本发明专利技术公开了一种高可靠的非易失存储器的存储单元阵列及非易失存储器，使每一条位线只与位于该位线上的一个存储单元相连接，这样可能会浪费NOR Flash内的大部分存储空间，但是对于一些要求芯片存储量小，并且可以接受成本的情况来说，这样的NOR Flash的可靠性是最好的，每条位线上就连接一个存储单元，那读取这个存储单元的数据时，因为该位线上再没有其他存储单元会对这个与位线连接的存储单元造成过擦除的影响，所以数据读取的可靠性得到保证，由此可以有效地规避了因为过擦除带来的数据读错的风险，提高了存储单元阵列的可靠性。提高了存储单元阵列的可靠性。提高了存储单元阵列的可靠性。
【技术实现步骤摘要】
高可靠的非易失存储器的存储单元阵列及非易失存储器
[0001]本专利技术涉及NOR Flash
，尤其涉及的是一种高可靠的非易失存储器的存储单元阵列及非易失存储器。
技术介绍
[0002]如图1所示，常见NOR Flash存储单元阵列中，一条位线上同时连接有多个存储单元，而同一条位线上有可能因为存在过擦除单元导致相邻地址的存储单元（指与过擦除单元位于同一条位线上的存储单元）内的数据读错，降低了NOR Flash的存储单元可靠性，尤其是对非常重要的非易失状态寄存器而言，常见的NOR Flash存储单元阵列不能满足其高可靠性的要求。
[0003]因此，现有的技术还有待于改进和发展。
技术实现思路
[0004]本专利技术的目的在于提供一种高可靠的非易失存储器的存储单元阵列及非易失存储器，旨在解决现有的NOR Flash存储单元阵列因过擦除的原因导致不能满足高可靠性要求定位问题。
[0005]本专利技术的技术方案如下：一种高可靠的非易失存储器的存储单元阵列，其中，包括若干条位线和若干条字线，所述字线和位线按照井字形排列分布连接，在每一条字线和每一条位线的相交处设置有一个存储单元，每一条位线只与位于该位线上的一个存储单元相连接。
[0006]所述的高可靠的非易失存储器的存储单元阵列，其中，所述字线和位线数量一样多；或者字线数量比位线数量多；或者字线数量比位线数量少。
[0007]所述的高可靠的非易失存储器的存储单元阵列，其中，所有的与对应位线相连的存储单元位于同一条字线上。
[0008]所述的高可靠的非易失存储器的存储单元阵列，其中，当字线和位线数量一致时，每条字线上设有一个与对应位线相连的存储单元。
[0009]所述的高可靠的非易失存储器的存储单元阵列，其中，当字线和位线数量一致时，每条字线上设有一个与对应位线相连的存储单元，全部与对应位线相连的存储单元位于同一条对角线上。
[0010]所述的高可靠的非易失存储器的存储单元阵列，其中，当字线和位线数量一致时，某一个存储单元与第n条位线相连接，该存储单元位于第n+1条字线上，与最后一条位线相连接的存储单元位于第一条字线上。
[0011]所述的高可靠的非易失存储器的存储单元阵列，其中，当字线数量比位线数量多时，某一个存储单元与第n条位线相连接，该存储单元位于第n+1条字线上。
[0012]所述的高可靠的非易失存储器的存储单元阵列，其中，当位线数量比字线数量多时，与对应位线相连接的不同存储单元位于同一条字线上或者位于不同的字线上。
[0013]一种非易失存储器，其中，包括如上述任一所述的高可靠的非易失存储器的存储单元阵列。
[0014]本专利技术的有益效果：本专利技术通过提供一种高可靠的非易失存储器的存储单元阵列及非易失存储器，使每一条位线只与位于该位线上的一个存储单元相连接，这样可能会浪费NOR Flash内的大部分存储空间，但是对于一些要求芯片存储量小，并且可以接受成本的情况来说，这样的NOR Flash的可靠性是最好的，每条位线上就连接一个存储单元，那读取这个存储单元的数据时，因为该位线上再没有其他存储单元会对这个与位线连接的存储单元造成过擦除的影响，所以数据读取的可靠性得到保证，由此可以有效地规避了因为过擦除带来的数据读错的风险，提高了存储单元阵列的可靠性。
附图说明
[0015]图1是现有技术中NOR Flash存储单元阵列的示意图。
[0016]图2是本专利技术中高可靠的非易失存储器的存储单元阵列的示意图。
[0017]图3是本专利技术中实施例1的示意图。
