一种自动双向电平转换的大电流IO驱动电路制造技术

本实用新型专利技术提供一种自动双向电平转换的大电流IO驱动电路，包括MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3、电阻R1、电阻R2、电阻R3、GPIO

【技术实现步骤摘要】
一种自动双向电平转换的大电流IO驱动电路


[0001]本技术涉及驱动电路
，更具体地涉及一种自动双向电平转换的大电流IO驱动电路。

技术介绍

[0002]在实际电路的应用中，有些场合要求输出口能输出大电流，用于驱动较大功率的负载，同时又能切换为输入口来监测外部信号的状态。而现有的驱动电路只能传输信号，也可以实现不同电压之间的转换，但是不能提供大电流输出，无法用在需要有功率驱动的场合。因此，有必要提供一种自动双向电平转换的大电流IO驱动电路，以克服上述问题。

技术实现思路

[0003]本技术提供了一种自动双向电平转换的大电流IO驱动电路，以解决现有的驱动电路只能传输信号，也可以实现不同电压之间的转换，但是不能提供大电流输出，无法用在需要有功率驱动的场合的问题。
[0004]为解决上述技术问题，本技术所采用的技术方案是：一种自动双向电平转换的大电流IO驱动电路，包括三个MOS管和三个电阻，三个MOS管分别为MOS管Q1、MOS管Q2和MOS管Q3，三个电阻分别为电阻R1、电阻R2和电阻R3，还包括GPIO-1端、GPIO-2端、U1端、U2端和U3端；
[0005]MOS管Q3的栅极、MOS管Q1的源极和电阻R1的一端均与GPIO-1端连接，电阻R1的另一端和MOS管Q1的栅极均与U1端连接，MOS管Q1的漏极、电阻R2的一端和MOS管Q2的漏极均与GPIO-2端连接，电阻R2的另一端与U2端连接，MOS管Q3的源极接地，MOS管Q3的漏极和电阻R3的一端均与MOS管Q2的栅极连接，电阻R3的另一端和MOS管Q3的源极均与U3端连接。
[0006]优选地，U2端和U3端的电压均与U1端的电压不相同。
[0007]优选地，U2端与U3端的电压相等。
[0008]优选地，MOS管Q1和MOS管Q3均为N沟道MOSFET。
[0009]优选地，MOS管Q2为P沟道MOSFET。
[0010]优选地，电阻R1的阻值为10KΩ。
[0011]优选地，电阻R2的阻值为10KΩ。
[0012]优选地，电阻R3的阻值为10KΩ。
[0013]与现有技术相比，本技术具有以下有益效果：本技术的自动双向电平转换的大电流IO驱动电路包括三个MOS管和三个电阻，通过MOS管Q1和MOS管Q3实现不同电压之间的转换，通过MOS管Q2实现了输出大电流，此外也能够自动切换输入、输出，满足了在实际电路的应用中，有些场合要求输出端输出大电流，用于驱动较大功率的负载，同时又能自动切换为输入端来监测外部信号状态的要求，而且本技术的自动双向电平转换的大电流IO驱动电路不需要额外的切换控制信号和切换控制电路。本技术具有电路结构简单、成本低的特点。
附图说明
[0014]图1为本技术的自动双向电平转换的大电流IO驱动电路的电路示意图。
具体实施方式
[0015]下面结合附图进一步详细描述本技术的技术方案，但本技术的保护范围不局限于以下所述。
[0016]为使本技术实施方式的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施方式中的附图，对本技术实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施方式是本技术一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本技术中的实施方式，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本技术保护的范围。因此，以下对在附图中提供的本技术的实施方式的详细描述并非旨在限制要求保护的本技术的范围，而是仅仅表示本技术的选定实施方式。基于本技术中的实施方式，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本技术保护的范围。
[0017]在本技术的描述中，需要理解的是，指示方位或位置关系的术语为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的设备或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
[0018]在本技术中，除非另有明确的规定和限定，如果含有术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0019]在本技术中，除非另有明确的规定和限定，如果存在第一特征在第二特征之上或之下，可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征之上、上方和上面包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。如果存在第一特征在第二特征之下、下方和下面，包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
[0020]下面结合实施例对本技术作进一步的描述，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，并不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域的普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的其他所用实施例，都属于本技术的保护范围。
[0021]请参阅图1，图中所示者为本技术所选用的实施例结构，此仅供说明之用，在专利申请上并不受此种结构的限制。
[0022]实施例一
[0023]如图1所示，一种自动双向电平转换的大电流IO驱动电路，包括三个MOS管和三个电阻，三个MOS管分别为MOS管Q1、MOS管Q2和MOS管Q3，三个电阻分别为电阻R1、电阻R2和电阻R3，还包括GPIO-1端、GPIO-2端、U1端、U2端和U3端；
[0024]MOS管Q3的栅极、MOS管Q1的源极和电阻R1的一端均与GPIO-1端连接，电阻R1的另一端和MOS管Q1的栅极均与U1端连接，MOS管Q1的漏极、电阻R2的一端和MOS管Q2的漏极均与GPIO-2端连接，电阻R2的另一端与U2端连接，MOS管Q3的源极接地，MOS管Q3的漏极和电阻R3的一端均与MOS管Q2的栅极连接，电阻R3的另一端和MOS管Q3的源极均与U3端连接。
[0025]优选地，U2端和U3端的电压均与U1端的电压不相同。U2端与U3端的电压相等。MOS管Q1和MOS管Q3均为N沟道MOSFET。MOS管Q2为P沟道MOSFET。电阻R1的阻值为10KΩ。电阻R2的阻值为10KΩ。电阻R3的阻值为10KΩ。
[0026]实施例二
[0027]U1端电压为3.3V，U2端电压为5V，U3端电压为5V。
[0028]当GPIO-1端输出低电平时，MOS管Q1的栅极和源极压差为3.3V，因此MOS管Q1导通，MOS管Q1的漏极拉低，GPIO-2端输出低电平；
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种自动双向电平转换的大电流IO驱动电路，其特征在于，包括三个MOS管和三个电阻，三个MOS管分别为MOS管Q1、MOS管Q2和MOS管Q3，三个电阻分别为电阻R1、电阻R2和电阻R3，还包括GPIO-1端、GPIO-2端、U1端、U2端和U3端；MOS管Q3的栅极、MOS管Q1的源极和电阻R1的一端均与GPIO-1端连接，电阻R1的另一端和MOS管Q1的栅极均与U1端连接，MOS管Q1的漏极、电阻R2的一端和MOS管Q2的漏极均与GPIO-2端连接，电阻R2的另一端与U2端连接，MOS管Q3的源极接地，MOS管Q3的漏极和电阻R3的一端均与MOS管Q2的栅极连接，电阻R3的另一端和MOS管Q3的源极均与U3端连接。2.如权利要求1所述的一种自动双向电平转换的大电流IO驱动电路，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：李际炜，郭攀峰，包洁松，
申请(专利权)人：成都盛远天成科技有限公司，
类型：新型
国别省市：