一种芯片老化监控方法、装置及系统制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供一种芯片老化监控方法、装置及系统，通过获取目标芯片在老化过程中的温度变化曲线，并根据温度升温阶段所对应的曲线段，得到目标芯片在温度升温阶段的温度变化斜率值，根据温度稳态阶段所对应的曲线段，得到目标芯片在温度稳态阶段的温度值，最后温度变化斜率值和温度值，对目标芯片的老化状态进行监控，实现了对目标芯片在老化过程中温度升温阶段和温度稳态阶段的老化状态的监控，从而实现了对存在贴装或装配异常的芯片的及时筛选，避免了目标芯片在老化过程中出现温度异常时，容易出现芯片烧毁的问题。容易出现芯片烧毁的问题。容易出现芯片烧毁的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种芯片老化监控方法、装置及系统


[0001]本专利技术涉及芯片老化
，尤其涉及一种芯片老化监控方法、装置及系统。

技术介绍

[0002]随着第五代移动通信技术(5th generation mobile networks，5G)的到来，网络速度越来越快，5G基站设备功耗也越来越大，已经从两三百瓦上升到千瓦以上，许多芯片(包括处理器以及各种电源芯片)的功耗也大大增加，此时如果出现虚焊或导热衬垫装配问题，芯片就会出现烧毁风险。
[0003]但是目前在对基站的监控过程中，只对射频设备进行老化测试，而对芯片则无老化监控过程。此外，射频设备的监控参数包含输出功率和驻波比等，老化过程为，将射频设备放进恒温箱以控制温度，老化开始时对输出功率和驻波比进行检测，若发现异常则停止测试。若以射频设备的老化过程对基站内芯片进行老化，由于5G基站设备将天线和射频放大一体化，导致产品形状与之前大很多，此时如果再使用恒温箱进行老化，则成本较大，效率较低。

