金属箔积层板、印刷电路板及金属箔积层板的制法制造技术

本发明专利技术提供一种金属箔积层板、应用该金属箔积层板的印刷电路板及金属箔积层板的制造方法，其中该金属箔积层板包括：一第一介电层，包括第一介电材料且不包括补强布，其中第一介电材料包括20重量%至60重量%的第一氟高分子及40重量%至80重量%的第一填料；一第二介电层，设置于第一介电层的至少一侧，且包括补强布及形成于该补强布表面的第二介电材料，其中该补强布的厚度不大于65微米，且第二介电材料包括55重量%至100重量%的第二氟高分子及0至45重量%的第二填料；以及一金属箔，设置于第二介电层的与第一介电层相对的另一侧。介电层的与第一介电层相对的另一侧。介电层的与第一介电层相对的另一侧。

【技术实现步骤摘要】
金属箔积层板、印刷电路板及金属箔积层板的制法


[0001]本专利技术是关于一种金属箔积层板，特别是关于一种氟高分子(fluoropolymer)金属箔积层板以及该氟高分子金属箔积层板的制造方法。本专利技术的氟高分子金属箔积层板特别适合作为高频
的电路基板，包括射频(RF)应用、微波(microwave)、毫米波(mm wave)、天线(antenna)、雷达(radar)等
，尤其能满足第五代行动通讯(5G)、进阶驾驶人辅助系统(ADAS)、人工智能(AI)等先进应用对高阶材料的要求。

技术介绍

[0002]随着电子产品的应用逐渐朝高频化、高速化、电子元件小型化及基板线路高密度化等趋势发展，对电子材料的物化性质要求也随之提升，传统的环氧树脂介电材料的特性已不敷使用，取而代之的是以氟高分子(fluoropolymer)，例如聚四氟乙烯(polytetrafluoroethylene，PTFE)，作为金属箔积层板的介电材料。一般而言，以氟高分子作为金属箔积层板中的介电(dielectric)材料时，所制金属箔积层板除具备极佳的电性之外(介电常数(Dk)、介电耗损因子(Df)皆低)，其耐化学酸碱性、耐湿性、难燃性也好。
[0003]US 3,556,161最早提出一种无玻布型氟高分子积层板，其中是使用PTFE粉末来制造介电层。随后，US 4,335,180提出另一种积层板，其中是将氟高分子、陶瓷填料、短玻璃纤维(microfiber)、絮凝剂(flocculant)所组成的面团状(dough-like)材料加以挤压(extrusion)成型而得到介电层，再进一步贴合铜箔而制成铜箔积层板。US 4,849,284进一步提出使用偶合剂对陶瓷填料进行表面处理，再将该陶瓷填料添加至氟高分子树脂中，由此所制得的铜箔积层板具有低Dk、低Df等特性。如图1所示，上述积层板的制法是于介电层11上直接压合金属箔12，以形成金属箔积层板1。然而，所制积层板由于不含玻璃纤维布作为补强材料，导致积层板的刚性不足，在后续印刷电路板(printed circuit board，PCB)的钻孔工艺中，积层板容易因钻针下压力而受压变形，从而影响钻孔位置的正确性。
[0004]因此，目前仍需要一种可提供具有良好刚性的氟高分子积层板的技术方案。

