一种调控金刚线单晶硅片金字塔绒面的方法技术

本发明专利技术公开一种调控金刚线单晶硅片金字塔绒面的方法，在单晶硅圆棒开方时，侧面以(100)晶面为基准，再旋转角度X后进行单晶开方得到单晶方棒，其中，旋转45

【技术实现步骤摘要】
一种调控金刚线单晶硅片金字塔绒面的方法


[0001]本专利技术涉及光伏组件领域，尤其涉及一种调控金刚线单晶硅片金字塔绒面的方法。

技术介绍

[0002]近几年来，光伏发电得到了飞速的发展。《中国光伏产业发展路线图2019年版》中指出，2019年我国民政光伏并网装机容量30.1GW,累计光伏并网装机容量超过204GW，新增和累计装机容量均为全球第一。据国际能源署预测，到2030年全球光伏累计装机量有望达到1721GW，到2050年将进一步增加至4670GW，发展潜力巨大。
[0003]为了更好的适应市场的需求，提效和降本仍然是太阳能电池发展的两个主要方向。目前，单晶硅片配合成本较低的先进电池技术(LDSE+PERC+Bifacial)已将量产电池效率推向了22.6％。目前的技术瓶颈也在逐渐显现，因此，进一步提升太阳能电池效率，已变得非常、非常的困难。
[0004]在市场竞争的驱动下，为了避免被市场无情的抛弃，各个太阳能电池厂商不得不进一步提升太阳能电池的效率。在当前市场环境下，如果能够进一步提升太阳能电池效率，必将大大增强该企业的技术竞争力。
[0005]目前单晶硅圆棒旋转开方45
°
后切割，单晶硅圆棒容易解离，所以切割上根本不能量产；即使切割出的硅片，在电池和组件工艺过程中，也极易碎片，大大影响太阳能电池生产。