技术实现思路

[0004]本专利技术实施例提供一种芯片老化监控方法、装置及系统，以解决现有技术中未对基站内芯片进行老化导致的芯片易烧毁的问题。
[0005]本专利技术实施例提供一种芯片老化监控方法，包括：
[0006]获取目标芯片在老化过程中的温度变化曲线，所述温度变化曲线包括温度升温阶段所对应的曲线段和温度稳态阶段所对应的曲线段；
[0007]根据所述温度升温阶段所对应的曲线段，得到所述目标芯片在温度升温阶段的温度变化斜率值，并根据所述温度稳态阶段所对应的曲线段，得到所述目标芯片在温度稳态阶段的温度值；
[0008]根据所述温度变化斜率值和所述温度值，对所述目标芯片的老化状态进行监控。
[0009]本专利技术实施例提供一种芯片老化监控装置，包括：
[0010]第一获取模块，用于获取目标芯片在老化过程中的温度变化曲线，所述温度变化曲线包括温度升温阶段所对应的曲线段和温度稳态阶段所对应的曲线段；
[0011]第二获取模块，用于根据所述温度升温阶段所对应的曲线段，得到所述目标芯片在温度升温阶段的温度变化斜率值，并根据所述温度稳态阶段所对应的曲线段，得到所述目标芯片在温度稳态阶段的温度值；
[0012]监控模块，用于根据所述温度变化斜率值和所述温度值，对所述目标芯片的老化状态进行监控。
[0013]本专利技术实施例提供一种电子设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的程序，所述处理器执行所述程序时实现所述的芯片老化监控方法的步骤。
[0014]本专利技术实施例提供一种芯片老化监控系统，包括：
[0015]放置于密闭空间内的至少一个基站设备，所述基站设备中包括有多个芯片，且所述基站设备的外表面上套设有能够改变基站设备散热温度的工装设备；
[0016]电子设备，所述电子设备与所述至少一个基站设备进行通信，以通过上述任一项所述的芯片老化监控方法对所述芯片进行老化监控。
[0017]本专利技术实施例提供一种非暂态计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现所述的芯片老化监控方法的步骤。
[0018]本专利技术实施例提供的芯片老化监控方法、装置及系统，通过获取目标芯片在老化过程中的温度变化曲线，并根据温度升温阶段所对应的曲线段，得到目标芯片在温度升温阶段的温度变化斜率值，根据温度稳态阶段所对应的曲线段，得到目标芯片在温度稳态阶段的温度值，最后温度变化斜率值和温度值，对目标芯片的老化状态进行监控，实现了对目标芯片在老化过程中温度升温阶段和温度稳态阶段的老化状态的监控，从而实现了对存在贴装或装配异常的芯片的及时筛选，避免了目标芯片在老化过程中出现温度异常时，容易出现芯片烧毁的问题。
附图说明
[0019]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0020]图1为本专利技术实施例中芯片老化监控方法的步骤流程图；
[0021]图2为本专利技术实施例中整个温度升温阶段的监控过程示意图；
[0022]图3为本专利技术实施例中整个温度稳态阶段的监控过程示意图；
[0023]图4为本专利技术实施例中温度变化样本曲线的示意图；
[0024]图5为本专利技术实施例中芯片老化监控系统的示意图；
[0025]图6为本专利技术实施例中芯片老化装置的模块框图；
[0026]图7为本专利技术实施例中电子设备的结构示意图。
具体实施方式
[0027]为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0028]具体的，5G基站设备内芯片可能会出现虚焊或者导热衬垫装配问题，而如果5G基站设备内芯片出现此类问题时继续对芯片进行老化，则会导致芯片存在烧毁风险，因此在芯片的老化过程中，需要对芯片进行老化监控，及时筛选贴装和装配有问题的芯片，一旦发现异常便停止老化，以降低烧坏芯片的风险。
[0029]具体的，如图1所示，为本专利技术实施例中芯片老化监控方法的步骤流程图，该监控方法包括如下步骤：
[0030]步骤101：获取目标芯片在老化过程中的温度变化曲线。
[0031]在本步骤中，具体的，在对芯片进行老化监控时，可以先获取目标芯片在老化过程中的温度变化曲线。
[0032]其中，温度变化曲线包括温度升温阶段所对应的曲线段和温度稳态阶段所对应的曲线段。
[0033]具体的，在获取温度变化曲线时，可以获取目标芯片在每个老化时间点的温度瞬时值，然后根据目标芯片在每个老化时间点的温度瞬时值，绘制得到温度变化曲线。
[0034]此外，具体的，芯片的整个老化过程可以分为三个阶段：升温阶段、过渡阶段和稳态阶段，因此目标芯片在老化过程中的温度变化曲线也应该同时包括温度升温阶段所对应的曲线段、温度过渡阶段所对应的曲线段和温度稳态阶段所对应的曲线段。
