光掩膜及光掩膜的制造方法、以及图案转印方法技术

本发明专利技术提供一种光掩膜（例如灰度掩膜），其在透明基板（２４）上具有用于在被转印体上形成所希望的转印图案的掩膜图案，具有：将掩膜图案（１０ａ、１０ｂ、１０ｃ）间连接的、不会被转印到转印体的细线状的导电性图案（１１ａ、１１ｂ、１２ａ、１２ｂ）。该细线状的导电性图案，由半透光膜或者透光膜所形成。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种使用掩膜在被转印体上的光致抗蚀剂上形成转印 图案的图案转印方法、及使用该图案转印方法的光掩膜以及其制造方 法。
技术介绍
现在，液晶显示装置(Liquid Crystal Display:以下，称为LCD) 的领域中，薄膜晶体管液晶显示装置(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display:以下，称为TFT—LCD)与CRT (阴极射线管)相比较，因 为易于薄型化及功耗低的优点，现在，商品化正急速取得进展。TFT—LCD具有在隔着液晶相的状态之下将TFT基板和彩色滤光 器重合的概略结构，其中TFT基板的结构是对矩阵状排列的各个象素 排列TFT，彩色滤光器是对应于各个象素排列红、绿、及蓝的象素图案。 在TFT—LCD中，制造工序数很多，仅仅是TFT基板就要使用5 6片 的光掩膜来制造。这种状况下，提出了一种通过使用具有遮光部分、透光部分和半透 光部分的多灰度的光掩膜(以下，称为灰度掩膜)，来削减TFT基板 的制造中使用的掩膜的片数的方法(特开2005 — 37933号公报)。这里， 所谓半透光部分，指的是在使用掩膜将图案往被转印体转印时，使透过 的暴光光的透过量减低给定量，来控制被转印体上的光致抗蚀剂膜的显 影后的残膜量的那部分。灰度掩膜具有露出透明基板的透光部分；在透明基板上形成有对 暴光光进行遮光的遮光膜的遮光部分；以及，在透明基板上形成遮光膜 或者半透光膜，且在将透明基板的光透过率设为100%时，使透过光量 比其更低来透过给定量的光的半透光部分。这种灰度掩膜中，作为半透 光部分，有的是在遮光膜或半透光膜上，在暴光条件下形成分辨限度以下的细微图案，或者，有的是形成具有给定的光透过率的半透光膜。另一方面，在半导体装置的制造中所使用的光掩膜，存在的问题是， 在其遮光图案上产生静电，在电性上独立的各个图案间产生电位差，发 生因放电带来的静电破坏。为此，公知将各独立图案间用伪图案进行电连接(特开2003—248294号公报)上述LCD制造用等所使用的光掩膜，通常是在作为绝缘体的透明 玻璃基板上，形成由铬等的金属构成的遮光膜、半透光膜，对这些遮光 膜、半透光膜分别实施给定的图案形成来制造。因为该掩膜制造过程中 的洗净、掩膜使用过程中的洗净、或者搬送过程中的处置(handling)、 摩擦，有时掩膜会带电。因该带电产生的静电电位，有时会为数十KV 或者其以上，该静电在掩膜的彼此电独立的图案间放电时，产生静电破 坏，导致图案被破坏。如果遭到破坏的图案被转印到被转印体(LCD 面板等)的话，就会成为不良制品。可是，为了在被转印体上，形成膜厚阶段性不同的抗蚀剂图案，如 上所述公知灰度掩膜，在图案上的特定部位中选择性减少曝光光的透过 率，而成为可控制暴光光的透过的光掩膜。作为这样的灰度掩膜，公知 在透过暴光光的一部分的半透光部分中使用半透光膜的掩模。图6 (a)，是表示作为半透光部分，使用具有暴光光所对应的给 定的光透过率的半透光膜的灰度掩膜的截面图。也就是说，图6 (a) 所表示的灰度掩膜，在透明基板24上，具有在使用该灰度掩膜时对 暴光光进行遮光(透过率大致为0%)的遮光部分21;露出透明基板 24的表面的使暴光光透过的透光部分22;以及，在将透光部分的暴光 光透过率设为100%时，使透过率减低到20 60%程度的半透光部分 23。图6 (a)所表示的遮光部分21，用在透明基板24上所形成的遮光 膜25构成，另外半透光部分23，用透明基板24上所形成的光半透过 性的半透光膜26构成。另外，图6 (a)的遮光部分21、透光部分22 及半透光部分23的图案形状，表示的是一个例子。