防漏光的金属氧化物阵列基板及显示面板制造技术

本实用新型专利技术提供了一种防漏光的金属氧化物阵列基板及显示面板。本实用新型专利技术提供的防漏光的金属氧化物阵列基板包括衬底基板、设置在衬底基板上的器件层和设置在器件层上的保护层，保护层上设置有限位槽，限位槽和阵列基的非显示区在衬底基板的厚度方向上具有重叠区域，限位槽用于容置隔垫物，并限制隔垫物相对于防漏光的金属氧化物阵列基板的相对位置，从而在显示面板受到压迫时，有效阻止了隔垫物的滑动，解决了因隔垫物滑动导致的漏光问题。解决了因隔垫物滑动导致的漏光问题。解决了因隔垫物滑动导致的漏光问题。

【技术实现步骤摘要】
防漏光的金属氧化物阵列基板及显示面板


[0001]本技术涉及平面显示
，尤其涉及一种防漏光的金属氧化物阵列基板及显示面板。

技术介绍

[0002]平面显示器件具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。现有的平面显示器件主要包括液晶显示器件(Liquid Crystal Display，LCD)及有机发光二极管显示器件(Organic Light Emitting Display，OLED)，而平面显示器通常由上层基板和下层基板对合并形成，两基板之间的间距是影响显示器件质量的重要因素。
[0003]目前，为了保证上层基板和下层基板之间的间隙，主要采用在两基板之间加入一定厚度的隔垫物的方式，常用的隔垫物有柱形隔垫物(Post Spacer，PS)，其中，柱形隔垫物主要是通过构图工艺设置在上层基板上，这样可以精确控制柱形隔垫物的位置，从而通过柱形隔垫物的高度控制上层基板和下层基板之间的间隙。
[0004]然而，现有技术中，显示面板在受到外力时，上层基板和下层基板会相对产生偏移，造成柱形隔垫物的滑动，导致漏光。

