一种阵列基板制程方法及显示面板技术

本申请实施例提供一种阵列基板制程方法和显示面板，该阵列基板制程方法阵列基板制程方法，在200℃至300℃的温度下先在所述遮光层远离所述第一面的一侧设置第一缓冲层，然后再设置第二缓冲层。通过在遮光层成膜后优先在低温(200℃至300℃)下沉积一层缓冲层，然后再进行高温缓冲层成膜。避免高温造成遮光层材料氧化，能够避免电阻增大影响电阻

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板制程方法及显示面板


[0001]本申请涉及显示
，具体涉及一种阵列基板制程方法及显示面板。

技术介绍

[0002]薄膜晶体管氧化(Oxide TFT)是遮光层材料Cu/MoTi在缓冲层高温制程成膜后出现氧化，与缓冲层成膜温度较高有关。而遮光层氧化后会影响电阻-电容电路(Resistor-Capacitance circuit)，因此需要避免遮光层氧化。

技术实现思路

[0003]本申请实施例提供一种阵列基板制程方法及显示面板，能够避免遮光层氧化。
[0004]本申请提供一种阵列基板制程方法，包括：
[0005]提供一基板，所述基板包括相对设置的第一面和第二面；
[0006]在所述第一面设置遮光层，所述遮光层部分覆盖所述第一面，其中，所述遮光层远离所述第一面的一侧镀有铜膜；
[0007]在第一温度下，采用沉积的方法在所述遮光层远离所述第一面的一侧设置第一缓冲层，所述第一缓冲层至少包覆所述遮光层，所述第一温度为200℃至300℃；
[0008]在第二温度下，采用沉积的方法在所述第一面和所述第一缓冲层远离所述遮光层的一侧设置第二缓冲层，所述第二温度为300℃以上；
[0009]在所述缓冲层远离所述遮光层的一侧设置半导体层，所述半导体层部分覆盖所述第二缓冲层。
[0010]在一些实施例中，，所述在所述遮光层远离所述第一面的一侧设置保护层之前，还包括：
[0011]采用氨气、氢气或惰性气体吹扫所述第一面和所述遮光层远离所述第一面的一侧。
[0012]在一些实施例中，在所述缓冲层远离所述遮光层的一侧设置半导体层之后，还包括：
[0013]在所述半导体层远离第二缓冲层的一侧设置栅极绝缘层，所述栅极绝缘层部分覆盖所述半导体层；
[0014]在所述栅极绝缘层远离半导体层的一侧设置栅极层；
[0015]在所述第二缓冲层、所述半导体层和所述栅极层远离基板的一侧设置层间绝缘层；
[0016]在所述层间绝缘层、所述第一缓冲层和所述第二缓冲层上设置第一通孔和第二通孔，所述第一通孔由所述层间绝缘层远离所述基板的一侧表面延伸至所述半导体层远离所述第二缓冲层的一侧表面，所述第二通孔由所述层间绝缘层远离所述基板的一侧表面穿过所述第一缓冲层和所述第二缓冲层延伸至所述遮光层远离所述基板的一侧表面；
[0017]在所述层间绝缘层上设置第一源漏层和第二源漏层，所述第一源漏层和所述第二
源漏层均部分覆盖所述层间绝缘层，所述第一源漏层和所述第二源漏层之间具有间隔；
[0018]其中，所述第一源漏层通过所述第一通孔与所述半导体层连接，所述第一源漏层通过所述第二通孔与所述遮光层连接。
[0019]在一些实施例中，所述第一缓冲层采用的材料为氮化硅衍生物或氧化硅衍生物，包覆所述遮光层的所述第一缓冲层厚度为至
[0020]在一些实施例中，所述第一缓冲层包覆所述遮光层，并覆盖所述第一面。
[0021]在一些实施例中，所述第一缓冲层的厚度为至
[0022]在一些实施例中，所述遮光层的厚度为至所述遮光层采用的材料为金属、金属合金或上述材料的组合。
[0023]在一些实施例中，所述第二缓冲层采用的材料为氮化硅衍生物或氧化硅衍生物，所述第二缓冲层的厚度为至
[0024]在一些实施例中，在所述遮光层正投影区域设置的所述第二缓冲层厚度为第一厚度，在所述遮光层正投影区域以外设置的所述第二缓冲层厚度为第二厚度，所述第一厚度小于所述第二厚度。
[0025]本申请实施例提供一种显示面板，包括阵列基板，所述阵列基板采用以上所述的阵列基板制程方法制成。
[0026]本申请实施例所提供的阵列基板制程方法，在200℃至300℃的温度下先在所述遮光层远离所述第一面的一侧设置第一缓冲层，然后再设置第二缓冲层。通过在遮光层成膜后优先在低温(200℃至300℃)下沉积一层缓冲层，然后再进行高温缓冲层成膜。避免高温造成遮光层材料氧化，进而避免电阻增大，影响电阻-电容电路，提高背板质量。