技术实现思路

[0006]为了解决现有技术中存在的问题，本专利技术提供了一种调控金刚线单晶硅片金字塔绒面的方法，通过调控金刚线单晶硅片金字塔绒面，来提升太阳能电池的转换效率，所述技术方案如下：
[0007]本专利技术提供一种调控金刚线单晶硅片金字塔绒面的方法，在单晶硅圆棒开方时，侧面以(100)晶面为基准，再旋转角度X后进行单晶开方得到单晶方棒，其中，旋转45
°
后，侧面的晶面为(110)，角度X的范围设置为0
°-
45
°
；
[0008]然后将经过开方后的单晶方棒进行金刚线切片，其中，若所述单晶硅圆棒开方的旋转角度为X，则对单晶方棒切片时，将所述单晶方棒旋转角度Y后再进行切片，且切片时，使得所述单晶方棒的侧面的<110<晶向与金刚线切割线网平行,角度Y通过以下公式获得：
[0009]Y＝45
°-
X。
[0010]进一步地，其包括如下步骤：
[0011]S1、将单晶硅圆棒垂直放置在开方机的晶托上，将单晶硅圆棒的硅圆棒棱线与开方机晶托的晶托棱线一一对准；
[0012]S2、将单晶硅圆棒相对晶托旋转角度X，再用黏胶将单晶硅圆棒粘接在开方机晶托上，其中，X的范围为0
°-
45
°
；
[0013]S3、将晶托固定在开方机上，开动开方机将单晶硅圆棒切割成单晶方棒；
[0014]S4、将切割得到的单晶方棒进行角度Y旋转后粘接在切片的金属晶托上，其中，金属晶托上粘接有支撑板，单晶方棒粘接在支撑板上若Y为0，所述支撑板为平板；若Y>0，所述支撑板与旋转角度Y后的单晶方棒相匹配，然后将金属晶托固定在切片机上，进行金刚线切片。且所述单晶方棒的侧面的<110>晶向与金刚线切割线网平行,其中，Y＝45
°-
X。
[0015]进一步地，若Y>0，所述支撑板上设置有直角槽，旋转角度Y后的单晶方棒部分放置在直角槽内，所述直角槽的延伸方向与旋转角度Y后的单晶方棒的长度方向平行。
[0016]进一步地，所述支撑板为玻璃板或树脂板。
[0017]进一步地，所述单晶硅圆棒为直拉法生长而成的(100)晶向的单晶硅圆棒。
[0018]进一步地，X与Y均为22.5
°
。
[0019]进一步地，在步骤S4之后还包括如下步骤：
[0020]S5、对切片后的单晶硅片进行制绒。
[0021]进一步地，所述金刚线为电镀金刚石切割线。
[0022]本专利技术提供的技术方案带来的有益效果如下：
[0023]本专利技术公开的调控金刚线单晶硅片金字塔绒面的方法，通过单晶硅圆棒旋转开方和单晶方棒旋转切片，可实现制绒后单晶硅片的金字塔绒面的调控，不但可以调控金字塔绒面位向，而且可以调控金字塔尺寸大小和均匀性。金字塔位向调控有效提升组件早晚弱光响应，金字塔尺寸大小和均匀性调控有效降低制绒硅片的反射率，并且小且均匀的金字塔将会提升激光掺杂和丝网印刷性能，从而有效提升单晶硅片太阳能电池的转换效率。
附图说明
[0024]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0025]图1是本专利技术实施例提供的实施例二的切片示意图；
[0026]图2是本专利技术实施例提供的实施例一的实验2的切片示意图；
[0027]图3是本专利技术实施例提供的实施例三的切片示意图；
[0028]图4是本专利技术实施例提供的实施例一的实验1中单晶硅片制绒SEM照片；
[0029]图5是本专利技术实施例提供的实施例一的实验2中单晶硅片制绒SEM照片；
[0030]图6是本专利技术实施例提供的实施例二的单晶方棒在支撑板上的切片示意图；
[0031]图7是本专利技术实施例提供的实施例三的单晶方棒在支撑板上的切片示意图。
[0032]其中，附图标记包括：1-<110>晶向，2-切割线网，3-支撑板。
具体实施方式
[0033]为了使本
的人员更好地理解本专利技术方案，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本专利技术保护的范
围。
[0034]需要说明的是，本专利技术的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本专利技术的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、装置、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其他步骤或单元。
[0035]在本专利技术的一个实施例中，提供了一种调控金刚线单晶硅片金字塔绒面的方法，金字塔绒面调控包括金字塔位向调控、尺寸大小和均匀性调控。具体结构参见图1至图3，具体调控方法如下：在单晶硅圆棒开方时，侧本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种调控金刚线单晶硅片金字塔绒面的方法，其特征在于，在单晶硅圆棒开方时，侧面以(100)晶面为基准，再旋转角度X后进行单晶开方得到单晶方棒，其中，旋转45
°
后，侧面的晶面为(110)，角度X的范围设置为0
°-
45
°
；然后将经过开方后的单晶方棒进行金刚线切片，其中，若所述单晶硅圆棒开方的旋转角度为X，则对单晶方棒切片时，将所述单晶方棒旋转角度Y后再进行切片，且切片时，使得所述单晶方棒的侧面的<110>晶向与金刚线切割线网平行,角度Y通过以下公式获得：Y＝45
°-
X。2.根据权利要求1所述的调控金刚线单晶硅片金字塔绒面的方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、将单晶硅圆棒垂直放置在开方机的晶托上，将单晶硅圆棒的硅圆棒棱线与开方机晶托的晶托棱线一一对准；S2、将单晶硅圆棒相对晶托旋转角度X，再用黏胶将单晶硅圆棒粘接在开方机晶托上，其中，X的范围为0
°-
45
°
；S3、将晶托固定在开方机上，开动开方机将单晶硅圆棒切割成单晶方棒；S4、将切割得到的单晶方棒进行角度Y旋转后粘接在切片的金属晶托上，其中，金属晶托上粘接有支撑板，单晶方棒粘接在支...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘晓兵，沈柔泰，赵福祥，
申请(专利权)人：韩华新能源启东有限公司，
类型：发明
国别省市：