技术实现思路

[0005]有鉴于上述技术问题，本专利技术提供一种金属箔积层板，其是通过在氟高分子积层板中组合使用不含补强布的介电层与含补强布的介电层，从而在不影响积层板外观平整度的情况下，改良积层板整体的刚性，解决先前技术中无补强布的氟高分子积层板普遍存在的因刚性不足而导致积层板在后续印刷电路板钻孔工艺中容易变形而影响钻孔位置正确性的问题。
[0006]因此，本专利技术的一目的在于提供一种金属箔积层板，包括：
[0007]一第一介电层，包括第一介电材料且不包括补强布，其中第一介电材料包括20重量％至60重量％的第一氟高分子及40重量％至80重量％的第一填料；
[0008]一第二介电层，设置于第一介电层的至少一侧，且包括补强布及形成于该补强布表面的第二介电材料，其中该补强布的厚度不大于65微米，且第二介电材料包括55重量％
至100重量％的第二氟高分子及0至45重量％的第二填料；以及
[0009]一金属箔，设置于第二介电层的与第一介电层相对的另一侧。
[0010]于本专利技术的部分实施方式中，该第一氟高分子及该第二氟高分子各自独立选自以下群组：聚四氟乙烯、四氟乙烯-六氟丙烯共聚物(tetrafluoroethylene-hexafluoropropylene copolymer，FEP)、四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚共聚物(tetrafluoroethylene-perfluorinated alkyl vinyl ether copolymer)及前述的组合。
[0011]于本专利技术的部分实施方式中，该第二氟高分子的熔点低于该第一氟高分子的熔点。
[0012]于本专利技术的部分实施方式中，该补强布是玻璃纤维布。
[0013]于本专利技术的部分实施方式中，该补强布选自以下群组：E-玻璃纤维布(E-glass fabric)、NE-玻璃纤维布(NE-glass fabric)、S-玻璃纤维布(S-glass fabric)、L-玻璃纤维布(L-glass fabric)、D-玻璃纤维布(D-glass fabric)、石英玻璃纤维布(quartz glass fabric)、芳香族聚酰胺纤维布(如克维拉纤维布(Kevlar fabric))、聚四氟乙烯纤维布(polytetrafluoroethylene fabric)、聚酯纤维布及液晶高分子纤维布(liquid crystal polymer(LCP)fabric)。
[0014]于本专利技术的部分实施方式中，该补强布的厚度不大于40微米。
[0015]于本专利技术的部分实施方式中，第一填料及第二填料各自独立选自以下群组：二氧化硅(包括球型二氧化硅、熔融态二氧化硅、非熔融态二氧化硅、多孔质二氧化硅、中空型二氧化硅、及奈米二氧化硅)、氧化铝、氧化镁、氢氧化镁、碳酸钙、滑石、黏土、氮化铝、氮化硼、氢氧化铝、碳化铝硅、碳化硅、碳酸钠、二氧化钛、氧化锌、氧化锆、石英、钻石、类钻石碳、石墨、煅烧高岭土、白岭土、云母、水滑石、聚四氟乙烯粉末、玻璃珠、陶瓷晶须、奈米碳管、奈米级无机粉体、钛酸锶及前述的组合。
[0016]于本专利技术的部分实施方式中，该金属箔积层板以动态机械分析仪在频率1Hz及温度70℃的条件下测得的储存模数(storage modulus)大于4000MPa。
[0017]本专利技术的另一目的在于提供一种印刷电路板，其是由如上所述的金属箔积层板所制得。
[0018]本专利技术的又一目的在于提供一种金属箔积层板的制造方法，包括：
[0019]提供一第一介电层，其包括第一介电材料且不包括补强布，其中第一介电材料包括20重量％至60重量％的第一氟高分子及40重量％至80重量％的第一填料；
[0020]提供一第二介电层并设置于第一介电层的至少一侧，其中第二介电层包括补强布及形成于该补强布表面的第二介电材料，该补强布的厚度不大于65微米，且第二介电材料包括55重量％至100重量％的第二氟高分子及0重量％至45重量％的第二填料；
[0021]提供一金属箔并设置于第二介电层的与第一介电层相对的另一侧，以提供一层叠物(superimposed object)；以及
[0022]对该层叠物进行一热压步骤，以提供一金属箔积层板。
[0023]为使本专利技术的上述目的、技术特征及优点能更明显易懂，下文以部分具体实施方式进行详细说明。
附图说明
[0024]下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明。
[0025]图1为现有技术的金属箔积层板的示意图；
[0026]图2为本专利技术金属箔积层板的一实施方式的示意图。
[0027]附图标记本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种金属箔积层板，其特征在于，包括：一第一介电层，包括第一介电材料且不包括补强布，其中第一介电材料包括20重量%至60重量%的第一氟高分子及40重量%至80重量%的第一填料；一第二介电层，设置于第一介电层的至少一侧，且包括补强布及形成于该补强布表面的第二介电材料，其中该补强布的厚度不大于65微米，且第二介电材料包括55重量%至100重量%的第二氟高分子及0至45重量%的第二填料；以及一金属箔，设置于第二介电层的与第一介电层相对的另一侧。2.如权利要求1所述的金属箔积层板，其特征在于，该第一氟高分子及该第二氟高分子各自独立选自以下群组：聚四氟乙烯、四氟乙烯-六氟丙烯共聚物、四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚共聚物及前述的组合。3.如权利要求1所述的金属箔积层板，其特征在于，该第二氟高分子的熔点低于该第一氟高分子的熔点。4.如权利要求1中所述的金属箔积层板，其特征在于，该补强布是玻璃纤维布。5.如权利要求1所述的金属箔积层板，其特征在于，该补强布选自以下群组：E-玻璃纤维布、NE-玻璃纤维布、S-玻璃纤维布、L-玻璃纤维布、D-玻璃纤维布、石英玻璃纤维布、芳香族聚酰胺纤维布、聚四氟乙烯纤维布、聚酯纤维布及液晶高分子纤维布。6.如权利要求1至5中任一项所述的金属箔积层板，其特征在于，该补强布的厚度不大于40微米。7.如权利要求1至5中...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄仕颖，刘淑芬，林楷翔，
申请(专利权)人：台燿科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：