一种N型硅片的性能评估系统技术方案

本实用新型专利技术公开了N型硅片的性能评估系统，包括输送单元、第一测试单元、第二测试单元、及控制处理单元，控制处理单元用于发送第一输送信号至输送单元；输送单元用于根据第一输送信号将n个硅片样品输送至第一测试单元；第一测试单元用于测试n个硅片样品的少子寿命；控制处理单元还用于根据n个少子寿命测试信息发送第二输送信号至输送单元；输送单元还用于根据第二输送信号将n个硅片样品中有效的m个硅片样品继续输送至第二测试单元；第二测试单元用于测试m个硅片样品的电阻率；控制处理单元还用于根据测试结果进一步对N型硅片性能进行评估。本实用新型专利技术旨在可靠的对N型硅片的性能进行评估，以此保证N型电池的转化效率。以此保证N型电池的转化效率。以此保证N型电池的转化效率。

【技术实现步骤摘要】
一种N型硅片的性能评估系统


[0001]本技术涉及太阳能电池
，尤其涉及一种N型硅片的性能评估系统。

技术介绍

[0002]随着光伏产业的迅速发展，市场对于太阳能电池及组件的性能及转换效率也提出了更高的要求。相比P型电池，N型具有无光衰、弱光效应好、温度系数低、高转化效率等优势，非常具有竞争力，太阳能电池成为主流方向，因此，提高并保障N型电池的转化效率成为当下太阳能电池领域研究的重点。而N型电池的转化效率的提升很大程度要依赖于N型硅片的电学性能，N型电池在进入产业化生产前，需筛选采购符合性能要求的N型硅片，但是现有的筛选有效很大程度基于厂家的数据标示，采购方并没有专门的可靠的性能评估方法去评估N型硅片的真实性能，这就导致实际最后生产的N型电池的转化效率并不能得到有效保障。