[0035]当然，在此需要说明的是，基于本实施例只采用温度升温阶段所对应的曲线段和温度稳态阶段所对应的曲线段对芯片老化过程进行监控，因此未对温度过渡阶段所对应的曲线段进行说明。
[0036]通过获取温度变化曲线，使得芯片老化监控系统能够根据温度变化曲线，分析得到目标芯片在各个阶段的温度情况，进而使得能够实现对目标芯片的老化监控过程。
[0037]步骤102：根据温度升温阶段所对应的曲线段，得到目标芯片在温度升温阶段的温度变化斜率值，并根据温度稳态阶段所对应的曲线段，得到目标芯片在温度稳态阶段的温度值。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片老化监控方法，其特征在于，包括：获取目标芯片在老化过程中的温度变化曲线，所述温度变化曲线包括温度升温阶段所对应的曲线段和温度稳态阶段所对应的曲线段；根据所述温度升温阶段所对应的曲线段，得到所述目标芯片在温度升温阶段的温度变化斜率值，并根据所述温度稳态阶段所对应的曲线段，得到所述目标芯片在温度稳态阶段的温度值；根据所述温度变化斜率值和所述温度值，对所述目标芯片的老化状态进行监控。2.根据权利要求1所述的芯片老化监控方法，其特征在于，所述根据所述温度变化斜率值和所述温度值，对所述目标芯片的老化状态进行监控，包括：根据预先得到的温度变化斜率范围和所述温度变化斜率值，检测所述目标芯片是否处于正常老化状态；当检测得到所述目标芯片处于正常老化状态，且所述目标芯片进入所述温度稳态阶段时，根据预先得到的温度稳态范围和所述温度值，对所述目标芯片的老化环境温度进行监控。3.根据权利要求2所述的芯片老化监控方法，其特征在于，所述根据预先得到的温度变化斜率范围和所述温度变化斜率值，检测所述目标芯片是否处于正常老化状态，包括：当检测得到所述温度变化斜率值在所述温度变化斜率范围内时，确定所述目标芯片处于正常老化状态；当检测得到所述温度变化斜率值大于所述温度变化斜率范围的最大值时，检测其他芯片的温度变化斜率值是否在所述温度变化斜率范围内，所述其他芯片为与所述目标芯片在同一老化环境中同时进行老化的芯片；当检测得到所述其他芯片中第一预设数量芯片的温度变化斜率值在所述温度变化斜率范围内时，确定所述目标芯片存在异常。4.根据权利要求3所述的芯片老化监控方法，其特征在于，还包括：当检测得到所述其他芯片中第二预设数量芯片的温度变化斜率值大于所述温度变化斜率范围的最大值时，确定所述老化环境中的温度大于预设温度阈值。5.根据权利要求2所述的芯片老化监控方法，其特征在于，所述根据预先得到的温度稳态范围和所述温度值，对所述目标芯片的老化环境温度进行监控，包括：当检测得到所述温度值不处于所述温度稳态范围内时，对所述目标芯片的老化环境温度进行调整；当检测得到所述温度值处于所述温度稳态范围内时，保持所述目标芯片的老化环境温度。6.根据权利要求2所述的芯片老化监控方法，其特征在于，所述根据预先得到的温度稳态范围和所述温度值，对所述目标芯片的老化环境温度进行监控时，还包括：当检测得到未到达所述目标芯片的老化时间时，按照预设周期重新获取所述目标芯片的温度更新值；若检测到已对所述目标芯片的老化环境温度进行调整，且当检测到所述温度更新值与所述温度稳态范围之间的第一差值大于或等于所述温度值与所述温度稳态范围之间的第二差值，则继续对所述目标芯片的老化环境温度进行调整；
当检测到所述第一差值小于所述第二差值，则保持所述老化环境温度不变。7.根据权利要求2所述的芯片老化监控方法，其特征在于，所述根据所述温度变化斜率值和所述温度值，对所述目标芯片的老化状态进行监控之前，还包括：获取多个芯片样本中每个芯片样本的温度变化样本曲线，其中所述芯片样本为不存在异常的芯片；根据所述每个芯片样本的温度变化样本曲线，得到每个芯片样本在温度升温阶段的温度变化斜率值和在温度稳态阶段的温度值；根据所述每个芯片样本在温度升温阶段的温度变化斜率值，得到所述多个芯片样本的温度变化斜率平均值和温度变化斜率标准差，并根据每个芯片样本在温度稳态阶段的温度值，得到所述多个芯片样本在温度稳态阶段的温度平均值和温度标准差；根据所述多个芯片样本的温度变化斜率平均值和温度变化斜率标准差，得到所述温度变化斜率范围，并根据所述多个芯片样本在温度稳态阶段的温度平均值和温度标准差，得到所述温度稳态范围。8.一种芯片老化监控装置，其特征在于，包括：第一获取模块，用于获取目标芯片在老化过程中的温度变化曲线，所述温度变化曲线包括温度升温阶段所对应的曲线段和温度稳态阶段所对应的曲线段；第二获取模块，用于根据所述温度升温阶段所对应的曲线段，得到所述目标芯片在温度升温阶段的温度变化斜率值，并根据所述温度稳态阶段所对应的...

【专利技术属性】
技术研发人员：李才会，刘励，
申请(专利权)人：上海原动力通信科技有限公司，
类型：发明
国别省市：