具有有噪测量的对象的排名制造技术

本申请涉及具有有噪测量的对象的排名。提供了一种方法，包括：对于多个数据对象中的每个数据对象，对该数据对象的多个实例执行测量以针对该数据对象生成多个测量值，并且为该数据对象生成测量值的分布。该方法还包括基于为多个数据对象生成的测量值的分布中的每个分布来生成整合分布，并且基于多个数据对象中的第一数据对象的测量值的分布和整合分布为第一数据对象打分。一数据对象打分。一数据对象打分。

【技术实现步骤摘要】
具有有噪测量的对象的排名


[0001]本公开总地涉及计算系统的领域，更具体而言，涉及对具有有噪测量的对象排名。

技术介绍

[0002]前沿半导体制造工艺是极度复杂的。安置在数十亿美元的工厂中并且包括数百个处理步骤来产生完成的器件，这些制造工艺能够在直径延伸一英尺的晶圆上数千亿次地可靠地印刷10nm那么小的特征。开发新的半导体制造工艺要求定义一组设计规则，这些设计规则建立半导体器件为了确保可制造性而必须遵循的约束。工艺开发还涉及开发光学邻近修正(optical proximity correction，OPC)配方，这些OPC配方在物理设计特征被印刷在掩模上之前对其进行调整以帮助对抗由各种处理步骤引起的特征失真。
[0003]扫描电子显微镜(scanning electronic microscopy，SEM)或者在晶圆制造期间取得的其他图像可帮助识别可解释制造缺陷的物理设计图案和几何结构。这些图案和几何结构可用于帮助为工艺定义设计规则和OPC配方。考虑到现代工艺中的大晶圆尺寸和处理步骤的数目，单个晶圆的制造可生成大量的图像数据。随着工艺成熟，制造缺陷不那么频繁地发生，使得很难在巨大数量的图像数据中找到它们。

