缺陷检测方法及缺陷检测系统技术方案

一种缺陷检测方法及缺陷检测系统，包括：提供晶圆，所述晶圆包括检测面；对所述检测面进行扫描，获取所述检测面的扫描图像，所述扫描图像包括若干第一单元图形；提供设计图像，所述设计图像包括与所述第一单元图形对应的若干第二单元图形；根据所述设计图像对所述扫描图像进行筛选，去除所述第一单元图形中的干扰缺陷单元图形。在本发明专利技术的技术方案中，通过将第一单元图形中的干扰缺陷单元图形进行部分筛选去除，有效减少了后续检测分析的第一单元图形的数量，缩短了检测时间，从而提高了检测效率。测效率。测效率。

【技术实现步骤摘要】
缺陷检测方法及缺陷检测系统


[0001]本专利技术涉及半导体测试领域，尤其涉及一种缺陷检测方法及缺陷检测系统。

技术介绍

[0002]近年来半导体制造技术有了很大的进步，现在最小的特征尺寸可以降到10纳米以下，图案密度也比以往任何时候都要高。半导体芯片代工厂在开发下一代技术时，尤其是在早期阶段，出现了更多的缺陷模式(热点)。因此，迫切需要一种快速、准确地发现和分析这些薄弱环节的方法，以加快技术的发展，提高成品率。
[0003]然而，现有的缺陷检测方法中检测效率有待提高。

