及所述第三发射层分别在所述第一像素开口、所述第二像素开口以及所述第三像素开口处位于所述第一像素电极、所述第二像素电极以及所述第三像素电极上；
相对电极，所述相对电极位于所述第一发射层、所述第二发射层以及所述第三发射层上；第一折射层，所述第一折射层位于所述相对电极上，并且具有第一折射率以及分别与所述第一像素开口、所述第二像素开口以及所述第三像素开口重叠的第一折射开口、第二折射开口以及第三折射开口；以及第二折射层，所述第二折射层位于所述第一折射层上，并且具有比所述第一折射率大的第二折射率，其中，平面视图中所述第一像素开口与所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员：尹海荣，郑淳一，曹正铉，崔相现，崔凡洛，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：
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