技术实现思路

[0004]根据本申请的一方面，提供了一种方法，包括：对于多个数据对象中的每个数据对象：对该数据对象的多个实例执行测量，以针对该数据对象生成多个测量值，并且为该数据对象生成所述测量值的分布；基于为所述多个数据对象生成的测量值的分布中的每个分布来生成整合分布；并且基于所述多个数据对象中的第一数据对象的测量值的分布和所述整合分布为所述第一数据对象打分。
[0005]根据本申请的另一方面，提供了一种装置，包括：存储器，该存储器用于存储多个图像，该多个图像包括多个数据对象的实例；以及处理器，该处理器耦合到所述存储器，并且用于：对于多个数据对象中的每个数据对象：对该数据对象的多个实例执行测量，以针对该数据对象生成多个测量值，并且为该数据对象生成所述测量值的分布；基于为所述多个数据对象生成的测量值的分布中的每个分布来生成整合分布；并且基于所述多个数据对象中的第一数据对象的测量值的分布和所述整合分布为所述第一数据对象打分。
[0006]根据本申请的又一方面，提供了一种系统，包括用于执行上述方法的装置。
附图说明
[0007]图1A图示了根据某些实施例的示例性平面晶体管的物理设计。
[0008]图1B图示了根据某些实施例的沿着线A-A'截取的图1A的平面晶体管的示例性截面。
[0009]图2A-2F图示了根据某些实施例的示例性光刻工艺。
[0010]图3A-3D图示了根据某些实施例的印刷在掩模上的特征和由于工艺失真效应在晶
圆上处理的那些特征之间的差异和使用光学邻近修正来对抗这些效应。
[0011]图4图示了根据某些实施例的硅数据捕捉和利用硅数据来辅助半导体制造工艺开发的实施例。
[0012]图5图示了根据某些实施例的用于对对象排名的流程。
[0013]图6图示了根据某些实施例的用于对对象排名的计算系统。
[0014]图7图示了根据某些实施例的计算系统。
[0015]图8图示了根据某些实施例的用于为对象打分的流程。
[0016]在各幅图中相似的标号和命名指示相似的元素。
具体实施方式
[0017]半导体制造多年以来已变得越来越复杂。自从本世纪初以来，随着工业从130纳米(nm)进步到10nm技术节点，最小特征尺寸已缩小了超过一个量级。同时，处理器复杂度已急剧增大。当前的旗舰产品具有远超过百亿的晶体管计数。为了应对这些减小的特征尺寸和增大的芯片复杂度，公司必须投资数十亿美元和数年的研究来构建最先进的制造设施。研究和开发成本被先进工艺所需要的越来越精密的设备的上升成本不断向上驱动。业界已采取步骤来减小每晶体管制造成本(例如，通过在90nm技术节点从200mm转移到300mm晶圆)，但整体趋势是每一代工艺比上一代花费更多成本。在直径跨度一英尺的晶圆上有多达数百个个体晶粒(die)的情况下，在晶圆上可印刷的晶体管的总数大约是一万亿的量级。开发能够在这种极端规模下可靠地制造晶体管的高容量制造工艺提出了相当大的挑战。
[0018]一个这种挑战是发现物理设计中作为限制工艺产率的原因的图案和几何结构。制造缺陷可通过对在晶圆制造期间由成像工具生成的图像的分析来发现，但为了定位缺陷要分析的图像数据的量可能是巨大的(多达数百万个图像)。随着工艺成熟，可生成的巨量图像数据中的制造缺陷的存在可能是稀有事件。一旦定位了缺陷，确定特定的物理设计图案或几何结构是否是一类缺陷的成因则是另一个困难的任务，尤其是考虑到要分析的数据的量。
[0019]本文描述的技术从大量硅数据中提取语义模式以辅助半导体制造工艺开发。分析大量的图像以确定晶圆上的感兴趣区域中的制造缺陷的存在。生成连续项目集，该项目集中所具有的项目包含：与感兴趣区域相对应的物理设计特征的值和指示出在该位置处是否存在制造缺陷的事件值。对离散化项目集执行基于熵的离散化以生成候选语义模式的集合。就本文使用的而言，短语“语义模式(semantic pattern)”指的是描述一个或多个物理设计特征值上的约束的一个或多个句子或短语。语义模式可描述：特征的单个值，“栅极长度＝20nm”，特征的取值范围，“栅极端盖间隔(gate endcap space)≤18nm”，以及多个特征的约束条件，“栅极长度＝20nm，栅极端盖间隔≤18nm”。
[0020]候选语义特征的集合被化简成最终语义特征的集合，这些最终语义特征被排名并呈现给用户，例如工艺工程师。语义特征可基于其准确性、覆盖范围、可解释性和独立性被排名。一般而言，排名前列的语义模式一般是很好地说明制造缺陷(模式是准确的并且提供良好的缺陷覆盖，这将在下文更详细论述)并且用户理解起来简单的那些语义模式。用户可使用提取的语义模式来通过更新为工艺设置的设计规则、改善光学邻近修正(OPC)配方或者以其他方式改善工艺。
[0021]现在参考附图，其中相似或相同的标号可用于指定不同图中的相同或相似的部分。在不同图中使用相似或相同的标号并不意味着包括相似或相同标号的所有附图构成单个或同一个实施例。
[0022]现在转到图1-图3，呈现了半导体器件制造的各种方面的概览。图1A图示了示例性平面晶体管的物理设计。如下文将更详细论述的，晶体管的物理设计被用于生成掩模，这些掩模将在制造期间被用于将特征印刷在实现特定设计所需要的晶圆上。物理设计通常是在诸如栅极层、接触层和金属-1层之类的各种层描绘的多边形的集合。
[0023]晶体管100是场效应晶体管(field-effect-transistor，FET)，这是包括在现代半导体器件中使用的大多数晶体管的晶体管类型。晶体管100包括栅极110、漏极120和源极130区域。FET中的栅极区域可被认为是“通-断”开关，其控制漏极和源极区域之间的电流的流动。当栅极110本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种方法，包括：对于多个数据对象中的每个数据对象：对该数据对象的多个实例执行测量，以针对该数据对象生成多个测量值；并且为该数据对象生成所述测量值的分布；基于为所述多个数据对象生成的测量值的分布中的每个分布来生成整合分布；并且基于所述多个数据对象中的第一数据对象的测量值的分布和所述整合分布，为所述第一数据对象打分。2.如权利要求1所述的方法，其中生成所述整合分布包括：对于各自与不同的测量值范围相关联的多个箱格中的每个箱格，整合具有在该箱格的测量值范围内的测量值的数据对象的实例的计数，并且将实例的整合计数与所述整合分布的相应箱格关联起来。3.如权利要求2所述的方法，还包括：基于为所述数据对象生成的测量值来确定所述多个箱格的宽度。4.如权利要求1所述的方法，其中为所述多个数据对象中的数据对象打分包括：对于该数据对象的测量值的分布的多个箱格中的每个箱格，将以下二者的概率相乘：该数据对象的随机实例具有在该箱格的测量值范围内的测量值，和所述多个数据对象中的任何数据对象的随机实例如所述整合分布所指示地具有小于该箱格的测量值范围的值；并且对乘法的结果求和。5.如权利要求1所述的方法，还包括：基于所述多个数据对象的测量值的相应分布和所述整合分布，为所述多个数据对象的每一者打分；并且基于所述数据对象的得分来对所述数据对象排名。6.如权利要求5所述的方法，还包括：基于所述多个数据对象的得分来识别行为类似的数据对象。7.如权利要求1所述的方法，其中所述多个数据对象是半导体芯片的图案。8.如权利要求7所述的方法，其中所述多个数据对象的每一者包括各自的锚定点和该锚定点周围的窗口。9.如权利要求7所述的方法，其中所述测量是在所述数据对象的制造实例的多个图像上执行的。10.如权利要求7所述的方法，其中所述多个测量值是所述数据对象的多边形的关键维度。11.一种系统，包括用于执行如权利要求1-10中的任一项所述的方法的装置。12.如权利要求11所述的系统，其中所述装置包括机器可读代码，该机器可读代码在被执行时使得机器执行如权利要求1-10中的任一项所述的方法的一个或多个步骤。13.一种装置，包括：存储器，该存储器用于存储多...

【专利技术属性】
技术研发人员：比克拉姆，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：