技术实现思路

[0004]本专利技术解决的问题是提供一种缺陷检测方法及缺陷检测系统，能够筛选去除部分干扰缺陷单元图形，有效减少了后续检测分析的第一单元图形数量，缩短了检测时间，从而提高了检测效率。
[0005]为解决上述问题，本专利技术提供一种缺陷检测方法，包括：提供晶圆，所述晶圆包括检测面；对所述检测面进行扫描，获取所述检测面的扫描图像，所述扫描图像包括若干第一单元图形；提供设计图像，所述设计图像包括与所述第一单元图形对应的若干第二单元图形；根据所述设计图像对所述扫描图像进行筛选，去除所述第一单元图形中的干扰缺陷单元图形。
[0006]可选的，根据所述设计图像对所述扫描图像进行筛选的方法包括：根据对所述设计图像和所述扫描图像测量获取筛选值；提供与所述筛选值相对应的筛选条件；根据所述筛选值与所述筛选条件进行对比，判断各个所述第一单元图形是否为干扰缺陷单元图形；当所述第一单元图形为干扰缺陷单元图形时，将所述干扰缺陷单元图形自所述扫描图像中删除。
[0007]可选的，所述筛选值包括：所述第一单元图形与其对应的所述第二单元图形的重叠率值、所述第二单元图形的特征尺寸值以及所述第二单元图形的图形间距值。
[0008]可选的，所述筛选条件包括：重叠率阈值、特征尺寸阈值和图形间距阈值。
[0009]可选的，根据所述筛选值与所述筛选条件对比，判断各个第一单元图形是否为干扰缺陷单元图形的方法包括：当所述重叠率值小于或等于所述重叠率阈值、所述特征尺寸值大于或等于所述特征尺寸阈值且所述图形间距值大于或等于所述图形间距阈值，则判断所述第一单元图形为干扰缺陷单元图形。
[0010]可选的，所述重叠率值为所述第一单元图形和对应的所述第二单元图形的重叠面积与所述第二单元图形的面积的比值。
[0011]可选的，获取所述第一单元图形和对应的所述第二单元图形的重叠面积的方法包括：将所述设计图像与所述扫描图像重叠对齐，所述第一单元图形与所述第二单元图形对应；通过布尔运算获取所述第一单元图形与对应的所述第二单元图形的重叠面积。
[0012]可选的，所述图形间距值为所述设计图像中单个所述第二单元图形与其相邻的另一第二单元图形之间的最小间距值。
[0013]可选的，所述重叠率阈值的范围为60％～90％。
[0014]可选的，获取所述特征尺寸阈值的方法包括：提供第一放大倍数和所述设计图像的设计规则中所规定的最小特征尺寸值；所述特征尺寸阈值为所述最小特征尺寸值与所述第一放大倍数的乘积。
[0015]可选的，所述第一放大倍数的范围为2～5倍。
[0016]可选的，获取所述图形间距阈值的方法包括：提供第二放大倍数和所述设计图像的设计规则中所规定的最小间距尺寸值；所述间距尺寸阈值为所述最小间距尺寸值与所述第二放大倍数的乘积。
[0017]可选的，所述第二放大倍数的范围为2～5倍。
[0018]相应的，本专利技术还提供了一种缺陷检测系统，包括：扫描单元，用于获取晶圆检测面的扫描图像，所述扫描图像中包括若干第一单元图形；设计图像单元，用于提供设计图像，所述设计图像包括与所述第一单元图形对应的若干第二单元图形；筛选单元，根据所述设计图像对所述扫描图像进行筛选，去除所述第一单元图形中的干扰缺陷单元图形。
[0019]可选的，所述筛选单元包括：测量模块，根据对所述设计图像和所述扫描图像进行测量获取筛选值；筛选条件模块：用于提供与所述筛选值相对应的筛选条件；判断模块，根据所述筛选值与所述筛选条件进行对比，判断各个所述第一单元图形是否为干扰缺陷单元图形；操作模块，当所述第一单元图形为干扰缺陷单元图形时，将所述干扰缺陷单元图形自所述扫描图像中删除。
[0020]可选的，所述筛选条件包括：重叠率阈值、特征尺寸阈值以及图形间距阈值。
[0021]可选的，所述筛选值包括：所述第一单元图形与其对应的所述第二单元图形的重叠率值、所述第二单元图形的特征尺寸值以及所述第二单元图形的图形间距值。
[0022]与现有技术相比，本专利技术的技术方案具有以下优点：
[0023]本专利技术技术方案提供的缺陷检测方法中，通过设计图像对所述扫描图像进行筛选，将所述扫描图像的第一单元图形中部分干扰缺陷单元图形进行筛选去除，有效减少了后续检测分析的第一单元图形的数量，缩短了检测时间，从而提高了检测效率。
附图说明
[0024]图1是一种缺陷检测方法各步骤的流程图；
[0025]图2是本专利技术实施例的缺陷检测方法各步骤的流程图；
[0026]图3至图8是本专利技术实施例的缺陷检测方法各步骤的结构示意图；
[0027]图9是本专利技术实施例的缺陷检测系统的结构示意图。
具体实施方式
[0028]正如
技术介绍
所述，现有技术的缺陷检测方法中检测效率有待提高。
[0029]图1是一种缺陷检测方法实施例的流程图，包括：
[0030]步骤S11，提供晶圆，所述晶圆包括检测面；
[0031]步骤S12，对所述检测面进行扫描，获取所述检测面的扫描图像，所述扫描图像包
括若干缺陷单元图形；
[0032]步骤S13，对所述扫描图像中的若干所述缺陷单元图形进行逐一检测分析，判断所述缺陷单元图形是否为干扰缺陷单元图形。
[0033]在上述的检测方法中，利用计算机能够自动找到晶圆扫描图像上的若干缺陷单元图形，然而在这些缺陷单元图形中只有小部分的缺陷单元图形是由于设计原因形成的设计缺陷单元图形，其余的缺陷单元图形大多是由于制作工艺上的偏差所形成的干扰缺陷单元图形，这部分干扰缺陷单元图形可通过调整制作工艺上的参数进行更改消除，改良过程较为简便且周期短。而另一部分设计缺陷单元图形则需要重新进行修改设计，改良过程较为复杂，因此这部分设计缺陷单元图形需要单独的检测分离出来。但是在现有的检测分析方法中，仍然需要逐个的检查分析所有的缺陷单元图形，以确定哪一个是真正由于设计原因而形成的，该过程需要检测分析的缺陷单元图形数量较大，十分耗时，导致检测效率较低。
[0034]为了解决上述问题，本专利技术提供了一种缺陷检测方法及缺陷检测系统，通过将第一单元图形中的干扰缺陷单元图形进行部分筛选去除，有效减少了后续检测分析的第一单元图形数量，缩短了检测时间，从而提高了检测效率。
[0035]为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本专利技术的具体实施例做详细地说明本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种缺陷检测方法，其特征在于，包括：提供晶圆，所述晶圆包括检测面；对所述检测面进行扫描，获取所述检测面的扫描图像，所述扫描图像包括若干第一单元图形；提供设计图像，所述设计图像包括与所述第一单元图形对应的若干第二单元图形；根据所述设计图像对所述扫描图像进行筛选，去除所述第一单元图形中的干扰缺陷单元图形。2.如权利要求1所述的缺陷检测方法，其特征在于，根据所述设计图像对所述扫描图像进行筛选的方法包括：根据对所述设计图像和所述扫描图像测量获取筛选值；提供与所述筛选值相对应的筛选条件；根据所述筛选值与所述筛选条件进行对比，判断各个所述第一单元图形是否为干扰缺陷单元图形；当所述第一单元图形为干扰缺陷单元图形时，将所述干扰缺陷单元图形自所述扫描图像中删除。3.如权利要求2所述的缺陷检测方法，其特征在于，所述筛选值包括：所述第一单元图形与其对应的所述第二单元图形的重叠率值、所述第二单元图形的特征尺寸值以及所述第二单元图形的图形间距值。4.如权利要求3所述的缺陷检测方法，其特征在于，所述筛选条件包括：重叠率阈值、特征尺寸阈值和图形间距阈值。5.如权利要求4所述的缺陷检测方法，其特征在于，根据所述筛选值与所述筛选条件对比，判断各个所述第一单元图形是否为干扰缺陷单元图形的方法包括：当所述重叠率值小于或等于所述重叠率阈值、所述特征尺寸值大于或等于所述特征尺寸阈值且所述图形间距值大于或等于所述图形间距阈值，则判断所述第一单元图形为干扰缺陷单元图形。6.如权利要求3所述的缺陷检测方法，其特征在于，所述重叠率值为所述第一单元图形和对应的所述第二单元图形的重叠面积与所述第二单元图形的面积的比值。7.如权利要求6所述的缺陷检测方法，其特征在于，获取所述第一单元图形和对应的所述第二单元图形的重叠面积的方法包括：将所述设计图像与所述扫描图像重叠对齐，所述第一单元图形与所述第二单元图形对应；通过布尔运算获取所述第一单元图形与对应的所述第二单元图形的重叠面积。8.如权利要求3所述的缺陷检测方法，其特征在于，所述图形间距值为所述设计图像中单个...

【专利技术属性】
技术研发人员：孟阳，王伟斌，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：