附图说明
[0027]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0028]图1为本申请实施例提供的阵列基板制程方法的第一种工艺流程示意图；
[0029]图2为本申请实施例提供的阵列基板制程方法的第二种工艺流程示意图；
[0030]图3为本申请实施例提供的阵列基板的一种结构示意图；
[0031]图4为本申请实施例提供的显示面板的一种结构示意图。
具体实施方式
[0032]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0033]在本专利技术实施例中，应理解，诸如“包括”或“具有”等的术语旨在指示本说明书中所公开的特征、数字、步骤、行为、部件、部分或其组合的存在，并且不欲排除一个或多个其
他特征、数字、步骤、行为、部件、部分或其组合存在或被添加的可能性。
[0034]本申请实施例提供一种阵列基板制程方法及显示面板，以下对阵列基板制程方法做详细介绍。
[0035]请参阅图1，图1是本申请实施例提供的阵列基板制程方法的第一种工艺流程示意图。其中，本申请实施例提供一种阵列基板制程方法，具体包括如下步骤：
[0036]101、提供一基板，基板包括相对设置的第一面和第二面。
[0037]需要说明的是，第一面可以为基板的上表面，第二面可以为基板的下表面。当然，第一面也可以为基板的下表面，第二面可以为基板的上表面。本申请实施例中不做特殊说明的情况下，默认为第一面为基板的上表面，第二面为基板的下表面。
[0038]102、在第一面设置遮光层，遮光层部分覆盖所述第一面，其中，遮光层远离第一面的一侧镀有铜膜。
[0039]其中，在遮光层远离第一面的一侧设置保护层之前，采用氨气、氢气或惰性气体吹扫第一面和遮光层远离第一面的一侧。具体地，惰性气体可以为氩气或氦气。采用这些不易发生化学反应的气体对遮光层表面进行吹扫，一方面能够对遮光层表面进行清洁，另一方面能够排出第一面上的氧气，避免遮光层在之后的制程中发生氧化。
[0040]其中，遮光层的厚度为至遮光层采用的材料为金属、金属合金或上述材料的组合。具体地，遮光层的厚度为上述材料的组合。具体地，遮光层的厚度为或遮光层采用的材料为钼(Mo)、铜(Cu)、铝(Al)、钛(Ti)或上述金属的合金。遮光层可以为一层或多层，当遮光层为多层时，每层遮光层的材料可以相同或不同。
[0041]103、在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板制程方法，其特征在于，包括：提供一基板，所述基板包括相对设置的第一面和第二面；在所述第一面设置遮光层，所述遮光层部分覆盖所述第一面，其中，所述遮光层远离所述第一面的一侧镀有铜膜；在第一温度下，采用沉积的方法在所述遮光层远离所述第一面的一侧设置第一缓冲层，所述第一缓冲层至少包覆所述遮光层，所述第一温度为200℃至300℃；在第二温度下，采用沉积的方法在所述第一面和所述第一缓冲层远离所述遮光层的一侧设置第二缓冲层，所述第二温度为300℃以上；在所述缓冲层远离所述遮光层的一侧设置半导体层，所述半导体层部分覆盖所述第二缓冲层。2.根据权利要求1所述的阵列基板制程方法，其特征在于，所述在所述遮光层远离所述第一面的一侧设置保护层之前，还包括：采用氨气、氢气或惰性气体吹扫所述第一面和所述遮光层远离所述第一面的一侧。3.根据权利要求1所述的阵列基板制程方法，其特征在于，在所述缓冲层远离所述遮光层的一侧设置半导体层之后，还包括：在所述半导体层远离第二缓冲层的一侧设置栅极绝缘层，所述栅极绝缘层部分覆盖所述半导体层；在所述栅极绝缘层远离半导体层的一侧设置栅极层；在所述第二缓冲层、所述半导体层和所述栅极层远离基板的一侧设置层间绝缘层；在所述层间绝缘层、所述第一缓冲层和所述第二缓冲层上设置第一通孔和第二通孔，所述第一通孔由所述层间绝缘层远离所述基板的一侧表面延伸至所述半导体层远离所述第二缓冲层的一侧表面，所述第二通孔由所述层间绝缘层远离所述基板的一...

【专利技术属性】
技术研发人员：王若男，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：