可是，作为构成上述遮光部分21的遮光膜25的材质，例如使用 Cr或者以Cr作为主成分的化合物。如上所述形成有图案的光掩膜，由 于洗净、还是有使用时的处置等，在电孤立的各个图案上容易积存电荷。 另外，在灰度掩膜的情况下，有非常利于液晶面板制造成本的优点，但 在期望廉价的制造成本时，而使用多面获取(从1枚基板制造多枚掩膜 的方法)的大型掩膜制造的需求越来越高。这种灰度掩膜中，因为电孤 立的、比较大面积的图案被形成在多个基板上，因此容易产生图案间的 电位差。而且，因为电位差有变大的倾向，因此图案膜的静电破坏严重。另外，在TFT制造用的灰度掩膜的情况下，随着通道部分图案等、图 案的细微化，也有容易产生静电破坏的情况。例如如图6 (b)中的箭头D所示，因为由邻接的遮光部分21间的 电位差造成的放电，遮光膜25的一部分被静电破坏了。在这种灰度掩膜使用时的处置中无法预料而产生的图案的静电破 坏，会导致使用该掩膜所形成的被转印体的成品率降低，液晶显示装置 等的最终制品的运转不良的重大问题。因此，抑制在灰度掩膜使用时的处置中可能产生的、图案的静电破 坏的发生，是极其重要的课题。
技术实现思路
本专利技术正是鉴于上述情况而作出的，其第l目的是，提供一种灰度 掩膜等的光掩膜，能抑制在掩膜使用时的处置中可能产生的、图案的静 电破坏的发生。本专利技术的第2目的是，提供一种使用如上所述的光掩膜，能在被转 印体上，形成没有图案缺陷的、高精度的转印图案的图案转印方法。为了解决上述课题，本专利技术具有以下的结构。 (构成l) 一种光掩膜，在透明基板上具有用于在被转印体上形成 所希望的转印图案的掩膜图案，其中，具有导电性图案，其将电孤立的 掩膜图案间相互连接，具有给定线宽，并且由对暴光光的透过率为给定 值以下的透光膜或者半透光膜构成。(构成2) —种光掩膜，是多灰度光掩膜，其在透明基板上，具有 由遮光部分、透光部分、和将掩膜使用时所使用的暴光光的透过量减低 给定量的半透光部分构成的掩膜图案，使用掩膜对被转印体照射暴光光 时，根据部位的不同有选择地减低对被转印体的暴光光的照射量，用于在被转印体上的光致抗蚀剂上，形成包含残膜值不同的部分的所希望的 转印图案，其中，上述遮光部分，至少由遮光膜形成，上述半透光部分， 由至少透过暴光光的一部分的半透光膜形成，具有将电孤立的掩膜图案 间相互连接的、给定线宽的导电性图案。(构成3)根据构成2所述的光掩膜，其特征在于， 上述导电性图案，由与形成该半透光部分的半透光膜同样的材料构成。(构成4)根据构成1至3中的任一项所述的光掩膜，其特征在于， 上述导电性图案是透光性、或者半透光性，且其具有的线宽，使其 不会在对上述光掩膜照射暴光光，将掩膜图案转印到被转印体上，对被 转印体上的抗蚀剂进行显影，并形成抗蚀剂图案时，出现在该抗蚀剂图 案中。(构成5)根据构成1至4中的任一项所述的光掩膜，其特征在于， 上述导电性图案的部分，由暴光光的透过率为20%以上60%以下 的半透光膜形成。(构成6)根据构成1至5中的任一项所述的光掩膜，其特征在于， 将连接掩膜图案间的上述导电性图案，设置多个。 (构成7) —种光掩膜的制造方法，使用在透明基板上依次形成半 透光膜和遮光膜而成的掩膜版，通过光刻法对上述半透光膜和遮光膜分 别进行所希望的图案形成，具有形成由遮光部分、透光部分、和将掩膜 使用时所使用的暴光光的透过量减低给定量的半透光部分构成的掩膜 图案的工序，其中，在上述半透光模的图案形成时，形成将电孤立的半 透光模图案本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光掩膜，在透明基板上具有用于在被转印体上形成所希望的转印图案的掩膜图案，其中，　具有导电性图案，其将电孤立的掩膜图案间相互连接，具有给定线宽，并且由对暴光光的透过率为给定值以下的透光膜或者半透光膜构成。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：佐野道明，
申请(专利权)人：HOYA株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]