一种自带过电压保护的自愈式低压电容器制造技术

本发明专利技术公开了一种自带过电压保护的自愈式低压电容器，其特征在于，包括单相电容器主体和过电压保护器，单相电容器主体设有A、X、G三端，所述过电压保护器置于单相电容器主体内部的极间即A和X端之间和极对地即A和G端之间。这种自愈式低压电容器适用于所有过电压保护设计不完善用电系统，成本低、运行稳定，使用寿命长。命长。命长。

【技术实现步骤摘要】
一种自带过电压保护的自愈式低压电容器


[0001]本专利技术涉及电容器容性无功功率补偿技术，具体是一种自带过电压保护的自愈式低压电容器。

技术介绍

[0002]自愈式低压电容器因在负荷终端就地补偿效果良好，从而导致自愈式低压电容器的应用领域非常广泛，自愈式低压电容器所应用的电气系统多样、复杂和恶劣。常规自愈式低压电容器在各种电气系统的运行过程中，除了需要承受正常的投切操作过电压和变压器分接头操作过电压冲击之外，还可能受到系统中其它设备的操作过电压、雷电过电压和系统谐振过电压等的冲击，而过电压会对自愈式低压电容器内部元件造成损伤，缩短自愈式低压电容器的使用寿命，甚至严重的会导致自愈式低压电容器爆裂，造成设备损坏和危及运维人员的人身安全。
[0003]而现有的常规自愈式低压电容器的过电压保护，往往需依赖系统设置的外部过电压保护器进行保护。第一，除了常规的用电系统外，自愈式低压电容器的应用领域非常广泛（例如，电弧矿热炉、粒子加速器等），导致这些特殊系统的过电压保护设计往往不能照顾到自愈式低压电容器；第二，常规用电系统不针对自愈式低压电容器极间绝缘水平设置过电压保护；第三，因自愈式低压电容器所处电气系统多样和复杂，导致自愈式低压电容器的规格和参数种类繁多，但常规外部过电压保护器的规格有限，很难与自愈式低压电容器参数完全匹配。所以常规自愈式低压电容器的极间和极对地常处于无过电压保护的状态中，但自愈式低压电容器所受到的过电压，尤其是极间过电压，始终是影响自愈式低压电容器寿命和安全运行的重要因素。现有的自愈式低压电容器仍然靠外部过电压保护，自愈式低压电容器本体没有专用的过电压保护，冲击过电压保护始终是自愈式低压电容器的一个薄弱环节。目前，行业上还没有见到带过电压保护器的自愈式低压电容器的报道。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的是针对现有技术的不足，而提供一种自带过电压保护的自愈式低压电容器。这种自愈式低压电容器成本低、运行稳定，使用寿命长。
[0005]实现本专利技术目的的技术方案是：一种自带过电压保护的自愈式低压电容器，包括单相电容器主体和过电压保护器，单相电容器主体设有A、X、G三端，所述过电压保护器置于单相电容器主体内部的极间即A和X端之间和极对地即A和G端之间，当出现单相电容器主体极间或极对地过电压，且过电压超过了过电压保护器的保护阈值时，过电压保护器保护动作，使作用于单相电容器主体上的极间或极对地过电压受到限制。
[0006]所述自愈式低压电容器，用于三相星形接线场合时，单相电容器主体的A端需接电源侧，X端需接中性点侧，G端需接系统地网。
[0007]所述自愈式低压电容器，用于三相三角形接线场合时，单相电容器主体的A端、X端
需首尾相连、任意相邻两相的单相电容器主体的A端不能接同一电源侧，G端需接系统地网。
[0008]本技术方案中的自愈式低压电容器选型和安装简单不需另配外部过电压保护器，而安装于自愈式低压电容器内部的过电压保护器，可根据自愈式低压电容器参数，定制相匹配的过电压保护阈值和保护容量，这样可以有效地限制每台自愈式低压电容器的极间和极对地过电压水平，防止操作过电压和雷电过电压对自愈式低压电容器造成破坏，可改善自愈式低压电容器的电气运行条件，使自愈式低压电容器安全稳定运行，延长自愈式低压电容器的使用寿命。
[0009]这种自愈式低压电容器不仅解决了自愈式低压电容器极间和极对地过长期缺失操作过电压和雷电过电压等冲击过电压保护的问题，而且选型简单，不需用户自己核算外部过电压器的参数和选型，可以更广泛地应用到各种电气环境情况不明的领域中，保证设备和运维人员的人身安全。
[0010]这种自愈式低压电容器适用于所有过电压保护设计不完善用电系统，成本低、运行稳定，使用寿命长。
附图说明
[0011]图1 为实施例的结构示意图；图2为实施例中自愈式低压电容器的三相星型接线原理示意图；图3为实施例中自愈式低压电容器的三相三角形接线原理示意图。
具体实施方式
[0012]下面结合附图和实施例对本专利技术的内容作进一步的阐述，但不是对本分的限定。
[0013]实施例：参照图1，一种自带过电压保护的自愈式低压电容器，包括单相电容器主体1和过电压保护器2，单相电容器主体1设有A、X、G三端，所述过电压保护器2置于单相电容器主体1内部的极间即A和X端之间和极对地即A和G端之间，当出现单相电容器主体1极间或极对地过电压，且过电压超过了过电压保护器2的保护阈值时，过电压保护器2保护动作，使作用于单相电容器主体1上的极间或极对地过电压受到限制。
[0014]所述自愈式低压电容器，用于三相星形接线场合时，如图2所示，单相电容器主体1的A端需接电源侧，X端需接中性点侧，G端需接系统地网。
[0015]所述自愈式低压电容器，用于三相三角形接线场合时，如图3所示，单相电容器主体1的A端、X端需首尾相连、任意相邻两相的单相电容器主体1的A端不能接同一电源侧，G端需接系统地网。
[0016]本例中的自愈式低压电容器选型和安装简单不需另配外部过电压保护器，而安装于自愈式低压电容器内部的过电压保护器，可根据自愈式低压电容器参数，定制相匹配的过电压保护阈值和保护容量，这样可以有效地限制每台自愈式低压电容器的极间和极对地过电压水平，防止操作过电压和雷电过电压对自愈式低压电容器造成破坏，可改善自愈式低压电容器的电气运行条件，使自愈式低压电容器安全稳定运行，延长自愈式低压电容器的使用寿命。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种自带过电压保护的自愈式低压电容器，其特征在于，包括单相电容器主体和过电压保护器，单相电容器主体设有A、X、G三端，所述过电压保护器置于单相电容器主体内部的极间即A和X端之间和极对地即A和G端之间。2.根据权利要求1所述的一种自带过电压保护的自愈式低压电容器，其特征在于，所述自愈式低压电容器，用于三相星形...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱明轩，周春红，唐庆祝，蒋利军，吴秀荣，莫杰松，唐有，黄宁，孙丽琨，翟宏平，龙玉保，梁琮，
申请(专利权)人：桂林电力电容器有限责任公司，
类型：发明
国别省市：