[0018]图4是本专利技术中实施例2的示意图。
[0019]图5是本专利技术中实施例3的示意图。
[0020]图6是本专利技术中实施例4的示意图。
[0021]图7是本专利技术中实施例5的示意图。
[0022]图8是本专利技术中实施例6的示意图。
具体实施方式
[0023]下面将结合本申请实施例中附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0024]应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。同时，在本申请的描述中，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0025]如图1所示，一种高可靠的非易失存储器的存储单元阵列，包括若干条位线和若干条字线，所述字线和位线按照井字形排列分布连接，在每一条字线和每一条位线的相交处设置有一个存储单元，每一条位线只与位于该位线上的一个存储单元相连接。
[0026]本技术方案中，使每一条位线只与位于该位线上的一个存储单元相连接，这样可能会浪费NOR Flash内的大部分存储空间，但是对于一些要求芯片存储量小，并且可以接受成本的情况来说，这样的NOR Flash的可靠性是最好的，每条位线上就连接一个存储单元，那读取这个存储单元的数据时，因为该位线上再没有其他存储单元会对这个与位线连接的存储单元造成过擦除的影响，所以数据读取的可靠性得到保证，由此可以有效地规避了因为过擦除带来的数据读错的风险，提高了存储单元阵列的可靠性。
[0027]在某些具体实施例中，所述字线和位线的数量可以按照实际需要设置，如字线和位线数量一样多，或者字线数量比位线数量多，或者字线数量比位线数量少。
[0028]其中，每一个与对应位线相连的存储单元在字线上的排列可以根据实际需要而设定，只要保证每一条位线只与位于该位线上的一个存储单元相连接即可：实施例1如图3所示，在某些具体实施例中，所有的与对应位线相连的存储单元位于同一条字线上。
[0029]实施例2如图4所示，在某些具体实施例中，当字线和位线数量一致时，每条字线上设有一个与对应位线相连的存储单元。
[0030]实施例3如图5所示，在某些具体实施例中，当字线和位线数量一致时，每条字线上设有一个与对应位线相连的存储单元，全部与对应位线相连的存储单元位于同一条对角线上。
[0031]实施例4如图6所示，在某些具体实施例中，当字线和位线数量一致时，某一个存储单元与第n条位线相连接，该存储单元位于第n+1条字线上，与最后一条位线相连接的存储单元位于第一条字线上。
[0032]实施例5如图7所示，在某些具体实施例中，当字线数量比位线数量多时，某一个存储单元与第n条位线相连接，该存储单元位于第n+1条字线上。
[0033]实施例6如图8所示，在某些具体实施例中，当位线数量比字线数本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种高可靠的非易失存储器的存储单元阵列，其特征在于，包括若干条位线和若干条字线，所述字线和位线按照井字形排列分布连接，在每一条字线和每一条位线的相交处设置有一个存储单元，每一条位线只与位于该位线上的一个存储单元相连接。2.根据权利要求1所述的高可靠的非易失存储器的存储单元阵列，其特征在于，所述字线和位线数量一样多；或者字线数量比位线数量多；或者字线数量比位线数量少。3.根据权利要求1或2任一所述的高可靠的非易失存储器的存储单元阵列，其特征在于，所有的与对应位线相连的存储单元位于同一条字线上。4.根据权利要求2所述的高可靠的非易失存储器的存储单元阵列，其特征在于，当字线和位线数量一致时，每条字线上设有一个与对应位线相连的存储单元。5.根据权利要求2所述的高可靠的非易失存储器的存储单元阵列，其特征在于，当字线和位线数量一致时，每条...
【专利技术属性】
技术研发人员：龙冬庆，吴彤彤，温靖康，
申请(专利权)人：深圳市芯天下技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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