技术实现思路

[0005]本技术提供了一种防漏光的金属氧化物阵列基板及显示面板，可以有效阻止显示面板受到外力时柱形隔垫物的滑动，消除了漏光现象。
[0006]第一方面，本技术提供了一种防漏光的金属氧化物阵列基板包括衬底基板、设置在衬底基板上的器件层和设置在器件层上的保护层，保护层上设置有限位槽，限位槽和防漏光的金属氧化物阵列基板的非显示区在衬底基板的厚度方向上具有重叠区域，限位槽用于容置隔垫物，并限制隔垫物相对于防漏光的金属氧化物阵列基板的相对位置，从而避免隔垫物相对阵列基板滑动，造成漏光现象。
[0007]作为一种可选的方式，本技术提供的防漏光的金属氧化物阵列基板，器件层包括薄膜晶体管、扫描线和数据线，薄膜晶体管包括在衬底基板上依次设置的栅极、缓冲层、半导体图形、源极和漏极，栅极与扫描线电连接，源极与数据线电连接。
[0008]作为一种可选的方式，本技术提供的防漏光的金属氧化物阵列基板，限位槽和扫描线在衬底基板的厚度方向上具有重叠区域。
[0009]作为一种可选的方式，本技术提供的防漏光的金属氧化物阵列基板，扫描线对应于限位槽的区域的线宽大于5μm，优选的扫描线对应于限位槽的区域的线宽为5um～8um。
[0010]作为一种可选的方式，本技术提供的防漏光的金属氧化物阵列基板，限位槽的槽壁与隔垫物的侧壁边缘的距离大于2μm。
[0011]作为一种可选的方式，本技术提供的防漏光的金属氧化物阵列基板，半导体图形包括依次设置的第一金属氧化物半导体层和第二金属氧化物半导体层.
[0012]作为一种可选的方式，本技术提供的防漏光的金属氧化物阵列基板，第一金属氧化物半导体层包括非晶氧化物半导体或者多晶氧化物半导体，第二金属氧化物半导体层包括耐腐蚀型金属氧化物半导体。
[0013]作为一种可选的方式，本技术提供的防漏光的金属氧化物阵列基板，第一金属氧化物半导体层的厚度是第二金属氧化物半导体层厚度的2-10倍。
[0014]作为其中一种可选的方式，本技术提供的防漏光的金属氧化物阵列基板，保护层包括有机绝缘层，有机绝缘层为有机化合物。
[0015]作为另一种可选的方式，本技术提供的防漏光的金属氧化物阵列基板，保护层包括有机绝缘层和无机绝缘层，无机绝缘层位于有机绝缘层的上方，有机绝缘层为有机化合物，无机绝缘层为氮化硅或者氧化硅或者氮化硅和氧化硅的叠层结构。
[0016]第二方面，本技术提供了一种显示面板，包括上述的防漏光的金属氧化物阵列基板。
[0017]本技术提供的防漏光的金属氧化物阵列基板及显示面板，防漏光的金属氧化物阵列基板包括衬底基板、设置在衬底基板上的器件层和设置在器件层上的保护层，保护层上设置有限位槽，限位槽和阵列基的非显示区在衬底基板的厚度方向上具有重叠区域，限位槽用于容置隔垫物，并限制隔垫物相对于阵列基板的相对位置，从而在不增加工艺步骤的前提下，实现了对隔垫物的限位，从而使得显示面板在受到压迫时，隔垫物可以落入限位槽内，有效阻止了隔垫物的滑动，解决了因显示面板受到外力隔垫物滑动导致的漏光问题。
附图说明
[0018]为了更清楚地说明本技术或现有技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0019]图1为本技术实施例一提供的防漏光的金属氧化物阵列基板的制造方法的流程示意图；
[0020]图2为本技术实施例一提供的防漏光的金属氧化物阵列基板的制造方法中半导体图形的形成步骤示意图；
[0021]图3a为本技术实施例一提供的防漏光的金属氧化物阵列基板的制造方法中一种保护层的形成步骤示意图；
[0022]图3b为本技术实施例一提供的防漏光的金属氧化物阵列基板的制造方法中另一种保护层的形成步骤示意图；
[0023]图4为本技术实施例一提供的防漏光的金属氧化物阵列基板的制造方法中阵列基板处于第一状态的俯视图；
[0024]图5为图4中A方向的剖视图；
[0025]图6为本技术实施例一提供的防漏光的金属氧化物阵列基板的制造方法中阵列基板处于第二状态的俯视图；
[0026]图7为图6中B方向的剖视图；
[0027]图8为本技术实施例一提供的防漏光的金属氧化物阵列基板的制造方法中阵列基板处于第三状态的俯视图；
[0028]图9为图8中C方向的剖视图；
[0029]图10为本技术实施例一提供的防漏光的金属氧化物阵列基板的制造方法中阵列基板处于第四状态的俯视图；
[0030]图11为图10中D方向的剖视图；
[0031]图12为本技术实施例一提供的防漏光的金属氧化物阵列基板的制造方法中阵列基板处于第五状态的俯视图；
[0032]图13为图12中E方向的剖视图；
[0033]图14为本技术实施例一提供的防漏光的金属氧化物阵列基板的制造方法中阵列基板处于第六状态的俯视图；
[0034]图15为图14中F方向的剖视图。
[0035]附图标记说明：
[0036]10-衬底基板；20-栅金属层；21-栅极；22-扫描线；30-缓冲层；40-半导体图形；50
-ꢀ
源极；51-漏极；52-数据线；60-保护层；61-连通孔；62-限位槽；70-透明导电层；100-隔垫物。
具体实施方式
[0037]为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种防漏光的金属氧化物阵列基板，其特征在于，包括衬底基板、设置在所述衬底基板上的器件层和设置在所述器件层上的保护层，所述保护层上设置有限位槽，所述限位槽和所述防漏光的金属氧化物阵列基板的非显示区在所述衬底基板的厚度方向上具有重叠区域，所述限位槽用于容置隔垫物，并限制所述隔垫物相对于防漏光的金属氧化物阵列基板的相对位置。2.根据权利要求1所述的防漏光的金属氧化物阵列基板，其特征在于，所述器件层包括薄膜晶体管、扫描线和数据线，所述薄膜晶体管包括在所述衬底基板上依次设置的栅极、缓冲层、半导体图形、源极和漏极，所述栅极与所述扫描线电连接，所述源极与所述数据线电连接。3.根据权利要求2所述的防漏光的金属氧化物阵列基板，其特征在于，所述限位槽和所述扫描线在所述衬底基板的厚度方向上具有重叠区域。4.根据权利要求3所述的防漏光的金属氧化物阵列基板，其特征在于，所述扫描线对应于所述限位槽的区域的线宽大于5μm。5.根据权利要求1-4任一项所述的防漏光的金属氧化物阵列基板，其特征在于，所述限位...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘翔，
申请(专利权)人：成都中电熊猫显示科技有限公司，
类型：新型
国别省市：