技术实现思路

[0003]为了解决上述问题，本技术提供一种N型硅片的性能评估系统，旨在可靠的对N型硅片的性能进行评估，以此保证N型电池的转化效率。
[0004]本技术提出的具体技术方案为：一种N型硅片的性能评估系统，包括输送单元、依次设于所述输送单元传输路径上的第一测试单元和第二测试单元、及与所述输送单元、第一测试单元和第二测试单元连接的控制处理单元，其中；
[0005]所述控制处理单元用于发送第一输送信号至所述输送单元；
[0006]所述输送单元用于根据所述第一输送信号将n个硅片样品输送至第一测试单元，其中，n≥3；
[0007]所述第一测试单元用于测试所述n个硅片样品的少子寿命，并将n个少子寿命测试信息发送至所述控制处理单元；
[0008]所述控制处理单元还用于根据所述n个少子寿命测试信息发送第二输送信号至所述输送单元；
[0009]所述输送单元还用于根据所述第二输送信号将所述n个硅片样品中有效的m个硅片样品继续输送至第二测试单元，其中，m≤n；
[0010]所述第二测试单元用于测试所述m个硅片样品的电阻率，并将m个电阻率测试信息传输至所述控制处理单元；
[0011]所述控制处理单元还用于根据所述m个电阻率测试信息获得p个电阻率有效信息和p个少子寿命有效信息，并根据p个电阻率有效信息和p个少子寿命有效信息获得硅片样品的电阻率标准信息和少子寿命标准信息，依据所述电阻率标准信息和少子寿命标准信息评估所述N型硅片性能。
[0012]优选地，所述输送单元包括并排设置的n个输送子单元，每一所述输送子单元包括一传送带。
[0013]优选地，所述第一测试单元包括并排设置的n个第一测试子单元，每一所述第一测试子单元包括一少子寿命测试仪，一所述少子寿命测试仪位于一所述传送带的传输路径上。
[0014]优选地，所述第二测试单元包括并排设置的n个第二测试子单元，每一所述第二测试子单元包括一电阻率测试仪，一所述电阻率测试仪位于一所述传送带的传输路径上，且所述电阻率测试仪位于所述少子寿命测试仪的下游。
[0015]优选地，还包括夹持单元，所述夹持单元用于将输送单元上承载的硅片样品夹持至第一测试单元和第二测试单元，还用于将所述第一测试单元和第二测试单元上的所述硅片样品夹持至所述输送单元上。
[0016]优选地，所述夹持单元包括第一夹持机构和第二夹持机构，所述第一夹持机构设于所述第一测试单元附近；所述第二夹持机构设于所述第二测试单元附近。
[0017]优选地，所述控制处理单元包括处理器及与所述处理器连接的控制器。
[0018]与现有技术相比，本技术的N型硅片的性能评估系统，通过输送单元将随机选取的硅片样本运输至第一测试单元，并根据第一单元的测试结果筛选有效的硅片样本继续传输至第二测试单元，并进一步对第二单元的测试结果进一步筛选，以获得最终的分析样本，并对分析样本的数据进一步处理从而最终评估N型硅片的性能，该系统误差小、可靠性高，保证了N型电池的转化效率，且便于自动化快速评估，提高评估效率。
附图说明
[0019]图1为本技术示例性的N型硅片的性能评估系统的系统示意图。
具体实施方式
[0020]以下，将参照附图来详细描述本技术的实施例。然而，可以以许多不同的形式来实施本技术，并且本技术不应该被解释为限制于这里阐述的具体实施例。相反，提供这些实施例是为了解释本技术的原理及其实际应用，从而使本领域的其他技术人员能够理解本技术的各种实施例和适合于特定预期应用的各种修改。
[0021]实施例1
[0022]本技术示例性的提供一种N型硅片的性能评估系统，参照图1所示，所述系统包括输送单元10、依次设于输送单元10传输路径上的第一测试单元20和第二测试单元30、及与输送单元10、第一测试单元20和第二测试单元30连接的控制处理单元40。
[0023]其中，控制处理单元40用于发送第一输送信号至输送单元10。
[0024]输送单元10用于根据第一输送信号将n个硅片样品A输送至第一测试单元20，其中，n≥3，且n为整数。
[0025]第一测试单元20用于测试n个硅片样品A的少子寿命，并将n个少子寿命测试信息发送至控制处理单元40。
[0026]控制处理单元40还用于根据n个少子寿命测试信息发送第二输送信号至输送单元10。
[0027]输送单元10还用于根据第二输送信号将n个硅片样品A中有效的m个硅片样品A继续输送至第二测试单元30，其中，m≤n，且m为整数。
[0028]第二测试单元30用于测试m个硅片样品A的电阻率，并将m个电阻率测试信息传输至控制处理单元40。
[0029]控制处理单元40还用于根据m个电阻率测试信息获得p个电阻率有效信息和p个少子寿命有效信息，并根据p个电阻率有效信息和p个少子寿命有效信息获得硅片样品A的电阻率标准信息和少子寿命标准信息，依据电阻率标准信息和少子寿命标准信息评估N型硅片性能，其中，p≤m，且p为整数。
[0030]具体的，如图1所示，输送单元10包括并排设置的n个输送子单元，每一输送子单元包括一传送带11。
[0031]第一测试单元20包括并排设置的n个第一测试子单元，每一第一测试子单元包括一少子寿命测试仪21，一少子寿命测试仪21位于一传送带11的传输路径上。示例性的，少子寿命测试仪21可选用Sinton公司的少子寿命测试仪。
[0032]第二测试单元30包括并排设置的n个第二测试子单元，每一第二测试子单元包括一电阻率测试仪31，一电阻率测试仪31位于一传送带11的传输路径上，且电阻率测试仪31位于少子寿命测试仪21的下游。
[0033]控制处理单元40包括处理器41及与处理器41连接的控制器42。
[0034]进一步，本技术的系统还包括夹持单元，夹持单元用于将输送单元10上承载的硅片样品A夹持至第一测试单元20和第二测试单元30，还用于将第一测试单元20和第二测试单元30上的硅片样品A夹持至输送单元10上。
[0035]具体的，夹持单元包括本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种N型硅片的性能评估系统，其特征在于，包括输送单元(10)、依次设于所述输送单元(10)传输路径上的第一测试单元(20)和第二测试单元(30)、及与所述输送单元(10)、第一测试单元(20)和第二测试单元(30)连接的控制处理单元(40)，其中；所述控制处理单元(40)用于发送第一输送信号至所述输送单元(10)；所述输送单元(10)用于根据所述第一输送信号将n个硅片样品(A)输送至第一测试单元(20)，其中，n≥3；所述第一测试单元(20)用于测试所述n个硅片样品(A)的少子寿命，并将n个少子寿命测试信息发送至所述控制处理单元(40)；所述控制处理单元(40)还用于根据所述n个少子寿命测试信息发送第二输送信号至所述输送单元(10)；所述输送单元(10)还用于根据所述第二输送信号将所述n个硅片样品(A)中有效的m个硅片样品(A)继续输送至第二测试单元(30)，其中，m≤n；所述第二测试单元(30)用于测试所述m个硅片样品(A)的电阻率，并将m个电阻率测试信息传输至所述控制处理单元(40)；所述控制处理单元(40)还用于根据所述m个电阻率测试信息获得p个电阻率有效信息和p个少子寿命有效信息，并根据p个电阻率有效信息和p个少子寿命有效信息获得硅片样品(A)的电阻率标准信息和少子寿命标准信息，依据所述电阻率标准信息和少子寿命标准信息评估所述N型硅片性能。2.根据权利要求1所述的N型硅片的性能评估系统，其特征在于，所述输送单元(10)包括并排设置的n个输送...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜娟，张敏，卢刚，
申请(专利权)人：青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司，
类型：新型
国别省市：